ТЭЦ Лекция 13 гот

3.2.4. Лекция 13

13.1. Параллельный колебательный контур

1. Цепь, состоящая из параллельного соединения двух участков, один из которых имеет индуктивный (содержит индуктивность), а другой емкостный (содержит емкость) характер, называется параллельным колебательным контуром.

2. Вблизи резонанса любой параллельный контур высокой добротности (с малыми потерями) эквивалентен идеальному параллельному контуру

3. Вторичные параметры параллельного контура:

а.) Резонансная частота:

б.) Резонансное сопротивление:

в.) Волновое сопротивление:

г.) Добротность:

Параллельный колебательный контур имеет те же вторичные параметры, что и последовательный с одним исключением - резонансное сопротивление возрастает (в раз при тех же параметрах R, L, С).

4. Соотношение между токами при резонансе

*

При резонансе ток в реактивных элементах (L и С) в Q раз больше подведенного тока. Контур с высокой добротностью (Q 40400) может усиливать ток.

13.2. Частотные характеристики параллельного колебательного контура

1. Частотная зависимость сопротивления:

где - обобщенная расстройка:

2. Нормированием называют деление рассматриваемой величины на эталонное значение. Z/Z₀ - нормированное сопротивление контура.

3. Частотные характеристики контура:

Зависимости модуля нормированного сопротивления от частоты (как ранее) называют АЧХ контура. Зависимость аргумента сопротивления от частоты называют ФЧХ контура.

4. Полосой пропускания параллельного контура называют диапазон частот, в пределах которого напряжение на контуре снижается не более чем в раз относительно его резонансного значения:

где

5. Определение полосы пропускания

а . Графическое б. Аналитическое

13.3. Влияние на параллельный контур сопротивлений источника и нагрузки

1. Избирательность контура определяется его добротностью. Теоретически контур с бесконечно большой добротностью избирает (пропускает) колебания только одной частоты ω₀.

2 . Добротность параллельного контура можно определить отношением резонансного и волнового сопротивлений

При постоянстве параметров индуктивности и емкости (R_С=const) добротность пропорциональна величине резонансного сопротивления.

3. Схема подключения проводимостей источника и нагрузки.

4. Для получения высокой избирательности параллельный колебательный контур следует подключить к источнику и нагрузке с малыми проводимостями [(G_H+G_Г)‹G₀], т. е. они должны быть меньше резонансной проводимости контура.

Контрольные вопросы и задачи по лекции:

1. Дайте определения терминов и понятий:

а.)Резонанс

б.)Колебательный контур

в.)Параллельный колебательный контур

г.)АЧХ контура

д.)ФЧХ контура

е.)Полоса пропускания

ж.)Избирательность

2.Запишите формулы

а.) резонансной частоты

б.) резонансного сопротивления

в.) волнового сопротивления

г.) добротности

д.)Комплексной мощности

56