Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
OE_i_RE / lekcii_2013 / lekciya_7.pptx
Скачиваний:
43
Добавлен:
13.04.2015
Размер:
984.4 Кб
Скачать

ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Собственная проводимость

Собственным полупроводником,дниковили же полупроводником i-типа называется идеально химически чистый полупроводник с однородной

кристаллической решёткой.

Ge, Si – 4-х валентны

Кристаллическая структура полупроводника на плоскости может быть определена следующим образом.

Если электрон получил энергию, большую ширины запрещённой зоны, он разрывает ковалентную связь и становится свободным. На его месте образуется вакансия, которая имеет положительный заряд, равный по величине заряду электрона и называется дыркой. В полупроводнике i-типа концентрация электронов ni

Рис. 9

равна концентрации дырок pi. То

есть ni=pi. Процесс образования

 

пары зарядов электрон и дырка

Рис. 9

Свободный электрон может занимать место дырки,

восстанавливая ковалентную связь и при этом излучая избыток энергии. Такой процесс называется рекомбинацией зарядов.

В процессе рекомбинации и генерации зарядов дырка как бы движется в обратную сторону от направления движения электронов, поэтому дырку принято считать подвижным положительным носителем заряда.

Дырки и свободные электроны, образующиеся в результате генерации носителей заряда, называются собственными носителями заряда, а проводимость полупроводника за счёт

собственных носителей заряда называется собственной

Примесная проводимость проводников

Так как у полупроводников i-типа проводимость существенно зависит от внешних условий, в полупроводниковых приборах применяются примесные полупроводники.

 

 

 

Если

в

полупроводник

 

ввести пятивалентную примесь,

 

то

4

валентных

электрона

 

восстанавливают

ковалентные

 

связи

 

с

 

атомами

 

полупроводника,

 

а

пятый

 

электрон остаётся свободным.

 

 

За счёт этого концентрация

 

свободных

электронов

будет

 

превышать

 

концентрацию

 

дырок.

 

 

 

 

 

 

 

Примесь, за счёт которой

 

ni>pi,

называется

донорной

 

примесью.

 

 

 

 

 

Рис. 10

Полупроводник, у которого

 

ni>pi,

 

 

 

называется

В полупроводнике n-типа электроны называются

основными

 

полупроводником

 

с

носителями заряда, а дырки –

неосновными носителями

заряда.

электронным

 

 

типом

проводимости,

 

 

или

 

 

 

Рис. 11

При введении трёхвалентной примеси три её валентных электрона восстанавливают ковалентную связь с атомами полупроводника, а четвёртая ковалентная связь оказывается не восстановленной, т. е. имеет место дырка.

В результате этого концентрация дырок будет больше концентрации электронов.

Примесь, при которой pi>ni, называется акцепторной примесью.

Полупроводник, у которого pi>ni, называется полупроводником с дырочным типом проводимости,

или полупроводником p-типа.

В полупроводнике p-типа дырки называются основными носителями заряда, а электроны – неосновными носителями заряда.

Реальное количество примесей в полупроводнике составляет примерно 1015 1/см3.

Дрейфовый и диффузионный токи в

полупроводниках

Дрейфовый ток в полупроводнике – это ток, возникающий за счёт приложенного электрического поля. При этом электроны движутся навстречу линиям напряжённости поля, а дырки – по направлению линий напряжённости поля.

Диффузионный ток – это ток, возникающий из-за неравномерной концентрации носителей заряда.

n2 > n1, n2 - n1 = Δn

 

Отношение Δn/Δx

– это

 

градиент

неравномерности

 

концентрации примесей.

 

 

 

Величина диффузионного

 

тока

будет

определяться

 

градиентом

неравномерности

 

Δn/Δx и будет составлять

 

Рис.12

где Dp и Dn – коэффициенты

диффузии.

 

Зонная энергетическая диаграмма

У проводников большое количество свободных электронов, у диэлектриков валентные электроны удерживаются ковалентными связями, у полупроводников структура как у диэлектриков, но ковалентные связи значительно слабее.

Достаточно сравнительно небольшого количества энергии, получаемой из внешней среды (температура, освещённость, сильное электрическое поле) чтобы электроны полупроводника разорвали ковалентные связи и стали свободными.

Рис. 6

Рис. 7

Рис. 8

Рис. 6

Рис. 7

Рис. 8

 

 

 

 

 

 

 

 

Диапазон энергий, в котором лежит энергия электрона, удерживаемого ковалентной связью, называется зоной валентности, или валентной зоной.

Диапазон энергий, в котором лежит энергия электрона, разорвавшего ковалентную связь и ставшего свободным, называется зоной проводимости.

Графическое изображение этих энергетических зон называется зонной энергетической диаграммой.

Для того, чтобы электрон смог разорвать ковалентную связь и стать свободным, он должен получить энергию, большую ширины запрещённой зоны.

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ (P-N)

ПЕРЕХОД Образование электронно-дырочного

Ввидуперехон равномернойда концентрации на границе раздела p и n полупроводника возникает диффузионный ток, за счёт которого электроны из n-области переходят в p-область, а на их месте остаются некомпенсированные заряды положительных ионов донорной примеси.

Электроны, приходящие в p-область, рекомбинируют с дырками, и возникают некомпенсированные заряды отрицательных ионов акцепторной микрона.

Рис. 13

На границе раздела возникает внутреннее электрическое поле p-n перехода, которое будет тормозящим для основных носителей заряда и будет их отбрасывать от границы раздела.

Для неосновных носителей заряда поле будет ускоряющим и будет переносить их в область, где они будут основными.

Максимум напряжённости электрического поля – на границе раздела.

Распределение потенциала по ширине полупроводника называется потенциаль-ной диаграммой.

Разность потенциалов на p-n переходе называется контактной разностью потенциалов или потенциальным барьером.

 

Для

того,

чтобы основной

 

носитель заряда смог преодолеть p-

 

n переход, его энергия должна быть

 

достаточной

для

преодоления

Рис. 14

потенциального барьера.

 

 

 

Прямое и обратное включение p-n

перехода

Приложим внешнее

напряжение плюсом к p-

области.

 

Внешнее

электрическое

поле

направлено

навстречу

внутреннему

полю

p-n

перехода,

что

приводит

к

уменьшению потенциального

барьера.

 

 

 

Основные носители зарядов

легко

смогут

преодолеть

потенциальный

барьер,

и

поэтому через p-n переход

будет протекать

сравнительно

большой

ток,

вызванный

 

основными носителями заряда.

 

Такое

включение p-n

 

перехода называется

прямым,

 

и ток через

p-n

переход,

Рис . 15

вызванный

основными

носителями

заряда,

также

 

называется прямым током.

 

Считается, что при прямом

 

Если подключить внешнее

 

напряжение минусом на p-

 

область, а плюсом на n-область,

 

то

возникает

 

внешнее

 

электрическое

поле,

линии

 

напряжённости

 

которого

 

совпадают с внутренним полем

 

p-n перехода.

 

 

 

 

 

 

В результате это приведёт к

 

увеличению

 

потенциального

 

барьера

и

 

ширины

p-n

 

перехода.

 

 

 

 

 

 

 

Основные носители заряда

 

не смогут преодолеть p-n

 

переход, и считается, что p-n

 

переход закрыт.

 

 

 

 

Оба поля – и внутреннее и

 

внешнее

 

 

-

являются

 

ускоряющими

для

неосновных

 

носителей

 

заряда,

поэтому

 

неосновные

 

носители

заряда

Рис. 16

будут

проходить

через

p-n

переход,

 

образуя

очень

 

маленький

 

 

ток,

 

который

Соседние файлы в папке lekcii_2013