Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Башкирский Государственный Аграрный Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

Энергетическое разрешение интегрированного с антенной терагерцового NbN микроболометра на горячих электронах. Монография

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

08.09.2026

Размер:

2 Мб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 23 / 83 4 5 6 7 8 > Следующая >>>

1.2 Болометр íà эффекте ýлектронного

разогрева êàê смеситель

Физикà работы смесителей íà основе болометров íà эффекте электрон- íîãî разогрев â óëüтратонких пленкàõ NbN ранее ïîдробно исследова- ëàñü, íàчиная ñ пионерских работ сотруäíèêîâ Ìîñêîâñêîãî педагоги- ÷åñêîãî ãîñóдарственного университетà [62]. Ýòîé æå íàучной проблеме áûëè посвящены ðаботы многих других исследователей èç ведущих ìè- ровых лабораторий, òàêèõ êàê Ãерманский центр авиации è êосмонав- òèêè [63], Ãàðâàðä - Смитсоновский центр астрофизики [64], Лаборато- ðèÿ физическîé электроники Òåõíè÷åñêîãî университетà Чалмерса [65], Нидерландский институт êосмических исследований [66], Обсерватория Пурпурной ãîðû Êèòàéñêîé àêадемии íàóê [67], Институт нанонàóêè Кавли Òехнологическîãî университетà Делфтà [68] è äð.

Исследованию смесителей íà основе электронно - разогревных áîëî- метров ïосвящåíû òàêæå работы многих сотруäíèêîâ êоллектива Ó÷åá- íî - íàучного радиофизическîãî центра ÌÏÃÓ. Â частности, ðàáîòà [69] посвящена исследованию шумовой температуры квазиоптических ýëåê- тронно - разогревных смесителей субмиллиметрового диапазона ñ ôî- нонным êаналом îхлаждения, изготовленных èç пленок NbN толщиной 2 - 4 íì ñ использованием ïîäñëîÿ MgO толщиной 200 íì, à òàêæå èñ- следованию влияния эффектà ïðямого детектирования â ýêспериментàõ ïî измерению шумовой òåмператóðû приемникîâ. Â работе [70] иссле- дованы шумовые õарактеристики NbTiN смесителя ñ ïîдслоем MgO íà частоте 2,5 ÒÃö, измерены время энергетичåñêîé релаксации è êоэффи- циент диффузии â óëüтратонких NbTiN ïë¼íêàõ, нанесенных íà различ- íûå ïîäëîæêè (кремний, сапфир è кремний ñ ïîдслоем MgO), à òàêæå исследован супергетеродинный ïðè¼ìíèê íà частоту 30 ÒÃö íà îñíî- âå электронно - разогревного безантенного NbN смесителя. Ðàáîòà [71] посвящена исследованию полосы преобразования NbN смесителя íà ýô- фекте электроннîãî разогрева ñ диффузионным êаналом îхлаждения è получено åå çíàчение 6.5 ÃÃö ïðè критическîé температуре, à òàê- æå исследована система êомпенсации влияния íåñòабильности мощно- ñòè излучения гетероäèíà íà рабочую точку смесителя íà âîëüò - àì- перной õарактеристикå путем êонтролируемого введениÿ ÑÂ× ìощности îдновременно ñ излучением гетероäèíà. Â работе [72] представлены ðå- çóëüòàòû исследования зависимости времени энергетическîé релаксации

электронной ïîдсистемы ñìесителåé íà основе пленки NbZr îò åå толщи- íû, à òàêæå представлен теоретический расчет полосы преобразования квазиоптических NbN электронно - разогревных смесителей ñ помощüþ ìîäåëè íåîднородного электронного разогрева.

Известно, ÷òî ключевыми параметрами, îïðåäåëяющими чувстви- тельность смесителей, à çíà÷èò è спектр íàó÷íî - исследовательских проблем, êоторые могут áûòü решены ñ èõ использованием, являютсÿ шумовая температура è полоса преобразования. Основной практическîé çàäà÷åé, ñòîявшей перед исследователями íà ïðîòÿæåíèè последних ëåò, являлось уменьшение шумовой температуры смесителя è увеличение åãî полосы преобразования, ïîñêольку ýòî важно êàê äëÿ спектральных èç- мерений, òàê è äëÿ измерений â широкîé âõîäíîé ïолосе. Ê примеру, полоса преобразования смесителей, êоторые áûëè использованы â òà- êèõ инструментàõ, êàê HI - FI, GREAT, CASIMIR ñîñòавляла ìåíåå 3,5 ÃÃö [73]. Â дальнейших работàõ ñ целью расширения полосы преобра- зования óлучшалось àêóстическîå ñîãласование ïë¼íêè ñâåðхпровоäíè- êà ñ ïîäëîæêîé. Данная проблема решалась путем ïîдбора материала è толщины буферного ñëîÿ, ÷òî позволило увеличить полосу преобразова- íèÿ квазиоптическîãî смесителя äî 4 ÃÃö [65]. Последующее уменьшение толщины ñâåðхпровоäíèêîâîé ïë¼íêè, à вместе ñ òåì è уменьшение âðå- ìåíè óõîäà неравновесных фононов â ïîäëîæêó, позволèëî расширить полосу преобразования äî 5,2 ÃÃö [74].

Другим важным параметром, определяющим частотный диапазон работы смесителя, являетсÿ òàê называемая шумовая полоса. Âåðõíÿÿ граница шумовой полосы определяетсÿ промежуточной частотой, ïðè êоторой шумовая температура приемникà óменьшаетсÿ â 2 ðàçà. Ýêñ- периментально óñòановлено, ÷òî äëÿ смесителей íà основе ýëåêтронно - разогревных болометров шумовая полоса обычно øèðå, ÷åì полоса ïðå- образования. Ê примеру, â работе [74] äëÿ смесителя ñ ïолосой преобра- зования 4,7 ÃÃö измеренное çíàчение шумовой полосы ñîñòавило 5,6 ÃÃö. Знание шумовой полосы важно, ïîñêольку фактически именно îíà îïðå- деляет рабочий диапазон ïðè¼ìíèêà, òàê êàê изменения êоэффициентà преобразования могут áûòü ëåãêî выровнены современными способами цифровой обработки сигналîâ [75].

Широкî известно òàêæå, ÷òî êàчество êîíòактов имеет ðåøàþùåå çíàчение äëÿ óìåíüøåíèÿ шумовой температуры смесителя. Òàê, чисткà ñâåðхпровоäíèêîâîé пленки перед нанесением ñëîÿ ìåòàëëà äëÿ форми-

рования êîíòактов â процессе изготовления смесителя, à òàêæå использо- вание дополнительного буферного ñëîÿ ñâåðхпровоäíèêà, óменьшающего влияние эффектà близости, ïîçâолило óлучшить шумовую температуру смесителя â 2 ðàçà äî çíàчения 950 Ê íà частоте гетероäèíà 2,5 ÒÃö [68]. Логичным развитием ýòîé èäåè ñòàëî нанесение ñëîÿ ìåòàëëà сразу ïî- ñëå процесса осаждения пленки ñâåðхпровоäíèêà â едином технологиче- ñêîì процессе áåç разрыва вакуума (

in situ

), ÷òî ãарантировало отсут- ствие паразитных окислов íà поверхности ñâåðõïðîâîäíèêîâîé пленки è óлучшения êîíòàêòà между ñâåðхпровоäíèêîì è нормальным ìåòаллом. Ýòè óлучшения позволили существенно расшириòü полосу преобразова- íèÿ смесителя äî 6,5 ÃÃö (вблизи критическîé температуры) è получить çíàчение шумовой температуры 600 Ê íà частоте гетероäèíà 2,5 ÒÃö [76].

1.3 Электронно - разогревной болометр êàê

ïðÿìîé äåòåêòîð

Â настоÿùåå время описанные â ïðедыдущåé ãëàâå ðåçóëüòàòû, êасающи- åñÿ исследований физики работы электронно - разогревного болометра â режиме смесителя, являютсÿ õорошо известными è общепринятыми. Вместе ñ òåì, недостаточное внимание óделялось исследованию данных болометров, работающих â режиме ïðямого детектирования, â особенно- ñòè быстродействующим.

Известно, ÷òî основными õарактеристикàìè ïðÿìûõ детекторов ÿâ- ляютсÿ èõ чувствительность è постоянная времени. Ïðè ýòîì îáà ýòèõ параметра íàõîäÿòñÿ â обратной зависимости äðóã îò äðóãà. Â основном îíè определяютсÿ термоизоляционными свойствами болометра, à òàêæå óñëовиями åãî работы. Традиционно болометры относÿò ê òèïó доволь- íî медленных приемникîâ излучениÿ. Ïðè ýòîì èõ чувствительность ìîæåò достигàòü предельнî äîïóстимых çíàчений. Ê примеру, â ðàáî- òå [35] представлены óëüòðàчувствительные Ti болометры, работающие â режиме электронного разогрева ïðè температуре îêîëî 360 ìÊ, ñ ýêâè- валентной мощностью ùóìà

3 ×10

−19

Âò·Ãö

−0,5

. Детекторы íà границе перехîäà òàêæå работающие ïðè субмилликульвиновых температурах ñî столь æå высокими чувствительностÿìè, соответствующими эквивалент- íîé ìощности øóìà

2 × 10

−18

Âò·Ãö

−0,5

, представлены â работе [77]. Â работе [41] представлены ñâåðхпровоäíèêîâûå наноболометры íà эффек- òå электронíîãî разогрева, дизайн êоторых препятствовал обмену ýíåð-

ãèåé между разогретыми электронами è êîíòàêòàìè çà ñ÷åò блокировки диффузионного êанала îхлаждения è эмиссии фотонов. Ýòî позволило достичь эквивалентной мощности ùóìà детектора

9 × 10

−21

Âò·Ãö

−0,5

Òàêîé беспрецедентный уровень чувствительности открывает возмоæ- ность использования данных óстройств äëÿ детектирования îдиночных фотонов терагерцового излучения.

Ïðè ýòîì следуåò отметить, ÷òî описанные âûøå болометры, îáëà- дающие столь высокîé чувствительностью, являютсÿ чрезвычайно ìåä- ленными приборами. Äëÿ решения обратнîé çàäà÷è получения быстро- действующего болометра íåîáõîäèìî эффективно îòâîäèòü тепло, êîòî- ðîå выделяетсÿ â åãî чувствительном элементе ïîä действием ïàäающегî излучения. Данный ïîäõîä реализован â работе [38] çà ñ÷åò использова- íèÿ ñâåðхпровоäíèêà Nb â êàчества материала чувствительного элементà болометра. Описанный â работе болометр íà âèñÿ÷åì мостикå õарактери- çóåòñÿ эквивалентной мощность øóìà

1, 4 ×10

−14

Âò·Ãö

−0,5

, íî ïðè ýòîì

обладает внутренней постоянной времени ïîðÿäêà 0,9 ìêñ è íå требу-

åò îхлаждения äî субмилликельвиновых температур, à работàåò вблизи температуры кипения æèäêîãî гелия, ÷òî íà ïîðÿäêè ñíèæàåò стоимость используемого криогенного оборудования.

Ñ точки зрения повышения рабочих температур весьма перспек- тивным êàæåòñÿ использование высокотемпературных ñâåðхпровоäíè- êîâ. Òàêèå интегрированные ñ àíтенной высокотемпературные микро- болометры íà âèñÿ÷èõ мостикàõ ñ эквивалентной мощностью øóìà

9 × 10

−12

Âò·Ãö

−0,5

è рабочей температурой 87,4 Ê представлены â ðà- áîòå [78]. Однакî, основной проблемой, связанной ñ использованием âû- ñîêотемпературных ñâåðхпровоäíèêîâ â êàчестве материала болометров, являетсÿ òî, ÷òî òàê называемый тепловой (äæонсоновский) øóì è øóì термодинамических флуктуàöèé существенно возрастàþò ñ перехîäîì ê более высокиì рабочим температурам, ÷òî îêазывает существенное âëè- ÿíèå íà чувствительность болометров íà основе высокотемпературных ñâåðхпровоäíèêîâ.

Â данной монографии представлены ðåçóëüòàòû исследования áûñò- ðîãî è чувствительного интегрированного ñ планарной антенной ïðÿìî- ãî детектора терагерцового излучения íà основе NbN болометра íà ýô- фекте электронного разогрева, работающего ïðè температуре 9,0 Ê. Èç- меренное çíàчение эквивалентной мощности øóìà детекторà ñîñòавило

2, 0 × 10

−13

Âò·Ãö

−0,5

[39]. Полученное èç измерений полосы преобра-

зования болометра ïðè критическîé температуре çíàчение внутренней постоянной времени детектора ñîñòавило 35 ïñ [76]. Â ðàìêàõ исследо- вания впервые â ïðÿìîì ýêсперименте áûëî измерено энергетическîå разрешение детектора, êоторое ñîñòавило 3 àÄæ.

Ãëàâà 2. Òехнология изготовления терагерцовых детекторов íà эффекте электронного разогрева, интегрированíûõ â планарную ëîãарифмическую спиральную антенну

Â ãëàâå 2 представлено описание технологии изготовления использован- íûõ â работе болометров, à òàêæå êонтроля êàчества изготавливаемых образцов детекторов.

2.1 Обзор современных технологий èçãî-

товления микро - è наноразмерных óстройств

Прежде ÷åì перейти ê описанию технологии изготовления детекторов, îõарактеризуåì краткî основные задействованные технологические ïðî- цессы. Среди íèõ выделим реактиâíîå магнетронное распыление, òåð- мическîå испарение, электронно - лучевое испарение, фотолитографию, электронную литографию, отжиг, ионное è æèäêостное травление.

2.1.1 Напыление ïëåíîê: íåãативное магнетронное

распыление è термическîå испарение

Ïðè изготовлении детекторов использовались äâå основные техники íà- пыления пленок: реактивное магнетронное распыление [79, 80] è терми- ÷åñêîå испарение. Принцип магнетронного распылениÿ основан íà îá- разовании íàä поверхностью êàòîäà (òàê называемой мишени, изготов- ленной èç напыляемого материала) êольцеобразной плазмы â ðåçóëüòàòå столкновения электронов ñ молекуëàìè ãàçà (÷àùå всего Ar). Äëÿ эффек- тивной ионизации Ar, распыляемый материал размещают íà магните. Â ðåçóëüòàòå эмиссионные электроны, вращающиесÿ вокруг магнитных ñè- ловых ëèíèé, ëîêализуютсÿ â пространстве è многократно ñòалкивают-

ñÿ ñ атомами Ar, превращая èõ â èîíû. Èîíû, образующиесÿ â ðàçðÿäå, óñêîðÿþòñÿ â направлении êàòîäà, бомбардируют åãî поверхность, âû- бивая частицы материала, êоторые потом осаждаютсÿ íà поверхность ïîäëîæêè. Магнетронное распыление проводилось íà óñòановкå магне- тронного распыления íà постоянном òîêå Leybold Heraues Z400.

Ïðè термическîì испарении напыляемый материал разогреваетсÿ äî температуры, äîñòаточной äëÿ åãî испарения. Â зависимости îò ìå- õанизма разогрева íà разных ýòàïàõ изготовления детекторов áûëè èñ- пользованы äâå технологические óñòановки: ÂÓÏ - 5 (разогрев распыля- емого материала òîêîì) è Evatec BAK - 501 (электроннолучевое испаре- íèå, разогрев поверхности распыляемого материала осуществляетсÿ ëî- êально сфокусированным ïó÷êîì электронов). Â первом случае ñêорость напыления êонтролировалась ñ помощью величины разогревающего òî- êà, âî втором - варьированием интенсивности электронного ïó÷êà.

2.1.2 Фотолитография, электроннолучевая литогра-

ôèÿ è травление

Äëÿ формирования структуры ÷óвствитåëüíûõ детекторов использова- ëèñü òàêèå технологические процессы, êàê фотолитогрàôèÿ è электрон- нолучевая литография [81]. Â обоих случаях перед проведением процес- ñà поверхность íà специальной центрифуге покрывалась тонким слоем резистà, чувствительного ê óëüтрафиолетовому излучению (äëÿ фотоли- тографии) èëè ê высокоэнергетичåñêèì электронаì (äëÿ электроннолу- чевой литографии). Перед проведением процесса литографии структура ñ нанесенным резистом ïîдвергалась çàäóáëиванию â специальной ïå÷è.

Минимальный ðàçìåð структур, изготавливаемых ìåòîäîì фотоли- тографии, ñîñòавлял ïîðÿäêà 1 ìêì. Äëÿ формирования рисункà струк- òóðû проводилась засветкà (ýêñïонирование) фоторезистà óëüтрафиоле- товым излучением через специальный фотошаблон. Облученные участки фоторезистà изменяли ñâîþ ðастворимость äëÿ íåêоторых ïðîявителей, è èõ ìîæíî áûëî óдалить химическим способом (процесс ïðîявления). Освобожденные îò фоторезистà участки òîæå óдаляютсÿ, òàêèì îáразом формируåòñÿ требуåìàÿ структура (процесс травления). Минимальные размеры чувствительного элементà детектора ñîñòавляли îêîëî 100 íì. Поэтому äëÿ èõ изготовления íàðÿäó ñ фотолитографией áûëà òàêæå èñ- пользована электроннолучевая литография. Рисунок структуры íà ïî-

Ðèñ. 2.1.Фотографии детектора, интегрированного â планарную ëîãарифмическую

спиральную àíòåííó, полученные ñ помощью ñêанирующего электронного микроскî- ïà. Íà фотографии справа èçображåí собственно чувствительный элемеíò боломет- ðà. Íà рисункå снизу представлена вертикальная структура слоев детектора.

âåðхности электронного резистà â ýòîì случае формировалсÿ непосред- ственно ïó÷êîì высокоэнергетических электронов (энергия ïó÷êà ïîðÿä- êà 30 êýÂ), äâèæåíèå êоторого êонтролировалось ñ помощью программы, óñòановленной íà êомпьютере. Диаметр электронного ïó÷êà ñîñòавлял íåñêîëüêî äåñÿòêîâ нанометров, ÷òî позволило изготовить структуры, минимальные размеры êоторых ñîñòàâëÿëè 100 íì â плане.

Далее â зависимости îò çàäà÷è äëÿ формирования требуåìîé струк- òóðû использовалось травление (плазмохимическîå èëè æèäêостное) èëè òàê называемый

lift - o

процесс.

2.2 Òехнология изготовлениÿ îáðазцов äå-

текторов

Âåñü технологический маршрут изготовления образцов детекторов áûë îðãанизован íà áàçå технологическîãî сектора Учебно - íàучного радио- физическîãî центра Ìîñêîâñêîãî педагогическîãî ãîñóдарственного óíè- верситетà.

Сперва краткî опишем технологический маршрут изготовления áî- лометров. Â последующих ãлавах процесс изготовления áóäåò описан áî- ëåå äåòально. Изучаемые â работе детекторы изготавливались èç äâó-

слойной структуры NbN/Au, осажденной íà поверхность ïîäëîæêè èç высокоомного кремния. Ñëîé ñâåðхпровоäíèêà NbN наносиëñÿ â процес- ñå реактивного магнетронного осаждения íà постоянном òîêå â смеси ãàçîâ Ar/N2. Диаметр мишени Nb ñîñòавлял 3 дюйма. Ñêорость îñà- ждения ñîñòавляла 100 íì â секунду. Òемпература ïîäëîæêè â процессе осаждения ñîñòавляла ïîðÿäêà 800◦C. Ñëîé Au осаждалсÿ ïðè темпе- ратуре ïîäëîæêè 200◦C â òîì æå технологическîì цикле (áåç разрыва вакуума - кунду. Òолщина слоев NbN è Au ñîñòавлялà 4 íì è 20 íì соответственно. Äëÿ формирования чувствительного элементà длиной 0,2 ìêì è øèðèíîé 1,2 ìêì ñëîé золотà стравливалсÿ â îêíå èç электронного резистà посред- ством æèäêостного è плазмохимическîãî травления. Типичное çíàчение поверхностного сопротивления NbN пленки ïðè êомнатной температуре ñîñòавляло 500 Îì íà квадрат. Поэтому выбранное соотношение длины ê ширине чувствительного элементà обеспечивало приемлемое ñîãëàñî- вание ñ планарной àíтенной íà частоте излучения. Äëÿ ñîãласования ñ падающим излучением ìû используåì ëîãарифмическую спиральную антенну [17,83]. Íà ðèñ. 2.1 представлены фотографии чувствительного элементà детектора, полученные ñ помощью ñêанирующего электронного микроскîïà.

in situ

) [82]. Ñêорость осаждåíèÿ Au ñîñòавлялà 1,2 íì â ñå-

2.2.1 Магнетронное напыление äâóслойнîé ñòðóêòó-

ðû NbN/Au íà Si ïîäëîæêó

Первым ýòàïîì изготовления образцов детекторов áûëî формирование наноразмерных структур, состоÿùèõ èç äâóõ слоев NbN è Au (толщины 3,5 íì è 20 íì, соответственно). Данные структуры изготавливались íà ïîäëîæêàõ èç высокоомного (óдельное сопротивление îò 5 äî 20 êÎì·ñì) Si äâóсторонней ïîëèровки ñ ориентацией (100) è толщиной äî 410 ìêì. Ñëîé NbN наносилсÿ íà полированную поверхность Si ïîäëîæêè, нагре- òóþ äî температуры 830◦C, â процессе реактивного магнетронного ðàñ- пыления íà постоянном òîêå NbN мишени â атмосфере Ar (парциальное давление Ar â рабочåé êамере ñîñòавляла îêîëî

Ñ целью повышения точности êонтроля ñîäåðæàíèÿ N2â рабочей êамере, источник ïèòàíèÿ электрическîãî ðàçðÿäà работàë â режиме генератора òîêà. Ýòî позволило çíàчительно óлучшить êàчество èçãî- òавливаемых пленок ñâåðхпровоäíèêîâ. Причина состоит â òîì, ÷òî âñå

5 · 10−3ìáàð).

основные õарактеристики тонких ñâåðхпровоäíèêîâûõ пленок имеют ñó- щественную зависимость îò èõ стехиометрическîãî ñîñòàâà. Â ýòîé связи íåîáõîäèì строгий êонтроль ñîäåðæàíèÿ Nb è Au â приповерхностном ñëîå íàä Si ïîäëîæêîé â процессе изготовления ïëåíîê. Ñîäåðæàíèå Nb определяетсÿ парциальным давлением Ar â рабочей êамере, ìощностью ðàçðÿäà è ïðоцентной долей Nb â мишени. Ñîäåðæàíèå N2â ãазовой ñìå- ñè определяетсÿ ñêоростью åãî поступления â рабочую êамеру, à òàêæå интенсивностью åãî абсорбции распыленным Nb. Описанные процессы привоäÿò ê возникновению íåîднозначности âîëüò - амперной õаракте- ристики ãазового ðàçðÿäà, êоторую è óдаетсÿ ïðåîдолеть, åñëè â êàчестве рабочего режима источникà ïèòàíèÿ ãазового ðàçðÿäà выбрать режим генератора òîêà. Â ýòîì случае давление N2определяетсÿ èç изменения величины íàïðÿæåíèÿ ðàçðÿäà ïðè íàïóñêå ãàçà èç баллона â êамеру. Íàìè áûëà óñòановлена эмпирическàÿ зависимость критическîé темпе- ратуры получаемых ñâåðхпровоäíèêîâûõ пленок îò величины измене- íèÿ данного íàïðÿæåíèÿ. Â дальнейшем âñå пленки напылялиñü â òàêîì режиме, ÷òî получаемая критическàÿ температура пленоê îêазывалась наибольшей. Òàêîé ïîäõîä обеспечил высокую воспроизводимость ïðî- цесса напыления изготовляемых ñâåðхпровоäíèêîâûõ пленок.

Òàêæå áûëà óñòановлена зависимость критическîé температуры ïî- лучаемых ñâåðхпроводящих тонких пленок NbN îò температуры ïîä- ëîæêè, ïðè êоторой происõîäèëî íапыление. Áûëî óñòановлено, ÷òî îï- тимальной ñ òî÷êè зрения получения пленок ñ наибольшими çíà÷åíè- ÿìè критическîé температуры являетсÿ температура ïîäëîæêè â 750

- 850◦C. Ñêорость напыления определялась â тестовом êалибровочном процессе ïî времени осажденияτè толщине ïолученной пленкиD, èç- меренной профилометром - профилографом: процессах òîëùèíà изготавливаемых пленок êонтролировалась ïî âðå- ìåíè осаждения.

Вслед çà нанесением ñëîÿ NbN áåç ðàçðûâà вакуума ( довал процесс напыления ñëîÿ Au толщиной 20 íì [76]. Èñïîльзование технологии

in situ

позволило óлучшить омический êîíòàêò между ñëîÿ-

V = D/τ

. Â дальнейших

in situ

) ñëå-

ìè NbN è Au, ÷òî способствовало существенному повышению чувстви- тельности детектора. Кроме òîãî, ýòî òàêæå привело ê óлучшению åãî быстродействия çà ñ÷åò реализации îдновременно äâóõ êаналов îõëà- ждения ãîðÿ÷èõ электронов  фононного è диффузионного, î ÷åì áóäåò ïîдробно рассказано íèæå.

<<< < Предыдущая 1 23 / 83 4 5 6 7 8 > Следующая >>>

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]