![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
9 Электроника Лекции в презентациях 2012
.pdf![](/html/2706/189/html_ISFWz6zsav.e3Uq/htmlconvd-NFnSyF11x1.jpg)
Режим работы транзистора и усилителя класс АВ
11
![](/html/2706/189/html_ISFWz6zsav.e3Uq/htmlconvd-NFnSyF12x1.jpg)
Режим работы транзистора и усилителя класс АВ
12
![](/html/2706/189/html_ISFWz6zsav.e3Uq/htmlconvd-NFnSyF13x1.jpg)
Режим работы транзистора и усилителя класса C, D
4) Класс «С» - это работа транзисторов при маленькой амплитуде напряжения запирания ниже, чем напряжение смещения. В этом случае амплитуда звукового сигнала меньше, чем напряжение смещения. В таком состоянии транзистор проводит только верхнюю часть положительной полуволны, что сильно искажает сигнал. Поэтому в аудио усилителях, этот класс не применяется. Такой режим работы транзисторов имеет высокий КПД (около 85%).
5) Класс "D" - это усилители сигнала с широтно - импульсной модуляцией (ШИМ) и с частотно - импульсной (ЧИМ), в которых звуковой аналоговый сигнал преобразуется в цифровую форму, а в выходном каскаде происходит обратное преобразование. В первом случае ширина синтезированных импульсных сигналов пропорциональна амплитуде входного (аналог) сигнала, во втором - изменяемой величиной является частота импульсов. В любом варианте при изготовлении усилителя мощности класса "D" получаем высокий коэффициент нелинейных искажений, обусловленный дополнительными процессами конвертации усиливаемого сигнала. Класс "D" имеет КПД - 90%.
13
![](/html/2706/189/html_ISFWz6zsav.e3Uq/htmlconvd-NFnSyF14x1.jpg)
Режим работы транзистора и усилителя класс C
14
![](/html/2706/189/html_ISFWz6zsav.e3Uq/htmlconvd-NFnSyF15x1.jpg)
Режим работы транзистора и усилителя класс D
15
![](/html/2706/189/html_ISFWz6zsav.e3Uq/htmlconvd-NFnSyF16x1.jpg)
Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы
Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ) широко используются в микросхемах. Число эмиттеров в них достигает от 3 до 8, и МЭТ можно рассматривать как совокупность транзисторов с общей базой и коллекторами (рис., а).
Для подавления паразитных транзисторов n+-р-n+ - типа расстояния между соседними эмиттерами должны быть больше диффузионной длины носителей в базовом слое (=10 мкм).
Многоколлекторный биполярный транзистор (MKT) представлен на рис.,в. Он представляет собой МЭТ, работающий в инверсном режиме. Общим эмиттером служит общий эпитаксиальный слой, а коллектором является сильно легированные небольшие области n+.
При конструировании MKT основное внимание уделяется обеспечению высокого коэффициента передачи тока от общего эмиттера к каждому из n+ - коллекторов. Поэтому скрытый слой максимально приближают к базовому слою, a n+ - области располагают близко друг к другу. Транзисторы этого типа широко применяются в интегральных схемах
ИТЛ, ТТЛ и ТТЛШ - логики.
16
![](/html/2706/189/html_ISFWz6zsav.e3Uq/htmlconvd-NFnSyF17x1.jpg)
Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы
Многоэмиттерный транзистор (а) и его условное обозначение (б), многоколлекторный транзистор (в) и его условное обозначение (г)
17
![](/html/2706/189/html_ISFWz6zsav.e3Uq/htmlconvd-NFnSyF18x1.jpg)
Полевые транзисторы
Полевой транзистор — это электропреобразовательный прибор, в котором ток через канал управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком, и который предназначен для усиления мощности электрических колебаний.
Cток
Затвор
Исток Корпус
Условное графическое обозначение полевого
транзистора с управляющим p-n-переходом с n- каналом на схемах
1,42 мин
Чип и Дип. Рекомендации 18
![](/html/2706/189/html_ISFWz6zsav.e3Uq/htmlconvd-NFnSyF19x1.jpg)
Полевые транзисторы
Полевой транзистор с управляющим электронно-дырочным переходом имеет два невыпрямляющих контакта к области, по которой проходит управляемый ток основных носителей заряда, и один или два управляющих электронно-дырочных перехода, смещенных в обратном направлении. При изменении обратного напряжения на р-n-переходе изменяется его толщина и, следовательно, толщина области, по которой проходит управляемый ток основных носителей заряда. Область, толщина и поперечное сечение которой управляется внешним напряжением на управляющем p-n-переходе и по которой проходит управляемый ток основных носителей, называют каналом. Электрод, из которого в канал входят основные носители заряда, называют истоком. Электрод, через который из канала уходят основные носители заряда, называют стоком. Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, называют затвором.
19
![](/html/2706/189/html_ISFWz6zsav.e3Uq/htmlconvd-NFnSyF20x1.jpg)
Полевые транзисторы
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ (МДП-ТРАНЗИСТОРЫ)
Полевой транзистор с изолированным затвором (МДПтранзистор) — это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.
В кристалле полупроводника с относительно высоким удельным сопротивлением, который называют подложкой, созданы две сильнолегированные области с противоположным типом электропроводности. На эти области нанесены металлические электроды – исток и сток. Расстояние между сильнолегированными областями истока и стока может составлять всего несколько микрометров. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем (порядка 0,1 мкм) диэлектрика. Так как исходным полупроводником для полевых транзисторов обычно является кремний, то в качестве диэлектрика используется слой двуокиси кремния SiO2, выращенный на поверхности кристалла кремния путем высокотемпературного окисления. На слой диэлектрика нанесен металлический электрод — затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют
МДПтранзисторами. |
20 |