Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Оптика наноструктур_ГОИ_326с_2005.pdf
Скачиваний:
497
Добавлен:
24.03.2015
Размер:
7.11 Mб
Скачать

1. Фотонные кристаллы

19

а затем уменьшается до нуля при увеличении f до 0.7. Для решетки типа алмаза, построенной из воздушных шаров в диэлектрике с ndiel=nair = 3:6 запрещенная зона возникает при f = 0:35, достигает своего максимального значения !=! = 0:28 при f = 0:8, а затем уменьшается при дальнейшем росте f . В связи с обсуждением роли объемной доли заполнения полезно привести значения f для различных плотных упаковок шаров: f = 0:52 для простой кубической решетки, 0.68 – для объемноцентрированной кубической решетки и 0.72 – для гранецентрированной кубической решетки [11].

Примеры рассчитанных зонных структур для решеток типа алмаза, обладающих запрещенной зоной во всех направлениях, представлены на рис. 1.14.

X U

L

Γ

X

W K

0.6

 

 

 

0.6

0.4

 

 

 

0.4

0.2

 

 

 

0.2

0

 

 

 

0

0.6

 

 

 

0.6

0.4

 

 

 

0.4

0.2

 

 

 

0.2

0

 

Γ

 

0

X U

L

X

W K

Рис. 1.14. Зонные структуры решетки типа алмаза, состоящей из шаров оксида кремния (" = 2:1) в кремнии (" = 12) (вверху) и воздушных сфер в кремнии (внизу). Нижняя решетка получена из верхней удалением оксида кремния. Объемный фактор заполнения для кремния составляет 0.5 [27].

1.1.3.Фотонное твердое тело: распространение и локализация электромагнитных волн в условиях сильного многократного рассеяния

В последние десятилетия стремительно сформировалось и развилось крупное направление в оптике и оптической технике, связанное с систематическим переносом представлений о свойствах волн из квантовой теории твердого тела в классическую электромагнитную теорию распространения волн. Рассмотренные в разделе 1.1.2 периодические диэлектрические среды получили название “фотонные кристаллы”. В общем плане поиск существующих и синтез новых

20 С.В. Гапоненко

конденсированных сред с сильным многократным рассеянием и интерференцией волн, анализ условий распространения волн в таких средах и экспериментальное исследование их оптических свойств можно охарактеризовать термином “физика фотонного твердого тела”. Интересно кратко проследить историю зарождения этого направления.

В1972 г. Быков опубликовал работу [28], в которой он, развивая идею Перселла [29] об изменении вероятности спонтанных переходов в резонаторах вследствие изменения плотности электромагнитных мод (фотонных состояний), предсказал принципиальную возможность полного подавления спонтанного распада возбужденных атомов в периодических диэлектриках. Позднее в своей книге [30] он указал на возможность создания таких структур путем плотной упаковки коллоидных диэлектрических частиц. В 1987 г. Яблонович [31] выдвинул идею создания искусственных периодических сред

сполным подавлением спонтанного испускания, что позволило бы, в принципе, создавать беспороговые лазеры. Как известно, пороговая мощность накачки и пороговый ток, необходимые для возникновения генерации в лазерах, определяются потерями в резонаторе и спонтанными переходами в активной среде. В 1989 г. он с сотрудниками экспериментально получил запрещенную зону для всех направлений в трехмерной диэлектрической ГЦК решетке в миллиметровом диапазоне электромагнитных волн [32].

Вэтот же период Джон [33] перенес в оптику и электромагнетизм идею Андерсона [34] о локализации электронов на флуктуациях трехмерного потенциала, затем они сформулировали проблему локализации классических волн в сильнонеоднородных средах с многократным рассеянием [35, 36]. Параллельно в начале 80-х годов прошлого века теоретические работы по интерпретации проводимости неупорядоченных сред на основе квантовой интерференции электронов в узлах петлевых траекторий [37] (так называемая слабая локализация электронов) инициировали поиски оптического аналога этого явления – обратного когерентного рассеяния света. Последнее было успешно зарегистрировано в 1985 г. [38, 39].

Среди предвестников теории фотонных кристаллов необходимо упомянуть работу Отаки [40], предложившего метод расчета дисперсионного соотношения для регулярных массивов диэлектрических шаров, а также планомерное развитие теории многократного рассеяния применительно к электромагнитным волнам в плотных дисперсных средах [41]. Интересно отметить, что, по-видимому, первым примером плодотворного применения решений уравнения Шредингера к анализу уравнений Максвелла, следует считать разработку в 40-х годах прошлого века в ГОИ им. С.И. Вавилова оптических просветляющих покрытий. Как отмечает Розенберг [42], эта идея возникла на основе аналогии оптической задачи с безотражательным прохождением квантовой частицы над потенциальным барьером определенной формы.

Предсказание сильных физических эффектов и важных практических приложений привело в стремительному развитию нового направления оптической науки и техники, успехи и достижения в этой области обсуждаются в

1. Фотонные кристаллы

21

книгах [19, 20, 4345], спецвыпусках журналов [4651], обзорах [5255]. Два принципиальных эффекта, с предсказания которых началось развитие нового направления, до настоящего времени надежно не зарегистрированы: замораживание спонтанного распада возбужденных квантовых систем и локализация электромагнитных волн [56] продолжают оставаться интригующей проблемой для экспериментаторов. Тем не менее, теория и практика фотонных твердых тел к настоящему времени развились настолько, что можно уверенно предсказывать проникновение фотонных твердых тел в области оптоэлектроники и оптической связи в ближайшем будущем.

В заключение этого раздела приведем сравнение свойств электронов и электромагнитных волн в среде со сложным профилем потенциала или показателя преломления (табл. 1.3).

Таблица 1.3. Аналогия свойств электронов и электромагнитных (ЭМ) волн при распространении в сложных средах

Профиль потенциала/

Электрон

ЭМ волна

показателя преломления

 

 

 

 

 

 

Полубесконечный барьер Отражение/прохождение

Отражение/прохождение

 

 

 

Яма конечной ширины

Отражение/прохождение

Отражение/прохождение

 

над ямой

над ямой (моды Фабри–Пе-

 

 

ро в воздушном зазоре меж-

 

 

ду двумя диэлектриками)

 

 

 

Барьер конечной шири-

Отражение/прохождение

Отражение/прохождение

ны

над барьером

над барьером (моды

 

 

Фабри–Перо тонких ди-

 

 

электрических пластинок)

 

Туннелирование под

Туннелирование под барье-

 

барьером

ром (прозрачность тонких

 

 

металлических пленок)

 

 

Последовательность

Многократное расщеплеМногократное расщепление

одинаковых барьеров/ям

ние стационарных

резонансных полос

 

уровней энергии

пропускания в связанных

 

 

микрорезонаторах [57]

 

 

 

Одиночная яма между

Резонансное

Прозрачность интерфе-

двумя барьерами

туннелирование

рометров Фабри-Перо

 

 

– оптическое резонанс-

 

 

ное туннелирование

 

 

 

Периодический потен-

Энергетические зоны,

Частотные полосы

циал

разделенные запрещен-

пропускания, разделенные

 

ными зонами

полосами отражения