III. Описание лабораторной установки

Принципиальная схема исследуемого резистивного каскада ОЭ представ-лена на рис. 6.

В качестве усилительных элементов в схеме поочерёдно используются два транзистора VT1 и VT2, один из которых VT2 является широкополосным.

Напряжение питания на коллекторы транзисторов подаётся от одного ис-точника, требуемое смещение на базы транзисторов осуществляется посредст-вом делителей в цепях базы и. Сопротивление в цепи коллектора транзисторовVT1 и VT2, обеспечивающее требуемое усиление по напряже-нию, . Сопротивления в цепи эмиттераишунтируются электролитическими конденсаторами большой ёмкостии, что исключает влияние ёмкостей этих конденсаторов на АЧХ в области низших частот.

Рис. 6. Принципиальная схема исследуемого каскада ОЭ

Ёмкости иотличаются почти в 100 раз. Это позволит при иссле-довании более наглядно выявить влияние ёмкости разделительного конденса-тора на частотную характеристику в области низких частот. Резисторсо-вместно с конденсаторомявляется развязывающим фильтром. На выходе подключены сопротивления нагрузкии. Входная цепь представленаи. Все остальные элементы схемы являются корректирующими, и о них подробно будет сказано в работе 3.

IV. Порядок выполнения работы

Подготовить лабораторный макет к испытаниям, для этого:

– ознакомиться с принципиальной схемой каскада и расположением всех деталей и органов управления на панели (рис. 6);

– к входным клеммам панели присоединить генератор и вольтметр;

– к выходным клеммам панели присоединить вольтметр и осциллограф;

– подключить источник питания минусом к коллекторный цепи, а плюсом – к общему проводу схемы (поскольку используются транзисторы );

– после проверки руководителем правильности всех соединений вклю-чить выпрямитель и установить ;

– включить напряжение питания генератора, осциллографа и вольтмет-ров.

После указанной подготовки произвести следующие измерения:

1. Снять амплитудно-частотные характеристики в области низших частот транзистора VT2 (416) при двух значениях постоянной времени разделительной цепи и, для этого:

а) перемычками включить; для постоянной времени ; для;

б) дроссель L перемычкой замкнуть накоротко, сопротивление резистора , конденсаторыивключить с помощью соответствую-щих перемычек;

в) входную ЭДС поддерживать постоянной и равной 10 мВ;

г) частоту изменять в пределах 1 000… 25 Гц.

Результаты измерений и вычислений внести в таблицу по форме 3, которая повторяется для постоянной времени .

Сквозной коэффициент усиления, определённый на частоте 1 000 Гц, соответствует значению .

2. Снять амплитудно-частотные характеристики в области высших частот для двух типов транзисторов, для этого:

а) тумблер В1 – в положениях VT1 (низкочастотный транзистор МП42А) и VT2 (высокочастотный транзистор П416);

б) дроссель L перемычкой замкнуть накоротко, при этом необходимо включить резисторы ии конденсаторы,,; амплитудно-частотные характеристики следует снимать при постоянной входной ЭДС; для транзистора МП42А частоту изменять в пределах 10…200 кГц, а для транзистора П416 – в пределах 0,1…3,0 МГц.

Форма 3

Постоянная времени	Показатели	, Гц
		1000	500	200	100	60	25
	,  мВ
	, дБ

Результаты измерений напряжения , а также расчётов внести в табли-цу по форме 4. Для транзистора VT1 необходимо учесть, что сквозной коэффи-циент передачи соответствует усилению на частоте 10 кГц, а для тран-зистораVT2 – на частоте 0,1 МГц.

Форма 4

Показатели	f, кГц или МГц
,  мВ
, дБ