Рис. 30. Усилитель 2
19.Структурная модель ПТ, её достоинства и недостатки.
20.Бесструктурная модель ПТ, её достоинства и недостатки.
21.Система S-параметров ПТ, физический смысл S-параметров.
22.Эквивалентная схема ПТ: линейная и нелинейная схемы.
23.Методы определения линейных и нелинейных параметров эквивалентной схемы ПТ.
24.Алгоритм расчета согласующих цепей ПТ.
Список литературы
1.Шалимова К. В. Физика полупроводников : учебник. 4-е изд., стер. СПб. ; М. ; Краснодар : Лань, 2010. 390 с.
2.Соколова Ж. М. Микроволновые приборы и устройства : учебное пособие. Томск : Том. гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, 2009. 272 с.
3.Корис Р., Шмидт-Вальтер Х. Справочник инженера-схемотехника. М. : Техносфера, 2008. 608 с.
4.Сечи Ф., Буджатти М. Мощные твердотельные СВЧ-усилители. М. : Техносфера, 2016. 416 с.
5.Усанов Д. А., Скрипаль А. В. Физика работы полупроводниковых приборов
всхемах СВЧ. Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 1999. 376 с.
6.Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления : пер. с англ. / под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. М. : Радио и связь, 1988. 496 с.
7.Данилин В. Н., Кушниренко А. И., Петров Г. В. Аналоговые полупровод-
никовые интегральные схемы СВЧ. М. : Радио и связь, 1985. 192 с.
8.Стеркин В. Б., Тяжлов В. С. GaAs СВЧ-усилители бегущей волны : Обзоры по электронной технике. Сер. 1. Электроника СВЧ. М. : ЦНИИ «Элек-
троника», 1988. Вып. 4 (1331). 43 с.
9.Микроэлектронные устройства СВЧ : учебное пособие для радиотехнических специальностей вузов / под ред. Г. И. Веселова. М. : Высш. шк., 1988. 280 с.
Оглавление
Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
3 |
|
1. |
Электрические параметры СВЧ-усилителей . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
4 |
2. |
Этапы проектирования твердотельных СВЧ-усилителей . . . . . . . . . . . |
8 |
3. |
Выбор активного элемента . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
8 |
4. |
Схемы построения усилителей . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
17 |
5. |
Модели транзистора . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
23 |
6. |
Методика расчета согласующих цепей . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
29 |
Заключение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
31 |
|
Вопросы для повторения и проверки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
32 |
|
С п и с о к л и т е р а т у р ы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
34 |
|
Учебное издание
Тяжлов Виталий Семенович, Посадский Виктор Николаевич
ПРОЕКТИРОВАНИЕ СВЧ-УСИЛИТЕЛЕЙ НА GaAs ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Учебно-методическое пособие для студентов факультета
нано- и биомедицинских технологий
Редактор Е. А. Митенёва
Технический редактор М. В. Садыкова
Корректор Е. А. Митенёва
Оригинал-макет подготовил И. А. Каргин
Подписано к использованию 09:12:2019. Формат 60 841=16.
Усл. печ. л. 2,09 (2,25). Объем данных 1 Мб.
Издательство Саратовского университета. 410012, Саратов, Астраханская, 83.