Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
OE_i_RE / lekcii_2013 / lekciya_8.pptx
Скачиваний:
32
Добавлен:
13.04.2015
Размер:
1.32 Mб
Скачать

УСТРОЙСТВО, КЛАССИФИКАЦИЯ И ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Классификация и условные обозначения

полупроводниковых диодов

Полупроводниковым диодом называется устройство, состоящее из кристалла полупроводника, содержащее обычно один p-n переход и имеющее два вывода.

Классификация диодов производится по следующим признакам:

 

По

По частоте

По

По конструкции

функциональному

(плоскостные,

мощности

(низко-

назначению

точечные,

(маломощны

частотные,

(выпрямительные,

микросплавные)

е, средней

высоко-

импульсные,

 

мощности,

частотные,

стабилитроны,

 

мощные)

СВЧ)

варикапы,

 

 

 

светодиоды,

 

 

 

тоннельные диоды

 

 

 

и т.д.)

маркировка диодов

Условное обозначение диодов подразделяется на два вида:

условное графическое обозначение (УГО) – обозначение на принципиальных электрических

схемах По старому ГОСТу все диоды обозначались буквой Д и

цифрой, которая указывала на электрические параметры, находящиеся в справочнике.

Новый ГОСТ на маркировку диодов состоит из 4 обозначений:

 

 

 

Рис. 26

I – показывает

II – тип

III – три цифры

IV – моди-

материал

полупроводникового

– группа

фикация

полу-

диода:

диодов по

диодов в

проводника:

Д – выпрямительные, ВЧ и

своим

данной

Г(1) –

импульсные диоды; А –

электрически

(третьей)

германий;

диоды СВЧ; C -

 

группе

К(2) –

стабилитроны; В –

 

 

кремний; А(3)

варикапы; И – туннельные

 

 

– арсенид

диоды; Ф – фотодиоды; Л -

 

 

галлия

светодиоды; Ц – выпря-

 

 

Условные графические обозначения:

Рис. 8.1

а) выпрямительные, высокочастотные, СВЧ, импульсные и диоды Гана; б) стабилитроны;

в) варикапы; г) тоннельные диоды;

д) диоды Шоттки; е) светодиоды; ж) фотодиоды;

з) выпрямительные блоки

Конструкция полупроводниковых

Основойдиодовпл скостных и точечных диодов является кристалл полупроводника n-типа проводимости, который называется базой.

База припаивается к металлической пластинке, которая

называется кристаллодержателем.

Для плоскостного диода

 

 

на

базу

накладывается

 

материал

акцепторной

акцепторная примеси

и

в

вакуумной

примесь

печи

 

при

высокой

база

температуре

(порядка

500

кристалл

°С)

происходит

диффузия

акцепторной

примеси

в

о-

базу

диода,

в

результате

держател

ь

чего образуется область p-

 

типа проводимости и p-n

 

переход

большой площади

Рис. 8.2

в

плоскости

(отсюда

название).

 

 

 

 

 

Вывод от p-области

 

называ-ется анодом, а

Большая площадь p-n перехода плоскостных диодов позволяет им

 

вывод от

 

 

n-области –

работать при больших прямых токах, но за счёт большой барьерной

ёмкости они будут низкочастотными.

катодом (рис. 8.2).

 

Точечные диоды

Рис. 8.3

Рис. 8.4

К базе точечного диода подводят вольфрамовую проволоку, легированную атомами акцепторной примеси, и через неё пропускают импульсы тока силой до 1А. В точке разогрева атомы акцепторной примеси переходят в базу, образуя p-область (рис. 8.4).

Получается p-n переход очень малой площади. За счёт этого точечные диоды будут высокочастотными, но могут работать лишь на малых прямых токах (десятки миллиампер).

Микросплавные диоды

Микросплавные диоды получают путём сплавления микрокристаллов полупроводников p- и n- типа проводимости. По своему характеру микросплавные диоды будут плоскостные, а по

своим параметрам – точечные.

Вольтамперная характеристика полупроводникового диода

Рис. 8.5

Вольтамперная характеристика реального диода проходит ниже, чем у идеального p-n перехода: сказывается влияние сопротивления базы. После точки А вольтамперная характеристика будет представлять собой прямую линию, так как при напряжении Uа потенциальный барьер полностью компенсируется внешним полем. Кривая обратного тока ВАХ имеет наклон, так как за счёт возрастания обратного напряжения увеличивается генерация собственных

носителей заряда.

Основные параметры упроводниковых диодов- Максимально

допустимый прямой ток

Iпр.max.

- Прямое падение напря- жения на диоде при макси-мальном прямом токе Uпр.max.

- Максимально допустимое обратное напряжение

Рис. 8.6 - Обратный ток при максимально допустимом обратном напряжении

Iобр.max.

- Прямое и обратное статическое сопротивление диода при заданных прямом и обратном напряжениях:

- Прямое и обратное динамическое сопротивление диода:

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ Общая характеристика выпрямительных

Выпрямительным диодом диодовназывается полупроводниковый диод, предназна-ченный для преобразования переменного тока в постоянный в силовых цепях, то есть в источниках питания. Выпрямительные диоды всегда плоскостные, они могут быть германиевые или кремниевые. Германиевые диоды лучше кремни-евых тем, что имеют меньшее прямое падение напряжения. Кремниевые диоды превосходят германиевые по диапазону рабочих температур, по

допустимому обратному напряжению, а также имеют ток. Если выпрямленный ток больше максимально

допустимого прямого тока диода, то в этом случае допускается параллельное включение диодов (рис. 33). Добавочные сопротивления Rд величиной от единиц до десятков Ом включаются с целью выравнивания токов в каждой из ветвей.

Рис. 33

Если напряжение в цепи превосходит максимально допустимое обратное напряжение диода, то в этом случае допускается последовательное включение диодов (рис. 34).

Шунтирующие сопротивления величиной Рис. 34 несколько сот кОм включают для

выравнивания падения напряжения на

Включение выпрямительных диодов в схемах выпрямителей

Диоды в схемах выпрямителей включаются по одно- и двухполупериодной схемам.

Если взять один диод, то ток в нагрузке будет протекать за одну половину периода.

Рис. 35

Такой выпрямитель называется однополупериодным, его недостаток – малый КПД.

Рис. 36

Значительно чаще применяются двухполупериодные выпрямители.

Рис. 37

Рис. 38

В течение положительного полупериода напряжения Ua (+) диоды VD1 и VD4 открыты, а VD2 и VD3 – закрыты. Ток будет протекать по пути: верхняя ветвь (+), диод VD1, нагрузка, диод VD4, нижняя ветвь (-).

В течение отрицательного полупериода напряжения Ua диоды VD1 и VD4 закрываются, а диоды VD2 и VD3 открываются. Ток будет протекать от (+), нижняя ветвь, диод VD3, нагрузка, диод VD2, верхняя ветвь (-).

Поэтому ток через нагрузку будет протекать в одном и том же

Соседние файлы в папке lekcii_2013