Резонансний підсилювач з каскодним увімкненням транзисторів

Каскодне увімкнення транзисторів у схемі резонансного підсилювача дає деякі переваги порівняно з розглянутими вище схемами:

1 ) Вихідний опір транзисторів, увімкнених за каскодною схемою, ^-1 буває набагато більший, ніж вихідний опір окремого транзистора увімкненого за схемою СЕ. Тим самим транзистор меншою мірою шунтує контур та погіршує коефіцієнт підсилення і вибірковість каскаду.

2 ) Параметр внутрішнього зворотного зв’язку у каскодному увімкнені транзисторів дорівнює, що набагато менше ніж у окремого транзистора, Тим самим усувається небезпека самозбудження підсилювача через його внутрішній зворотний зв’язок.

Тому каскодне увімкнення транзисторів охоче застосовується у багатокаскадних резонансних підсилювачах.

Домашнє завдання 9.3. Для резонансного підсилювача, транзистори якого увімкнені за каскодною схемою, підрахувати ko - коефіціент підсилення у резонансі та k(f) -коефіцієнт підсилення при розстроюванні контуру на .

Усі дані про параметри транзистора та контуру взяти з умов попередніх задач.

Коефіцієнт підсилення у резонансі підраховується за звичайною формулою

у якій фігурують H - параметри для каскодної схеми : H₁₁=h_11e ; H₂₁=h_21e ;H₂₂=h_22b , де відповідає “чистому” контуру . Оскільки звичайно добуток H₂₂ <<1 (перевірити!), то можна вважати, що

При розстройці на f модуль еквівалентного опору контуру дорівнюватиме

,

де ; -резонансна частота контуру, Q - добротність “чистого” контуру. Отже

9