Выводы.

Выбраны две системы для синтеза терморезистивных материалов (NiO–CoO и NiO–Li₂O)и в этих системах синтезированы пять составов полупроводниковых материалов для терморезисторов с большим отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС).

Изготовлены образцы и исследованы физические и электрофизические свойства синтезированных терморезистивных материалов.

Определены зависимости температурного коэффициента сопротивления (ТКС), коэффициента температурной чувствительности (В), сопротивления при комнатной температуре (R₂₀) чип-терморезисторов от состава материала, толщины терморезистивной пленки, от условий измельчения исходного порошка и температуры спекания терморезистивной пленки. Показано, что паста №3 (на основе порошка NiO–CoO с помолом 70 мин и вжиганием и слоев 750 С) наиболее полно удовлетворяет предъявленным требованиям по температурному коэффициенту сопротивления, коэффициенту температурной чувствительности и сопротивлению при комнатной температуре.

Исследована температурно-временная стабильность характеристик чип-терморезисторов, изготовленных на основе пасты №3. Показано, что защита чип-терморезисторов пленкой легкоплавкого стекла увеличивает температурно-временную стабильность температурного коэффициента сопротивления, коэффициента температурной чувствительности и сопротивления при комнатной температуре.

Проведен поиск и определены составы материалов, позволяющих получать методом трафаретной печати чип-терморезисторы с характеристиками полностью удовлетворяющими предъявленным к ним требованиям: