UВЫХ,
В
По данным таблиц построить графики. Определить параметры U0, U1, I0ВХ, I1ВХ, U+П, U-П, UП.
2. Измерить нагрузочную способность микросхемы. Для этого на вход подать паспортное значение логического нуля (UВХ=0,4 В), изменяя сопро-
тивление нагрузки RНАГР.=10 кОм, 1 кОм, 500 Ом, 100 Ом, 10 Ом измерить выходное напряжение UВЫХ. Данные занести в таблицу 3.
Таблица 3
RНАГР., |
10 |
1 |
500 |
100 |
10 |
Ом |
кОм |
кОм |
Ом |
Ом |
Ом |
UВЫХ, |
|
|
|
|
|
В |
|
|
|
|
|
По данным таблицы построить график UВЫХ=f(RНАГР.). На графике от- метить RНАГР. МИН., соответствующее уменьшению выходного напряжения
до паспортной величины U1ВЫХ=2,4 В.
3. Собрать схему, показанную на рис. 5.4. Подать на вход с генерато- ра прямоугольные импульсы амплитудой 4 В и частотой 1 МГц. Измерить время задержки переднего и заднего фронтов, рассчитать среднее время задержки распространения сигнала tЗД. СР..
Контрольные вопросы
1.С какой целью в схемах ТТЛ используется сложный инвертор?
2.Каковы преимущества схем ТТЛ перед схемами диодно- транзисторной логики (ДТЛ)?
3.В чём отличие ТТЛШ от ТТЛ?
4.Какую роль выполняют диоды, шунтирующие входные цепи ИМС?
5.Как повысить нагрузочную способность ИМС?
6.Перечислить основные параметры ИМС.
23