бинации. Составы систем с х = 0,65 используют для изготовления светодиодов, излучающих в оранжевой области спектра

(λмакс ≈ 635 нм), составы систем с х = 0,85 для СИД, излучающих в желтой области спектра (λмакс ≈ 580 нм). Из жидкофазных GaPструктур с выращенным p – n-переходом в основном изготавливают СИД, излучающие в зеленой области спектра (λмакс ≈ 580 нм ).

1.3.Приборы и материалы

1.3.1.Экспериментальные образцы

Исследование мощности излучения и КПД проводится на диодах, изготовленных на основе гетероструктур AlGaAs, InAlGaP, InAlGaN и GaP. Диоды представляют собой излучающие мезакристаллы размером 0,3 × 0,3 мм2, помещенные в стандартный металлопластмассовый корпус. В работе используются диоды, изготовленные из следующих материалов:

−AlGaAs, излучающий в красной области спектра

(λмакс ≈ 660 нм);

− InAlGaP, излучающий в желтой области спектра

(λмакс ≈ 592 нм);

−InAlGaN, излучающий в зеленой области спектра

(λмакс ≈ 520 нм);

− GaP, излучающий в желто-зеленой области спектра

(λмакс ≈ 565 нм);

1.3.2. Измерительное оборудование

Схема установки для измерения мощности излучения представлена на рис. 1.1. Электрический ток прямого направления подается на исследуемый диод 1 от источника тока 2. Величина мощности излучения и прямого падения напряжения на диоде регистрируются измерительными приборами: фотометром 4 и цифровым вольтметром 5.

8