3.3. Реферат.

Тема реферата должна быть согласована с преподавателем, ведущим предмет. Объем реферата – 10–20 страниц (формат А4) печатного текста.

Реферат должен быть подготовлен студентом самостоятельно (не используйте рефераты с CD!!!) и не должен быть простой компиляцией различных разделов учебников. При подготовке реферата студент должен прежде всего разобраться (пользуясь литературой) в вопросах, связанных с темой реферата.

Возможные темы реферата:

1. Изготовление биполярного транзистора p-n-p-типа диффузионным методом.

2. Изготовление биполярного транзистора n-p-n-типа диффузионным методом.

3. Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора со встроенным каналом p-типа.

4. Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора с индуцированным каналом n-типа.

5. Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора со встроенным каналом n-типа.

6. Создание МОП-структуры методом эпитаксии для полевого транзистора с индуцированным каналом p-типа.

7. Поверхностные акустические волны и их использование в линиях задержки.

8. Эффект Ганна и его использование в диодах, работающих в генераторном режиме.

9. Туннельный эффект и его использование в диодах, работающих в режиме усиления.

10. Внутренний фотоэффект и его использование в светодиодах.

11. Внешний фотоэффект и его использование в фотодиодах.

12. Внутренний и внешний фотоэффекты и их использование в оптронах.

13. Барьерная емкость в p-n-переходах и ее использование в варикапах.

14. Лавинный пробой и его использование в кремниевых стабилитронах.

15. Туннельный пробой и его использование в кремниевых стабилитронах.

16. Эффект Шоттки и его использование в полевых транзисторах.

17. Ионное легирование в микроэлектронике.

18. Диэлектрические пленки в технологии интегральных микросхем.

19. Эффект Шоттки и его использование в диодах.

20. Физико-химические основы ионно-плазменных процессов получения пленок.

21. Физические явления в тонких пленках.

22. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.

23. Физические процессы в диэлектриках.

24. Физические процессы в магнитных материалах.

25. Термические свойства диэлектриков.

26. Диэлектрические потери в диэлектриках.

27. Пробой диэлектриков.

28. Химические процессы осаждения пленок.

29. Электрохимические процессы осаждения пленок.

30. Физико-химические явления в диффузионных процессах.

31. Физико-химические основы ионной имплантации.

32. Физико-химические основы ионно-плазменного травления.

33. Физико-химические основы плазменно-химического травления.

34. Физико-химические процессы ионно-плазменного получения пленок.

35. Физико-химические основы получения пленок методом термовакуумного испарения.

36. Физико-химические основы технологии печатных плат.

37. Использование диффузии для введения примесей в полупроводник (диффузия из ограниченного и неограниченного источника).

38. Физико-химические основы зарождения и роста новой фазы.

39. Физико-химические основы поверхностных процессов.

40. Химическая металлизация в радиоприборостроении.

41. Электрохимическая металлизация в радиоприборостроении.

42. Химическое и электрохимическое травление металлов.

43. Технология полупроводниковых интегральных микросхем.

44. Термическая диффузия примесей.

45. Легирование методом ионного внедрения.

46. Явление эпитаксии и его использование в микроэлектронике.

47. Формирование диэлектрических потерь.

48. Металлизация поверхностей кремниевых структур.

49. Фотолитография.

50. Технологические особенности производства больших интегральных микросхем.

51. Явление сверхпроводимости. Сверхпроводники 1-го и 2-го рода.

52. Явление сверхпроводимости и его использование в современной микроэлектронике.

53. Когерентное излучение. Квантовые усилители.

54. Когерентное излучение. Квантовые генераторы.

55. Эффект Джозефсона и его применение в СВЧ-генераторах.

56. Эффект Мейснера и его применение в современной микроэлектронике.

57. Эффект Ааронова-Бома и его применение в современной микроэлектронике.

58. Жидкие кристаллы и их применение в микроэлектронике.

Список литературы по курсу «ФОМ»:

основная

1. Епифанов Г.И., Мома Ю.К. Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА. М., 1979.

2. Штернов А.А. Физические основы конструирования, технологии РЭА и микроэлектроники. М., 1981.

3. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М., 1987.

4. Аброян А.И., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М., 1984.

5. Березхин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование микросхем. М., 1983.

6. Броудой И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. Пер.с англ.под ред. Шальникова. Мир, 1985.

7. Глазов В.Н. Основы физической химии. М., 1981.

8. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Ионное травление микроструктур. М., 1979.

9. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. т.1, М., 1986.

10. Иванов-Есипович И.Я. Физико-химические основы производств радиоэлектронной аппаратуры. М., 1973.

11. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка материалов. М.,1986.

12. Лифшиц Е.М., Питаевский А.Ф. Физическая кинетика. М., 1979.

13. Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М., 1971.

14. Петрунин И.Е. Физико-химические процессы при пайке. М., 1972.

15. Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М., 1978.

16. Федулова А.А., Котов Е.П., Явич Э.Р. Химические процессы в технологии изготовления печатных плат. М., 1981.

17. Чистяков Ю.Д., Райкова Ю.П. Физико-химические основы микроэлектроники. М., 1980.

18. Стриха В.И., Бузанева Е.В., Родзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение). М., 1974.

19. Епифанов Г.И. Физика твердого тела. М., 1977.

20. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники. М., 1971.

21. Беляков В.А. Жидкие кристаллы. М., 1982.

22. Пиалн С.А., Блинов Л.М. Жидкие кристаллы. М., 1982.

23. Беликовский В.Д. Эти удивительные жидкие кристаллы. М., 1982.

24. Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тореев Б.М. Электротехнические материалы. Л.,1985.

25. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. М., 1986.

26. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов. М., 1982.

27. Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. Основы физики полупроводников. М., 1966.

28. Панков И.А. Оптические процессы в полупроводниках. Пер.с англ.. 1976.

29. Тарасов Л.В. Физические основы квантовой электроники. М., 1976.

30. Рывкин С.А. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., 1963.

дополнительная

1. Материалы микроэлектронной техники / Под ред. В.М.Андреева, М.: Радио и связь, 1989

2. И.М.Викулин, В.И.Стафеев. Физика полупроводниковых приборов,М.: Радио и связь, 1990

3. В.И.Галкин, А.Л.Булычев, П.М.Лямин. Полупроводниковые приборы. Транзисторы широкого применения. Справочник. Минск: Беларусь, 1995

4. В.Н.Черняев. Технология производства интегральных микросхем, М.: Энергия, 1977

5. В.Н.Черняев.Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров, М.: Радио и связь, 1987

6. В.Н.Черняев, Л.В.Кожитов. Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе, М.: Энергия, 1974

7. Я.А.Федотов, А.А.Щука. Микроэлектроника СВЧ. М.,1991

8. Я.А.Федотов. Основы физики полупроводниковых приборов, М., 1970

9. Травление полупроводников / Под ред. С.Н.Горина,М.: Мир,1965

10. Я.А.Федотов. Фотолитография и оптика, М.,1974

11. Ю.Ф.Комник. Физика металлических пленок, М.,1979

12. Л.И.Глюкман. Пьезоэлектрические кварцевые резонаторы, М.,1981

13. И.Зеленка. Пьезоэлектрические резонаторы на объемных и поверхностных акустических волнах, М.: Мир, 1990

14. А.Г.Смагин, М.И.Ярославский. Пьезоэлектричество кварца и кварцевые резонаторы, М., 1970

15. А.Г.Смагин, М.И.Ярославский. Конструирование, изготовление и применение кварцевых резонаторов, 1971

16. А.С.Сухариер. Жидкокристаллические индикаторы, М., 1991

17. П.Г.Елисеев. Введение в физику инжекционных лазеров, М.: Наука, 1983

18. Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы / Под ред. В.С.Вавилова, М.: Мир, 1980

19. Х.Риссел, И.Руге. Ионная имплантация, пер. с нем., М.: Наука, 1983

20. Техника оптической связи. Фотоприемники./ Под ред. У.Тсанга, М.: Мир, 1988

21. Р.Хансперджер. Интегральная оптика, М.: Мир, 1985

22. Т.Оокоси. Оптоэлектроника и оптическая связь, М., 1988

23. В.В.Кудинов. Плазменные покрытия, М.: Наука, 1977

24. Электроника СБИС. Проектирование микроструктур./ Под ред. Айнспрука, Мир, 1989

25. А.В.Черняев. Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия, М.: Радио и связь, 1990

26. Дулин В.Н. Электронные приборы, М.: Энергия,1977.

27. Ефимов И.Е. и др. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. Учеб.пособие для вузов. М.: Высшая школа,1977.

28. Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. и др. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники, кн.1: Общая технология. М.: Высшая школа, 1989.

29. Горелик С.С. и др. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия,1988.

30. Федулова А.А. и др. Технология многослойных печатных плат. М.: Радио и связь,1990.

31. Парфенов "Технология микросхем", М.: Высшая школа,1986.

32. Орешин П.Г. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977.

33. Батушев В.А. Электронные приборы. М.: Высшая школа,1980.

34. Епифанов Г.И., Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1977.

35. Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Шинков А.Д. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1981.

36. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1971.

37. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия, 1977.

38. Малышев И.А. Технология производства интегральных микросхем.

39. Малин Б.В., Эрез Т.И. Основы фотолитографии в производстве интегральных схем. М.: ЦНИИ "Электроника", 1980.

40. Штанько В.М., Животовский Э.И. Электрохимическая обработка металлопродукции. Справочник. М.: Металлургия, 1986.

41. Ямпольский А.М. Травление металлов. М.: Металлургия, 1980.

42. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1984.