ZOMBIE / SPISLIT

Заглумин П.А. Дипломный проект.

Список литературы.

1. Плетнева Е. Мультимедиа-технологии в обучении. //CompUnity 1997, №3, 52с.

2. Чистяков Ю. Д., Райнова Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. // М.: Металлургия, 1979. 408 с.

3. Акуленок М. В. Эпитаксиальные процессы в технологии микроэлектроники. // М.: МИЭТ. 1993. 84 с.

4. SRINIVASAN G. R. Autodoping Effect in Silicon Epitaxy//J. of Electrochem. Soc. 1980. V. 127. № 6. P. 1334-1342.

5. SRINIVASAN G. R. Kinetic of Lateral Autodoping Effect in Silicon Epitaxy//J. of Electrochem. Soc. 1978. V. 125. № 1. p. 146-151.

6. KUHNE H. Autodoping of Epitaxial Silicon Layers//Cryst. Ros. and Technol. 1986. V. 21. N 12. P. 1495-1502.

7. Whitman L. J., JOYCE S. A., YARMOFF J. A., MCFCELY F. R. Terminello L. J. The chemosorphous of SiCl₄, Si₂Cl₆ and chlorine on Si (111) 7x7//Semicond. Sci. Technol. 1989. V. 4. P. 1056-1057.

8. STEPHEN C. S. Low-temperature Silicon Processing Techniques fos VISIC- Fabrication // Solid State Technol. 1981. N 3. P. 72-82.

9. LYER S. S., ARIENZO M., de FRESANT E. Low-temperature Silicon Cleaning via Hydrogen passivation and conditions for Epitaxy//Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. № 9. P. 893-895.

10. BURNS G. P. Low-temperature native oxidr removal from Silicon using nitrogen trifluoride prior low-temperature Epitaxy// Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 10. P. 1423-1425.

11. СКВОРЦОВ И. М., ОРИОН Б. В. Вопрсы низкотемпературного выращивания эпитаксиальных слоев кремния//Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок: Ч. 1. Новосибирск: Наука, 1975. С. 132-138.

12. FRIEDRICH J. A., NEUDECK G. W., LIU S. T. Limitations in low-temperature silicon epitaxy due to water vapor and oxygen in the growth ambient// Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 25. P. 2543-2545.

13. Процессы реального кристаллообразования/Под ред. Н. В. Белова. М. : Наука, 1977. 235 с.

14. Достижения, тенденции и перспективы использования локального роста кремния в технологии СБИС/А. А. ЩЕРБИНИН, Ю. Д. ЧИСТЯКОВ, М. В. АКУЛЕНОК, В. А. ПОДОЛЬСКИЙ//Электронная промышленность. 1989. N 11.С. 2-7.

15. KASAI N., ENDO N., ISHITANI H., KITAJIMA H. 1/4 mkm CMOS isolation technique using selective epitaxy//IEEE Trans. on Electron. Dev. 1987. V. ED-34. № 6. P. 1331-1336.

16. JOYCE B. D., BALDREY J. A. Selective Epitaxial Deposition of Silicon//Nature. 1962. V. 195. № 4840. P. 485-486.

17. OLDHAM W. G., HOLMSTROM R. The Growth and Etcing through the windows in SiO₂ // J. of Electrochem. Soc. 1967. V. 114. № 4. P. 381-389.

18. CLASSEN W. A. P., BLOEM J. The nucleation of CVD Silicon on SiO₂ and Si₃N₄ Subatrates // J. of Electrochem. Soc. 1980. V. 127. № 1. P. 194-200.

19. SILVESTRY V. J., SEDGWICK T. O., CHEZ R. Growth Mechanism for Ge Deposition near a SiO₂ Boundary//J. of Electrochem. Soc. 1972. V. 119. № 2. P. 245-249.

20. СКВОРЦОВ И. М., НИКОЛАЕВА В. В. О селективном наращивании эпитаксиальных слоев кремния//Известия АН СССР «Неорганические материалы». 1968. Т. 4. N10. С.1784-1786.

21. СКВОРЦОВ И. М., ШУЛЯКОВСКИЙ А.Е. Процессы селективного роста кремния в производстве полупроводниковых приборов // Обзоры по электронной технике, Сер. «Полупроводниковые приборы». 1979. Вып.1(627). 87 с.

22. Некоторые особенности процесса локальной эпитаксии кремния // Ю.А. МАЛИНИН, Г.Ф. МАРИНА, Ю.А. МИХАЙЛОВ, И.В. КОРОБОВ // Электронная техника. Сер. 14. Материалы. 1971. Вып.7. с.58-61.

23. FRIEDRICH E.G., KASTELIC M., NEUDECK G.W., TAKOUIDIS G.G. The Dependence of Si Selective Epitaxial Growth Rates Of Masking Oxide Thichness // J. Of Appl. Phys., 1989. V. 65. № 4. P. 1713-1716.

24. ALEXANDER E.G., RUNYAN W.R. A Study of Factors Affecting Silicon Growth on Amorphous SiO₂ Surface // Trans. on Metallurg. Soc. ALME. 1966. V. 236. № 3. P. 284-290.

25. ЧИСТЯКОВ Ю.Д. Снижение температуры основных физико-химических процессов технологии микроэлектроники как путь повышения надежности ИС. // Микроэлектроника. -1980 -т.9. -в.6. -с.540-547.

26. SIRTL E., HUNT L.P., SAWYER D.H. High Temperature Reactions in the Silicon-Hydrogen-Chlorine System // J. of Electrochem. Soc. 1974. V. 121. № 7. P. 919-925.

27. SIRTL E., HUNT L.P. A Thorough Thermodynamic Evaluation of the Silicon-Hydrogen-Chlorine System // J. of Electrochem. Soc. 1972. V. 119. № 12. P. 1741-1745.

28. HUNT L.P. Thermodynamic Equilibria in the Si-H-Cl and Si-H-Br Systems. // J. of Electrochem. Soc. 1988. V. 135. №. 1. р. 206-209.

29. BORLAND J., WISE R., OKA Y., GANGANI M., FONG S., MATSUMOTO Y. Silicon Epitaxial Growth for Advanced Device Structures. // Solid State Technol. 1988. № 1. p. 111-119.

30. SU S.C., Low-Temperature Silicon Processing Techniques for VLSIC Fabrication. // Solid State Technol. 1981. № 3. p. 72-82.

31. COLTRIN E.M., KEE R.J., MILLER J.A. A Mathematical Model of the Coupled Fluid Mechanics and Chemical Vapor Deposition Reactor // J. of Electrochem. Soc. 1984. V. 131. № 2. P. 425-434.

32. WOODRUFF D.W., SANCHEZ-MARTINEZ R.A. Experimental Study Of Equilibrium Conditions in the Si-H-Cl System. // J. of Electrochem. Soc. 1985. V. 132. № 3. P. 706-708.

33. СКВОРЦОВ И.М., НИКОЛАЕВА В.В. О селективном наращивании эпитаксиальных слоев кремния // Неорганические материалы. 1968. Т. 4. №10. Стр.1784-1786.

34. HERRICK C.S., SANCHEZ-MARTINEZ R.A. Equilibrium Calculations for the Si-H-Cl System from 300 to 3000K. // J. of Electrochem. Soc. 1984. V. 131. № 2. P. 455-458.

35. Охрана труда в вычислительных центрах. // М.: Машиностроение. 1990.

36. ДОЛИН П.А. Справочник по технике безопасности. // М.: Энергоатом-издат, 1985.

37. КАРАКЕЯН В.И., ПИСЕЕВ В.М.. Методы и средства обеспечения оптимальных параметров производственной среды на предприятиях электронной промышленности.// М.: МИЭТ, 1987.

38. КОНСТАНТИНОВА Л.А., ЛАРИОНОВ Н.М., ПИСЕЕВ В.М.. Методические указания по выполнению раздела «Охрана труда» в дипломном проекте для студентов МИЭТ. // М.: МИЭТ, 1988.

39. ДАВЫДОВ Б.И., ТИХОНЬЧУК В.С. Биологическое воздействие, нормирование и защита от электромагнитных излучений // М.:, 1989.

40. МОИСЕЕВА Н.К., КОСТИНА Г.Д. Маркетинговые исследования при создании и использовании программных продуктов. // М.: МИЭТ, 1996.

41. ВАЛЬВАЧЕВ А.Н. Графическое программирование на языке Паскаль. // Минск: Вышэйшая школа, 1992.

42. ФАРОНОВ В.В. Основы Турбо-Паскаля // М.: МВТУ- Фесто Дидактик, 1992.

43. ДЖОНС Ж., ХАРРОУ К. Решение задач в системе Турбо-Паскаль. // М.: Финансы и статистика, 1991.

102

Список литературы. Стр.