1. Мультиплексор

В качестве мультиплексора будем использовать микросхему ADG413BR, фирмы Analog Devices. Это четырёхканальный мультиплексор отличительными особенностями которого являются:

  • Диапазон напряжений переключаемых каналов ±15В.

  • Низкое входное сопротивление (<35Ом).

  • Ультранизкое потребление.

  • Быстрое время переключения.

  • TTL/CMOS совместимость.

Основные характеристики микросхемы ADG413BR приведены в Таблица 2 .15. Расположение выводов изображено на Рис. 2 .10. Описания выводов приведены в Таблица 2 .16.

Таблица 2.15

Основные характеристики микросхемы ADG413BR

Параметр

Значение

Единица измер.

Диапазон переключаемых сигналов

±15

В

Входное сопротивление

35

Ом, максимум

Время включения

110

нс

Время выключения

100

нс

Задержка

25

нс

Количество входных каналов

4

Рис. 2.10 Микросхема ADG413BR, вид сверху

Таблица 2.16

Описание выводов микросхемы ADG413BR

Pin

Мнемоника

Обозначение

1

IN1

Управление каналом 1

2

D1

Выход 1

3

S1

Вход 1

4

VSS

Отрицательное питание

5

GND

Общий

6

S4

Вход 4

7

D4

Выход 4

8

IN4

Управление каналом 4

9

IN3

Управление каналом 3

10

D3

Выход 3

11

S3

Вход 3

12

VL

Логическое питание

13

VDD

Положительное питание

14

S2

Вход 2

15

D2

Выход 2

16

IN2

Управление каналом 2

      1. Схема сброса

Для реализации схемы сброса понадобятся полевые транзисторы. В качестве полевых транзисторов будем использовать микросхему IRF7105, фирмы International Rectifier. Микросхема представляет собой два полевых транзистора.

Рис. 2.11 Микросхема IRF7105, вид сверху

      1. ПЛИС

В результате анализа структурной схемы было предложено использовать ПЛИС фирмы Altera, семейства MAX (Multiple Array matriX) 7000. Микросхемы этой серии обеспечивают:

  • Задержку распространения сигнала от любого входа до выхода СБИС не более 5 нс;

  • Устойчивую работу на частотах до 151 МГц;

  • Возможность регулирования скорости переключения выходных буферов;

  • Возможность использования четырех режимов работы выходных буферов: вход, выход, двунаправленный, открытый коллектор;

  • Возможность задания режима пониженного энергопотребления (Turbo-off) как для всей СБИС в целом, так и для цепей распространения отдельных сигналов;

  • Возможность программирования и репрограммирования после распайки на плате;

  • Возможность задания режима секретности разработки (Design Security);

  • Работу с пониженным (3.3 В) напряжением питания.

Для модуля инерционного сенсора будем использовать микросхему EPM7160STI100-10

Таблица 2.17

Основные характеристики микросхемы EPM7160STI100-10

Параметр

Значение

Количество макроячеек

160

Корпус

TQFP

Количество выводов

104

Количество выводов ввода/вывода

84

Напряжение питания

5 В

Задержка распространения сигнала

10 нс

Количество используемых гейтов

3200

Количество логических блоков

10

Рис. 2.12 Функциональная схема ПЛИС серии MAX7000 фирмы Altera

Рис. 2.13 Микросхема EPM7160STI100-10, вид сверху.

Соседние файлы в папке Skyn (дата сдачи 19.06.02, оценка отлично)