Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
DIPLOM1 / ДИПЛОМ / ТЕХНОЛ~1 / ТЕХНОЛ~9.DOC
Скачиваний:
18
Добавлен:
16.04.2013
Размер:
79.87 Кб
Скачать
      1. Нанесение и вжигание слоев терморезистивных паст.

Полученные пасты (Таблица 4) используют для формирования терморезистивных слоев. На станке трафаретной печати через сетчатый трафарет наносят требуемой тол­щины слой терморезистивной пасты. Слой пасты высушивают в сушильном шкафу в режиме, аналогичном режиму сушки слоя проводниковой пасты, и вжигают в печи при определенной температуре (650 С, 750 С, 850 С, 950 С) в течение 20 мин.

      1. Исследование свойств чип-терморезисторов и анализ полученных результатов.

Исследовались толщины терморезистивной пленки, сопротивление при комнатной температуре, температурная зависимость сопротивления. Из полученных результатов измерений R=f(T) были рассчитаны температурный коэффициент сопротивления (ТКС) и коэффициент температурной чувствительности. ТКС для комнатной температуры рассчитывали по формуле:

где В– коэффициент температурной чувствительности, К;

Т– температура, при которой вычисляется ТКС.

Коэффициент температурной чувствительности (В) рассчитывали по формуле:

,

где R1, R2– сопротивления чип-терморезистора соответственно при Ткомн. (Т1) и Траб. (Т2).

Результаты расчетов приведены ниже (Таблица 5).

Таблица 5. Значения коэффициентов В и ТКС чип-терморезисторов.

№ пасты

Характери­стика

Температура вжигания слоев, С (в течение 20 мин.)

650

750

850

950

1

В, К

3008

4014

4336

3527

ТКС, %/град

–3,4

–3,4

–4,9

–4,0

2

В, К

3374

4155

4811

3489

ТКС, %/град

–3,8

–4,7

–5,4

–3,9

3

В, К

3728

4165

4026

3777

ТКС, %/град

–4,2

–4,7

–4,5

–4,2

4

В, К

1908

2296

2544

ТКС, %/град

–2,1

–2,6

–2,9

На Рис. 2.6– 2.9 приведены зависимости натурального логарифма сопротивления (ln R) от обратной абсолютной температуры (1/Т) для чип-терморезисторов, полученных вжи­ганием при различных температурах слоев пасты состава № 1 и №2 в окислительной атмосфере.

С увеличением температуры вжигания от 650 С до 950 С сопротивление при ком­натной температуре (R20) резисторов снижается, однако коэффициент В изменяется не­линейно: он возрастает от 3007 К до 4335 К при увеличении температуры вжигания ре­зистивного слоя от от 650 С до 950 С. Чип-терморезисторы, резистивный слой кото­рых вожжен при 950 С, имели коэффициент В, равный 3526 К.

В связи с тем, что R20 чип-терморезисторов, изготовленных на основе терморези­стивных материалов №1 значительно превосходил требуемую величину (R20 со­ставлял 108…109 Ом), в дальнейшем исследовательские работы проводились с термо­резистивным материалом состава №2.

Были исследованы: влияние степени помола исходного порошка терморезистив­ного материала, температуры вжигания терморезистивных слоев на R20, R=f(T), ТКС и В.

Результаты исследования зависимости коэффициента температурной чувствительности (В) от времени помола приведены на Рис.2.10.

Результаты исследования зависимости коэффициента температурной чувствительности (В) от степени помола приведены на Рис.2.11– 2.14.

Большое значение имеет стабильность во времени электрофизических характери­стик чип-терморезисторов. Стабильность электрофизических характеристик чип–терморезисторов определялась многократными измерениями R20, R=f(T) через различные промежутки времени чип-терморезисторов, хранящихся в нормальных условиях.

Результаты исследований чип-терморезисторов на временную и температурную стабильность их свойств показали (см соответствующий рисунок), что у незащищенных чип-терморезисторов с течением времени изменяются R20 и R=f(T): R20 изменяется в сторону уменьшения; R250– в сторону возрастания. Поэтому была введена дополнительная технологическая операция по защите поверхности чип-терморезисторов пленкой легкоплавкого стекла.

Результаты исследований позволили сделать выводы:

  • Терморезистивный материал, наиболее полно удовлетворяющий предъявлен­ным к нему требованиям– состав №4(б) ,паста №3;

  • Толщина терморезистивного слоя должна составлять 50…70 мкм;

  • Длительность помола исходного порошка около 70 мин;

  • Оптимальная температура спекания терморезистивного слоя составляет 750 С, при длительности вжигания 20 мин.

  • Необходима дополнительная технологическая операция по защите поверхности чип-терморезисторов пленкой легкоплавкого стекла.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.

Соседние файлы в папке ТЕХНОЛ~1