Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Архив WinRAR / Экз_ФОМ2004_2_врем.doc
Скачиваний:
15
Добавлен:
28.03.2015
Размер:
991.23 Кб
Скачать

Утверждаю

Зав.кафедрой физики ______________

Орловский государственный технический университет

Кафедра физики

Предмет: ФОМ

Экзаменационный билет N 10

  1. Оцените давление фононного газа в меди при температуре T. Дебаевская температура меди  = 330 К, ее плотность  = 8,9 г/см3, молярная масса меди  = 6310–3 кг/моль.

  1. На рисунке показан график зависимости логарифма проводимости от обратной температуры T (в кК) для некоторого полупроводника p-типа. Найдите с помощью этого графика ширину запрещенной зоны полупроводника и энергию активации акцепторных уровней.

  1. Пользуясь дисперсионной зависимостью E(k) и определением эффективной массы электрона:

,

докажите, что эффективная масса электрона у дна зоны проводимости является величиной постоянной и положительной, а эффективная масса электрона у потолка валентной зоны является величиной постоянной, но отрицательной.

Утверждаю

Зав.кафедрой физики ______________

Орловский государственный технический университет

Кафедра физики

Предмет: ФОМ

Экзаменационный билет N 11

  1. Вычислите энергию Ферми при нуле Кельвина для алюминия. Плотность алюминия Al = 2,7.103 кг/м3, его молярная масса Al=27 кг/кмоль. Считается, что на каждый атом алюминия приходится 3 свободных электрона. Алюминий имеет ГЦК решетку.

  2. В кристалле кремния массой 120 г равномерно по объему распределены 38,2 мкг галлия. Считая, что атомы примеси полностью ионизированы, вычислите удельное сопротивление кристалла. Для подвижностей электронов и дырок (n = bp) в кремнии принять следующие значения: n = 1.45103 см2/(Вс), b = 2.9. Плотность кремния Si = 2,33103 кг/м3, его молярная масса Si = 2810–3 кг/моль. Молярная масса галлия Ga = 7010–3 кг/моль.

  3. Докажите, что при низком уровне инжекции изменение концентрации неравновесных электронов после выключения внешнего фактора, который приводил к появлению избыточных носителей заряда, описывается выражением

,

где n(0) – концентрация неравновесных электронов в начальный момент времени t, n – коэффициент рекомбинации электронов, n0 и р0 – концентрации равновесных электронов и дырок соответственно.

Утверждаю

Зав.кафедрой физики ______________

Орловский государственный технический университет

Кафедра физики

Предмет: ФОМ

Экзаменационный билет N 12

  1. Как и во сколько раз изменится вероятность заполнения электронами энергетического уровня в металле, если уровень расположен на 0,1 эВ выше уровня Ферми, а температура изменяется от 1000 К до 300 К?

  2. Подвижность электронов в чистом германии при комнатной температуре (300 К) равна 3800 см2/(Вс). Найдите удельное сопротивление этого материала при 30 К, считая, что подвижность меняется с температурой по закону , гдеа – постоянная. Эффективную массу электронов положить равной 0,55me, а эффективною массу дырок – 0,36me. При всех рассматриваемых температурах считать, что ширина запрещенной зоны германия равна 0,785 эВ, а отношение подвижностей электронов и дырок принять равным 2,1.

  3. Поясните смысл величин, которые входят в формулу Шокли-Рида

и проанализируйте зависимость от концентрации донорной примеси.