
- •Спецчасть
- •1.1. Введение
- •1.2. Постановка задачи
- •2. Описание программы
- •2.3.5.2. Реализация алгоритма встречной прогонки.
- •2.3.5.3. Программа как часть общей системы моделирования.
- •2.5.Входные и выходные данные.
- •Международный тест в квадратной области. Постановка задачи
- •Обсуждение результатов
- •Вычисление числа Нуссельта
- •2.8. Заключение.
Вычисление числа Нуссельта
Число Нуссельта является физической величиной, имеющей большое прикладное значение в задачах теплообмена в жидкости. Интегральная по z величина Nu(x), определяемая формулой
,
соответствует суммарному потоку тепла, который переносится в область через сечение x=Const как конвективным переносом, так и механизмом теплопроводности. Так как нижняя и верхняя стенки в области теплоизолированы, из сохранения энергии следует
Nu(x)=Const, 0£x£1. (20)
Численная схема
(G) полностью консервативна; в частности
в ней выполняется разностный аналог
(20). В связи с этим не возникает обсуждаемый
в [11] вопрос о том, какому значению числа
Нуссельта следует больше доверять -
,
или
(см. табл.4-6). Вместе с тем следует отметить,
что при решении задачи методом установления
консервативно лишь строго стационарное
значение Nu(x); на практике сходимость
этой величины при итерациях является
самой медленной. При решении задачи для
Ra=103
и Ra=104
расчеты прекращались, когда точность
выполнения условия (20) составляла 0.002%,
т.е. на два порядка больше, чем в схеме
(VD); при Ra=106
итерации были закончены при относительной
точности 0.01%. Во всех рассчитанных
вариантах условие Nu(0)=Nu(1) выполнялось
с высокой относительной точностью
DNu/Nu~10-6.
Локальное число
Нуссельта
при x=0 описывает местный поток тепла
через боковую стенку с постоянной
температурой T=1. Изолинии температуры
в области сильно сгущаются в нижней
части у левой стенки, т.е. около x=0 и z=0
(рис.3b), где и находится локальный максимум
потока тепла через стенку. В случае
развитой конвекции этот максимум,
обусловленный узко направленным потоком
охлажденной жидкости на боковую стенку,
сдвигается к самой границе тонкого
пограничного слоя
у нижнего основания, оставаясь несколько
выше него.
Вычисление величины
и координаты этого максимума является
наиболее сложным моментом в тестовой
задаче и возможно лишь при достаточно
подробной сетке в этой части области.
В частности. при вычислении
в [11] по схеме (VD) на равномерных сетках
41´41,
61´61
и 81´81
обращалось внимание на отсутствие
сходимости результатов по сеткам.
На рис.9 приведены графики зависимости Nu(z) при x=0 для числа Рэлея Ra=106, рассчитанные на различных сетках. Кривая 1 соответствует расчету на равномерной сетке 61´61 по схеме (VD), кривая 2 - расчету на равномерной сетке 81´81 по той же схеме. Кривая Nu(z), соответствующая расчету на равномерной сетке 41´41 не приведена, т.к. в этом случае в пограничный слой не попадает ни одного узла, и автор [11] справедливо не включил результаты расчетов на этой сетке в построение BMS. Узлы неравномерных сеток 41´41 и 35´35 при расчетах по схеме (G) расположены в рассматриваемой области значительно чаще, чем узлы равномерных сеток. Результаты расчетов зависимости Nu=Nu(z) на этих двух неравномерных сетках при масштабе, выбранном на рис.9, совпадают и соответствуют кривой 3.
При увеличении
числа узлов в рассматриваемой области
прослеживается отчетливая сходимость
по сеткам: кривая 1- кривая 2- кривая 3.
Экстремум функции Nu=Nu(z) становится более
крутым и приближается сверху к условной
границе теплового пограничного слоя.
Само значение
при этом несколько уменьшается
(DNu/Nu»3%).
Сходимость по сеткам кривых Nu(z) на рис.9
свидетельствует о надежности полученного
решения в этой части области.
Таким образом, при расчете тепловой задачи в квадратной области предложенным численным методом получена высокая точность совпадения результатов с BMS. Кроме того, решение задачи на неравномерных сетках со сравнительно небольшим числом узлов позволило обнаружить в приграничных областях ряд особенностей и деталей, практически недоступных при расчетах на равномерных сетках. Эти детали являются существенными при моделировании роста полупроводниковых кристаллов из расплава, т.к. в этих процессах главную роль играет тепломассообмен внутри пограничного слоя у фронта кристаллизации и вблизи него.