- •7. Частотні властивості підсилювачів на біполярних транзисторах
- •7.1. Частотні властивості біполярного транзистора
- •7.2. Еквівалентна схема підсилювача на біполярному транзисторі в області високих частот
- •7.3. Амплітудно-частотна характеристика підсилювального каскаду
- •8. Підсилювачі постійної напруги (підсилювачі постійної напруги і струму, диференціальні підсилювачі, операційні підсилювачі)
- •8.1. Каскад підсилювача постійної напруги(зі зсувом рівня вихідної напруги)
- •8.2. Струмове дзеркало
- •8.3. Диференціальний підсилювач
- •8.4. Операційний підсилювач (оп)
- •9. Резонансний підсилювач
- •9.1. Резонансний підсилювач (з безпосереднім увімкненням контуру)
- •9.2. Резонансний підсилювач з автотрансформаторним увімкненням контуру
- •Резонансний підсилювач з каскодним увімкненням транзисторів
9. Резонансний підсилювач
9.1. Резонансний підсилювач (з безпосереднім увімкненням контуру)

перемалюйте схему каскаду резонансного підсилювача з безпосереднім увімкненням коливного контуру до транзистора;
напишіть основні формули, що характеризують коливний контур:
- резонансну частоту контуру;
-хвильовий опір контуру;
- добротність контуру;
- еквівалентний опір контуру у резонансі;
- смугу пропускання контуру.
чому дорівнюватиме коефіцієнт підсилення цього каскаду на резонансній частоті?
як впливає шунтуюча дія вихідної провідності транзистора на добротність і вибірковість резонансного підсилювача?
Розрахувати
вплив шунтуючої дії
на добротність
контуру можна вважаючи, що вихідний
опір транзистора
увімкнений паралельно до
контуру і, отже, тепер ефективний
еквівалентний опір контуру буде
.
Звідси можна обчислити за відомою формулою ефективну добротність зашунтованого контуру як

Відповідно смуга
пропускання контуру, яка і обумовлює
його вибірковість, буде тепер
,
де
- резонансна частота контуру.
Домашнє завдання 9.1. Для зображеної вище схеми каскаду резонансного підсилювача розрахувати коефіцієнт підсилення на резонансній частоті, ефективну добротність і смугу пропускання.
9.2. Резонансний підсилювач з автотрансформаторним увімкненням контуру

Зменшити ефект
від шунтування можна підключаючи
транзистор лише до частини індуктивності
контуру (тобто автотрансформаторно),
до деякої проміжної точки
.
Тоді увесь контур буде зашунтований
не вихідним опором транзистора
,
а перерахованим опором
,
де
- коефіцієнт трансформації, а
та
- індуктивності між відповідними точками.
Тепер ефективний еквівалентний опір
контуру дорівнюватиме
,
і величина його добротності знизиться
меншою мірою, ніж у попередній задачі.
Положення точки
слід обирати з умови узгодження вихідного
опору транзистора
з еквівалентним опором контуру між
точками
і
:

При такому оптимальному узгодженні транзистор буде віддавати у контур найбільшу потужність, і вихідний сигнал (тобто і коефіцієнт підсилення) буде найбільшим.
Домашнє
завдання 9.2.
Розрахувати оптимальне значення
індуктивності зв’язку
,
оптимальний коефіцієнт підсилення
каскаду і смугу його пропускання.
Одержані результати порівняти з
результатами, одержаними у попередній
задачі.
Використовувати при цьому дані про контур і транзистор з умов задачі 9.1.
Вказівки: задачу 9.2 слід розв’язувати у такій послідовності:
1 ) з умови оптимального узгодження
знайти оптимальне значення
і
з нього одержати величину
;
2 ) з умови
оптимального узгодження знайти
“внутрішній” коефіцієнт підсилення
у
точці
,
вважаючи, що транзистор навантажено
на еквівалентний опір
;
3 )
“зовнішній” коефіцієнт підсилення
(
у точці
,
тобто на виході каскаду) дорівнює
(бо індуктивність діє як підвищуючий
трансформатор);
4 ) ефективну добротність і відповідну смугу пропускання можна одержати як
.
Дати фізичне пояснення , чому добротність зменшується вдвічі.
