Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Оптика наноструктур_ГОИ_326с_2005.pdf
Скачиваний:
501
Добавлен:
24.03.2015
Размер:
7.11 Mб
Скачать

1. Фотонные кристаллы

41

что плотность состояний также задается условиями распределения волн, становится понятным, что классическое волновое и квантово-оптическое рассмотрения согласуются. Хотя интерпретация резонансного рассеяния с использованием плотности состояний не расширяет наших представлений о взаимодействии поля и вещества, она позволяет качественно и полуколичественно предсказать диаграммы рассеяния для сложных сред, для которых спектрально-угловое перераспределение плотности мод приблизительно известно. Например, для планарных структур с анизотропными порами (рис. 1.20) можно, не решая полностью задачи теории многократного рассеяния волн, предсказать повышенное рассеяние излучения вдоль осей пор и подавленное рассеяние в ортогональном направлении, что было подтверждено в недавних экспериментах [83] (рис. 1.33).

Рис. 1.33. Диаграмма рассеяния света пористым оксидом алюминия [83].

1.4. Заключение

Краткий обзор основных представлений о фотонных кристаллах, методах их изготовления, особенностях распространения через них, испускания и рассеяния ими света позволяет сделать вывод о том, что в оптике возникла новая активно развивающаяся область исследований, которая уже сегодня позволяет говорить о ее серьезном влиянии на развитие оптической техники в ближайшие десятилетия. Подробный анализ возможных применений фотонных кристаллов выходит за рамки настоящей работы, поэтому ограничимся лишь их перечислением. На основе фотонных кристаллов возможно создание новых светоизлучающих структур с заданной диаграммой испускания, новых оптических перестраиваемых фильтров, широкоугольных отражателей

42 С.В. Гапоненко

и антиотражающих покрытий, активных матриц для оптических модуляторов и переключателей, лазеров с распределенной обратной связью. Введение локальных дефектов в фотонные кристаллы позволяет создавать микрорезонатры с очень высокой добротностью. В случае одномерного фотонного кристалла – это хорошо известные многослойные интерференционные фильтры. В случае двух- и трехмерных фотонных кристалов введение точечных объемных дефектов позволяет создавать микролазеры. Одним из наиболее значительных применений, по-видимому, станут волноводы на основе фотонных кристаллов. Для создания волноводов в 2- или 3-мерной периодической диэлектрической структуре создается протяженный линейный дефект, который и служит волноводным каналом. Поскольку дефект может быть просто воздушным промежутком, появляется возможность избежать потерь, обусловленных поглощением излучения в веществе, которые неизбежны в традиционных волноводах. Наличие фотонной запрещенной зоны за пределами волноводного канала позволяет поворачивать свет на большие углы, что невозможно в традиционных волноводах из-за нарушения условия полного внутреннего отражения.

В заключение представляется интересным обсудить гносеологический аспект нового научного направления. Как хорошо известно, волновая оптика оказала значительное воздействие на развитие волновой (квантовой) механики в конце 20-х годов прошлого века. Затем более полувека спустя произошел обратный процесс. В течение одного десятилетия в период с 1979 по 1990 гг. принципиальные результаты квантовой теории (формирование запрещенных зон в периодических и локализация волн в случайных трехмерных потенциалах) были перенесены и востребованы в оптике и электромагнетизме. Почему получилось так, что многие ныне широко исследующиеся свойства волн

всложных средах вначале были поняты для электронов и только затем (иногда через многие годы, см. табл. 1.5) оказалась осознанной возможность их наблюдения и использования для электромагнитных волн?

Основная причина, по-видимому, заключается в том, что постановка соответствующих задач об электроне в сложном потенциале была связана со стремлением описать свойства реальных твердых тел. В них, как уже отмечалось, в силу наличия у электрона заряда реализуется его сильное многократное рассеяние локальными центрами – ионами кристаллической решетки. В оптике при рассмотрении фотонных кристаллов в основном речь идет об искусственных объектах, интерес к которым формировался постепенно по мере развития новых оптических и твердотельных технологий. Другая причина состоит в том, что квантовые эффекты a priori более притягательны для исследователей, они необычны, интригуют и увлекают ученых. Слабая локализация волн (обратное когерентное рассеяние) не требуют для наблюдения

воптике экстремальных условий, однако и в этом случае квантовая теория предшествовала классической волновой. Очевидно, что для большинства физиков проблема квантовой интерференции электронов представляется более интересной, чем обратное когерентное рассеяние света.

 

 

1. Фотонные кристаллы

43

Таблица 1.5. Перенос представлений из квантовой теории в электромагнетизм

 

 

 

 

 

Явление

Квантовая теория

Электромагнетизм

 

Энергетические зоны в кристаллах

30-е годы XX в.

80-е годы XX в.

 

Локализация в случайном потенциале 1958

г. [34]

1984

г.[33]

 

Слабая локализация

1982

г.[37]

1985

г. [38, 39]

 

Квазикристаллы

1983

г. [58]

1994

г. [59]

 

 

 

 

 

 

 

Успехи квантовой теории твердого тела привели к развитию электроники, значительно преобразившей нашу жизнь. Есть все основания ожидать, что развитие технологий, основанных на концепции фотонных кристаллов, может привести к последствиям сравнимого масштаба.

Список литературы

[1]L. de Broglie: Compt. Rend. 177, 507 (1923)

[2]Л. Бриллюэн, М. Пароди: Распространение волн в периодических средах, (ИЛ, Москва 1959)

[3]R. de Kronig, W.G. Penney: Proc. Royal Soc. London 130A, 499 (1931)

[4]F. Bloch: Zeitschrift fur Physik 52, 555 (1928)

[5]А.С. Давыдов: Теория твердого тела, (Наука, Москва 1976)

[6]В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников: Физика полупроводников, (Наука, Москва 1990)

[7]Ч. Киттель: Введение в физику твердого тела, (Наука, Москва 1978)

[8]А.И. Ансельм: Введение в теорию полупроводников, (Наука, Москва 1978)

[9]В.П. Грибковский: Теория испускания и поглощения света в полупроводниках, (Наука и техника, Минск 1975)

[10]C. Klingshirn: Semiconductor Optics, (Springer, Berlin 1995)

[11]Дж. Блэкмор: Физика твердого тела, (Мир, Москва 1988)

[12]P.Y. Yu, M. Cardona: Fundamentals of semiconductors, (Springer, Berlin 1996)

[13]M.A. Leontovich, L.I. Mandelshtam: Zeitschrift fur Physik 47, 131 (1928)

[14]J.M. Bendickson, J.P. Dowling, M. Scalora: Phys. Rev. E 53, 4107 (1996)

[15]N. Stefanou, V. Yannopapas, A. Modinos: Comput. Phys. Commun. 132, 189 (2000)

[16]И.С. Гайнутдинов, Е.А. Несмелов, А.В. Михайлов, В.П. Иванов, Г.И. Абзалова: Свойства и методы получения интерференционных покрытий для оптического приборостроения, (Фэн, Казань 2003)

[17]Л.А. Ривлин: УФН 167, 309 (1997)

[18]The Nature of Light: What Is a Photon? In: Optics and Photonics News 3, N. 1 (2003) Ed. by C. Roychoudhuri, R. Roy

44С.В. Гапоненко

[19]J.D. Joannopoulos, R.D. Meade, J.N. Winn: Photonic Crystals: Molding the Flow of Light, (Princeton University Press, New York 1995)

[20]K. Sakoda: Optical Properties of Photonic Crystals, (Springer, Berlin 2001)

[21]R. Meade, K. Brommer, A. Rappe, J. Joannopoulos: Appl. Phys. Lett. 61, 495 (1992)

[22]R. Wang, X.-H. Wang, B.-Y. Gu, and G.-Z. Yang: J. Appl. Phys. 90, 4307 (2001)

[23]K.M. Ho, C.T. Chan, C.M. Soukoulis: Phys. Rev. Lett. 65, 3152 (1990)

[24]E.N. Economou, M.M. Sigalas: Phys. Rev. B 48, 13434 (1993)

[25]R. Biswas, M.M. Sigalas, G. Subramania, K.M. Ho: Phys. Rev. B 57, 3701 (1998)

[26]K. Busch, S. John: Phys. Rev. E 58, 3896 (1998)

[27]F. Garcia-Santamaria, C. Lopez, F. Meseguer et al: Appl. Phys. Lett. 79, 2310 (2001)

[28]В.П. Быков: ЖЭТФ 62, 505 (1972)

[29]E.M. Purcell: Phys. Rev. 69, 681 (1946)

[30]В.П. Быков: Излучение атомов вблизи материальных тел. Некоторые вопросы квантовой теории, (Наука, Москва 1986)

[31]E. Yablonovitch: Phys. Rev. Lett. 58, 2059 (1987)

[32]E. Yablonovitch, T.J. Gmitter: Phys. Rev. Lett. 63, 1950 (1989)

[33]S. John: Phys. Rev. Lett. 53, 2169 (1984)

[34]P.W. Anderson: Phys. Rev. 109, 1492 (1958)

[35]P.W. Anderson: Phil. Mag. B 52, 505 (1985)

[36]S. John: Phys. Rev. Lett. 58, 2486 (1987)

[37]А.И. Ларкин, Д.Е. Хмельницкий: УФН 136, 536 (1982)

[38]M.P. van Albada, A. Lagendijk: Phys. Rev. Lett. 55, 2692 (1985)

[39]P.E. Wolf, G. Maret: Phys. Rev. Lett. 55, 2696 (1985)

[40]K. Ohtaka: Phys. Rev. B 19, 5057 (1979)

[41]A. Ishimary: Wave Propagation and Scattering in Random Media, (Academic Press, New York 1978)

[42]В.С. Розенберг: Оптика тонкопленочных покрытий, (Ленинград 1956)

[43]А.М. Jeltikov: Оптика микроструктурированных волокон, (Наука, Москва 2004)

[44]Photonic Band Gap Materials Ed. C. M. Soukoulis, (Kluwer Academic Publishers, The Netherlands 1996)

[45]Photonic Crystals: Advances in design, Fabrication, and Characterization

Ed. K. Bush, S. Loelkes, R.B. Wehrspohn (Wiley-VCH Verlag 2004)

[46]Special issue Development and Applications of Materials Exhibiting Photonic Band Gaps Ed. C.M. Bowden, J.P. Dowling, H.O. Everitt: J. Opt. Soc. Amer. B 10, N. 2 (1993)

[47]Special issue Photonic Band Structures Ed G. Kurizki, J.W. Haus: J. Mod. Opt. 41, N. 2 (1994)

[48]Special issue Electromagnetic Crystal Structures: Design, Synthesis, and Applications Ed. A. Scherer et al: J. Lightwave Technol. 17, N. 11 (1999)

1. Фотонные кристаллы

45

[49]Special issue Photonic Bandgaps Ed. A. Bjarklev, A. Lavrinenko: J. Opt. A: Pure and Appl. Opt. 3, N. 6 (2001)

[50]Special issue Photonic Crystals, Mater. Res. Soc. Bull. August (2001)

[51]Special issue Photonic Crystals Ed. A.M. Zheltikov: Appl. Phys. B (2005) .

[52]Th.F. Krauss, R.M. De La Rue: Progr. Quant. Electron. 23, 51 (1999)

[53]А.М. Jeltikov: УФН 170, 1203 (2000)

[54]K. Busch, S.F. Mingaleev et al: J. Phys.: Cond. Matt. 15, R1233 (2003)

[55]V. Mizeikis, S. Juodkazis, A. Marcinkevicius, S. Matsuo, H. Misawa: J. Photochem. Photobiol. C: Photochemistry Reviews 2, 35 (2001)

[56]D.S. Wiersma, P. Bartolini, A. Lagendijk, R. Righini: Nature 390, 671 (1997)

[57]A.V. Lavrinenko, S.V. Zhukovsky, K.S. Sandomirskii, S.V. Gaponenko: Phys. Rev. E 65, 036621 (2002)

[58]M. Kohmoto, L.P. Kadanoff, C. Tang: Phys. Rev. Lett. 50, 1870 (1983)

[59]W. Gellerman, M. Kohmoto, B. Sutherland, P.C. Taylor: Phys. Rev. Lett. 72, 633 (1994)

[60]С.В. Жуковский, C.В. Гапоненко, А.В. Лавриненко: Изв. РАН, cер. физ. 68, 29 (2004)

[61]S.V. Zhukovsky, A.V. Lavrinenko, S.V. Gaponenko: Europhys. Lett. 66, 455 (2004)

[62]M. Srinivasarao: Chem. Rev. 99, 1935 (1999)

[63]A.R. Parker: J. Opt. A: Pure Appl. Opt. 2, R15 (2000)

[64]В.А. Николаев, Д.М. Харвуд, Н.И. Самсонов: Диатомовые водоросли раннего мела, (Наука, С.-Петербург 2001)

[65]D.B. Ameen, M.F. Bishop, T. McMullen: Biophys. Journ. 75, 2520 (1998)

[66]Т. Fuhrman, S. Lanwehr, M. El Rhabi-Kucki, M. Sumper: Appl. Phys. 78, 257 (2004)

[67]P. Pieranski: Contemp. Phys. 24, 25 (1983)

[68]R.C. Williams, K. Smith: Nature 45, 119 (1957)

[69]Н.Д. Денискина, Д.В. Калинин, Л.К. Казанцева: Благородные опалы, их синтез и генезис в природе, (Наука, Новосибирск 1988)

[70]P.I. Kuznetsov, V.A. Jytov, L.Yu. Zakharov et al: Phys. Stat. Solidi (b) 229, 171 (2002)

[71]В.А. Толмачев, Л.С. Границына, Е.Н. Власова, Б.З. Волчек, А.В. Нащекин, А.Д. Ременюк, Е.В. Астрова: ФТП 36, 998 (2002)

[72]Y. Fink, J.N. Winn, S. Fan et al: Science 282, 1679 (1998)

[73]D.N. Chigrin, A.V. Lavrinenko, D.A. Yarotsky, S.V. Gaponenko: Appl. Phys. A 68, 25 (1999)

[74]P.St.J. Russell, S. Tredwell, P.J. Roberts: Opt. Commun. 160, 66 (1999)

[75]S.A. Tikhomirov, V.V. Stankevich, M.V. Ermolenko, O.V. Buganov, S.V. Gaponenko, P.I. Kuznetsov, G.G. Yakushcheva: Appl. Phys. Lett. (2005)

[76]V. Parkhutik: Solid St. Electron. 43, 1121 (1999)

46С.В. Гапоненко

[77]Towards the First Silicon Laser Ed. L. Pavesi, S. Gaponenko, L. Dal Negro (Kluwer, Dortrecht 2003)

[78]S. Leonard, H. van Driel, K. Busch et al: Appl. Phys. Lett. 75, 3063 (1999)

[79]R.K. Lee, O.J. Painter, B. D’Urso, A. Scherer, A. Yariv: Appl. Phys. Lett. 74, 522 (1999)

[80]G.E. Thomson, G.C. Wood: Nature 290, 230 (1981)

[81]H. Masuda, H. Yamada, M. Satoh, H. Asoh, M. Nakao, T. Tamamura: Appl. Phys. Lett. 71, 2770 (1997)

[82]H. Asoh, K. Nishio, M. Nakao: J. Electrochem. Soc. 148, B152 (2001)

[83]A.A. Lutich, S.V. Gaponenko, N.V. Gaponenko, I.S. Molchan, V.A. Sokol, V. Parkhutik: NanoLetters 4, 1755 (2004)

[84]А.А. Лютич, И.С. Молчан, Н.В. Гапоненко: Опт. спектр. 97, 871 (2004)

[85]N.V. Gaponenko: Synthetic Met. 124, 125 (2001)

[86]Н.В. Гапоненко: Пленки, сформированные золь-гель методом на полупроводниках и в мезопористых матрицах, (Беларуская навука, Минск 2003)

[87]J. Martorell, N.M. Lawandy: Phys. Rev. Lett. 65, 1877 (1990)

[88]V.N. Astratov, V.N. Bogomolov, A.A. Kaplyanskii, S.M. Samoilovich, Yu.A. Vlasov: Il Nuovo Cimento 17, 1349 (1995)

[89]V.N. Bogomolov, S.V. Gaponenko, A.M. Kapitonov et al: Appl. Phys. A 63, 613 (1996)

[90]H. Miguez, F. Meseguer, C. Lopez, A. Mifsud, J. S. Moya, L. Vazquez: Langmuir 13, 6009 (1997)

[91]S.G. Romanov, A.V. Fokin, V.I. Alperovich, N.P. Johnson, R.M. De La Rue: Phys. Stat. Solidi (a) 164, 169 (1997)

[92]E.P. Petrov, V.N. Bogomolov, I.I. Kalosha, S.V. Gaponenko: Phys. Rev. Lett. 81, 77 (1998)

[93]V.N. Bogomolov, S.V. Gaponenko, I.N. Germanenko et al: Phys. Rev. E 55, 7619 (1997)

[94]A. Ponyavina, S. Kachan, N. Sil’vanovich: J. Opt. Soc. Am. B 21, 1866 (2004)

[95]Yu.A. Vlasov, M. Deutsch, D.J. Norris: Appl. Phys. Lett. 76, 1627 (2000)

[96]A.M. Kapitonov, N.V. Gaponenko, V.N. Bogomolov et al: Phys. Stat. Sol.

(a) 165, 119 (1998)

[97]J.E.G.J. Wijnhoven, W.L. Vos: Science 281, 802 (1998)

[98]Yu.A. Vlasov, X.-Z. Bo, J.C. Sturm, D.J. Norris: Nature 414, 289 (2001)

[99]D.A. Mazurenko, R. Kerst, J.I. Dijkhuis, A.V. Akimov et al: Phys. Rev. Lett. 91, 213903 (2003)

[100]V.Yu. Davydov, R.E. Dunin-Borkovski, V.G. Golubev, J.L. Hutchison et al: Semicond. Sci. Technol. 16, L5 (2001)

[101]K. Yoshino, Y. Shimoda, Y. Kawagishi: Appl. Phys. Lett. 75, 932 (1999)

[102]H.-S. Kitzerow, J.P. Reithmaier. Tunable Photonic Crystals using liquid crystals. In: Photonic Crystals: Advances in design, Fabrication, and

1. Фотонные кристаллы

47

Characterization, Еd. by K. Bush, S. Loelkes, R.B. Wehrspohn (Wiley-VCH Verlag 2004) pp 175-198

[103]V.G. Golubev, V.Yu. Davydov, N.F. Kartenko, D.A. Kurdyukov et al: Appl. Phys. Lett. 79, 2117 (2001)

[104]A. Zakhidov, R.H. Baughman, Z. Iqbal, C. Cui et al: Science 282, 897 (1998)

[105]Y. Xia, B. Gates, Y.Yin, Yu Lu: Adv. Mater. 12, 693 (2000)

[106]O. Toader, S. John, K. Busch: Opt. Expr. 8, 217 (2001)

[107]S. Noda, K. Tomoda, N. Yamamoto, A. Chutinan: Science 289, 604 (2000)

[108]M.J.A. de Dood: Emission of light in photoniс crystals. PhD Thesis, Amsterdam 2002

[109]D. Wang, V. Salgueirino-Maceira, L.M. Liz-Marzan, F. Caruzo: Adv. Mater. 14, 908 (2002)

[110]I. El-Kady, M.M. Sigalas, R. Biswas et al: Phys. Rev. B 62, 15299 (2000)

[111]S.V. Gaponenko: Optical Properties of Semiconductor Nanocrystals, (Cambridge University Press, Cambridge 1998)

[112]C.В. Гапоненко: Изв. РАН, cер. физ. 68, 116 (2004)

[113]S.M. Barnett, R. Loudon: Phys. Rev. Lett. 77, 2444 (1996)

[114]В.В. Климов, M. Дюклуа, В.С. Летохов: Квант. Электрон. 31, 569 (2001)

[115]W.L. Barnes: J. Modern Opt. 45, 661 (1998)

[116]S.V. Gaponenko, V.N. Bogomolov, E.P. Petrov, A.M. Kapitonov et al:

J.Lightwave Technol. 17, 2128 (1999)

[117]С.Я. Килин, Д.С. Могилевцев: Опт. спектр. 74, 974 (1993)

[118]T. Yamasaki, and T. Tsutsui: Appl. Phys. Lett. 72, 1957 (1998)

[119]K. Yoshino, S.B. Lee, S. Tatsuhara, Y. Kawagishi et al: Appl. Phys. Lett. 73, 3506 (1998)

[120]C. Lopez, A. Blanco, H. Migues, F. Meseguer: Optic. Mater. 13, 187 (1999)

[121]M. Megens, J.E.G.J. Wijnhoven, A. Lagendijk, W.L. Vos: Phys. Rev. A 59, 4727 (1999)

[122]Y. Yang, S.-Y. Zhu: Phys. Rev. A 62, 013805 (2000)

[123]Zh.-Y. Li, L.-L. Lin, Zh.-Q. Zhang: Phys. Rev. Lett. 84, 4341 (2000)

[124]Zh.-Y. Li, Zh-Q. Zhang: Phys. Rev. B 63, 125106 (2001)

[125]Xue-Hua Wang, R. Wang, B.-Y. Gu, G.-Zh. Yang: Phys. Rev. Lett. 88, 093902 (2002)

[126]С.В. Гапоненко: ФТП 30, 577 (1996)

[127]S.V. Gaponenko, A.M. Kapitonov, V.N. Bogomolov, A.V. Prokofiev et al: Письма в ЖЭТФ 68, 142 (1998)

[128]S.G. Romanov, D.N. Chigrin, V.G. Solovyev et al: Phys. Rev. E 69, 046606 (2004)

[129]E.P. Petrov, D.A. Ksenzov, T.A. Pavich, A.A. Gur’yanov et al: In:

Physics, Chemistry and Applications of Nanostructures, ed by V. Borisenko,

S.Gaponenko, V. Gurin (World Scientific, Singapore, 2003)

[130]Н.В. Гапоненко, И.С. Молчан, С.В. Гапоненко et al: ЖПС 70, 57 (2003)

[131]C.M. Cornelius, J.P. Dowling: Phys. Rev. A 59, 4736 (1999)

48 С.В. Гапоненко

[132]J.M. Gee, J.B. Moreno, Sh.-Yu Lin, J.G. Fleming: In: Proc. 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, (New Orleans, LA, 20-25 May 2002)

[133]М.М. Сущинский: Комбинационное рассеяние света молекулами и кристаллами, (Наука, Москва 1969)

[134]R. Turn, W. Kiefer: J. Raman Spectrosc. 15, 411 (1984)

[135]S.V. Gaponenko: Phys. Rev. B 65, 140303 (2002)

[136]В.С. Зуев, А.В. Францессон: Опт. cпектр. 93, 117 (2002)

[137]С.В. Гапоненко, A.A. Гайдук, О.С. Кулакович, С.А. Маскевич и др.: Письма в ЖЭТФ 74, 343 (2001)

[138]I. Gryczynski, J. Malicka, Z. Gryczynski, J. R. Lakowicz: J. Phys. Chem. B 108, 12568 (2004)

[139]В.Б. Берестецкий, Е.М. Лифшиц, Л.П. Питаевский: Квантовая электродинамика, (Наука, Москва 2001)