
- •Разработка материалов для получения чип-терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления методами толстопленочной технологии.
- •Синтез терморезистивного материала.
- •Получение образцов для исследования свойств синтезированного полупроводникового материала.
- •Получение и исследование паст на основе порошков терморезистивных материалов.
- •Получение паст исследование их свойств.
- •Получение чип-терморезисторов и исследование их свойств.
- •Нанесение и вжигание контактных площадок.
- •Нанесение и вжигание слоев терморезистивных паст.
- •Исследование свойств чип-терморезисторов и анализ полученных результатов.
- •Защита поверхности терморезистивного слоя чип-терморезистора пленкой легкоплавкого стекла.
- •Выводы.
Получение и исследование паст на основе порошков терморезистивных материалов.
Получение паст исследование их свойств.
На основе синтезированных терморезистивных материалов получают пасты для трафаретной печати резистивных пленок. Пасты изготавливают следующим образом: синтезированный терморезистивный материал измельчают фарфоровым пестиком в фарфоровой ступке до частиц размером не более 500 мкм. Затем 100 г этого порошка загружают в агатовый барабан, наливают туда 100 г деионизованной (дистиллированной) воды, укладывают 100 г мелящих агатовых шариков, закрывают барабан крышкой и устанавливают на планетарную мельницу для более тонкого помола частиц материала. Время измельчения устанавливают 30 мин, 70 мин или 120 мин в зависимости от желаемой степени помола исходного порошка. После окончания измельчения суспензию фильтруют на вакуумном нутч-фильтре. Полученный порошок сушат в сушильном шкафу при температуре 120…160 С до постоянного веса (2…4 часа).
Состав исходных терморезистивных материалов и характеристики их порошков представлены ниже (Таблица 3).
Таблица 3. Состав терморезистивных материалов и характеристика их порошков.
№ состава материала |
№ порошка |
Длительность помола, мин |
Максимальный размер частиц, мкм |
3–2 |
3–2 |
30 |
35 |
4 |
4(а) |
30 |
35 |
4 |
4(б) |
70 |
15 |
4 |
4(в) |
120 |
5 |
Полученные порошки терморезистивных материалов используют для приготовления резистивных паст по следующей технологии: определяют навеску порошка терморезистивного материала, смешивают с соответствующим количеством порошка легкоплавкого стекла (стекло С–81, ПАЩ.027.070 ТУ) и органического связующего (4ЭЦТ). Затем смесь материалов перетирают на пастотерке в течение 10…15 мин до получения пасты с требуемой степенью перетира.
Состав и характеристики паст, изготовленных на основе порошков терморезистивных материалов, приведены ниже (Таблица 4).
Характеристики паст определяли по известным методикам (ЕТ.01100.0047 ТП).
Таблица 4. Состав и характеристики паст, полученных на основе порошков терморезистивных материалов.
№ пасты |
Состав пасты |
Характеристики пасты | ||||
Порошок ТР материала |
Стеклосвязующее, масс % |
Органическое связующее, масс % |
Степень перетира, мкм |
Условная вязкость*, см | ||
№ состава порошка |
Содержание, масс % | |||||
1 |
3–2 |
50 |
27 |
23 |
35 |
22…28 |
2 |
4(а) |
50 |
27 |
23 |
35 |
22…28 |
3 |
4(б) |
50 |
27 |
23 |
15 |
22…28 |
4 |
4(в) |
50 |
27 |
23 |
5 |
22…28 |
*) Условная вязкость определялась следующим методом: наносили на стеклянную пластину пасту, прижимали сверху другой, после чего клали их под пресс. Диаметр растекшийся пасты и определял условную вязкость.
Получение чип-терморезисторов и исследование их свойств.
Нанесение и вжигание контактных площадок.
На станке трафаретной печати через сетчатый трафарет наносят проводниковую пасту ПП–10 (ЕТ0.035.367 ТУ). Пасту наносят на соответствующую подложку из алюмооксидной керамики. Отпечатки пасты сушат в сушильном шкафу при температуре 120…160 С в течение 20 мин и вжигают в окислительной атмосфере при температуре 850 С в течение 15…20 мин.