
- •Твердое тело дальний и ближний порядок. Решетка и базис кристалл-лической структуры.
- •Вектор трансляции, векторы основных трансляций: кристалл-лографическая система координат.
- •Элементарная ячейка, ее параметры. Типы кристаллических решеток.
- •Обратная решетка Бравэ.
- •Искажения кристаллической решетки (дефекты, дислокации)
- •Распределение Ферми-Дирака. Энергия Ферми.
- •Динамика электронов в кристаллической решетки. Эффективная масса электронов в кристалле.
- •Физическое обоснование дырки.
- •Собственный полупроводник.
- •Примесный полупроводник –донор.
- •Примесные полупроводники
- •Примесные полупроводники – акцептор.
- •Концентрация носителей зарядов в собственном и примесном полупроводниках.
- •Диаграмма энергетических зон примесных полупроводников.
- •Донорные и акцепторные полупроводники
- •Процессы генерации и рекомбинации. Внутреннее электрическое поле.
-
Процессы генерации и рекомбинации. Внутреннее электрическое поле.
К
собственным полупроводникам относятся
химически чистые кристаллы,
электропроводность которых (собственная)
обусловлена переходами электронов из
заполненной или валентной зоны в
свободную зону (зону проводимости). Для
возникновения собственной электропроводности
полупроводника необходимо, чтобы в нем
появились носители тока, способные под
действием внешнего электрического поля
увеличить свою энергию и прийти в
упорядоченное движение (дрейф). Это
условие выполняется, если часть электронов
«перебрасывается» из валентной зоны в
зону проводимости за счет сообщения
каждому электрону энергии не меньше
ширины ΔWзапрещенной зоны. При этом
процессе в валентной зоне остается
дырка, а в зоне проводимости появляется
электрон. Переход электрона из валентной
зоны в зону проводимости соответствует
с точки зрения кристаллической структуры
разрыву ковалентных связей соседних
атомов в кристаллической решетке. Такой
процесс называется генерацией электрон
– дырочной пары.
Свободные электроны,
находясь в тепловом движении, могут
оказаться вблизи дырки, занять место в
порванной связи. Такой процесс
называется рекомбинацией: свободный
электрон и дырка исчезают. Хаотическое
тепловое движение непрерывно разрывает
связи между атомами и создает (генерирует)
свободные электроны и дырки. Для
образования электрон–дырочной пары
нужна энергия, значительно превышающая
среднюю энергию кT и равная ширине
запрещенной зоны ΔW.
В стационарном
состоянии существует динамическое
равновесие: сколько генерируется
электрон–дырочных пар каждую секунду
в объеме полупроводника за счет тепловой
генерации, столько же их будет исчезать
за счет рекомбинации. Вероятность
образования электрон – дырочной пары
равна .
-
Явление переноса в динамически неравновесном состоянии.
В термодинамических неравновесных системах возникают особые необратимые процессы, в результате которых происходит пространственный перенос энергии, массы и импульса.
Если газ находится в состоянии равновесия, макроскопические параметры в различных частях системы одинаковы. Однако если в произвольной части системы один из параметров изменился, т. е. система стала неравновесной, возникнут процессы, стремящиеся вернуть систему в равновесное состояние, и эти процессы называют явлением переноса.
В зависимости от того, какой параметр изменяется, различают:
-
теплопроводность — перенос энергии;
-
диффузия — перенос массы;
-
вязкость (или внутреннее трение) — перенос импульса.
Теплопроводность
Если в одной области газа средняя кинетическая энергия молекул больше, чем в другой, то с течением времени вследствие постоянных столкновений молекул происходит процесс выравнивания средних кинетических энергий молекул, т. е. выравнивание температур.