Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике. Лабораторный практикум.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
12.08.2026
Размер:
1 Мб
Скачать

4.Установить переключатель 7 в положение 3.

5.Нажать клавишу "τ(2)" и снять показание коэффициента

пропускания Т(λмакс) в %.

6. Измерить T = f(λ) с интервалом Δλ = 5 нм в диапазоне

Т(λ) = Т(λмакс) ~ 0,3Т(λмакс) с обеих сторон от максимума пропускания.

5.5. Обработка результатов измерений

Построить график зависимости Т(λ), с его помощью определить величину Δλп.ш.. Рассчитать по формулам (5.1) и (5.2) значения R и А, используя измеренные значения Т(λмакс) и λмакс.

5.6. Требования к отчету

Отчет должен содержать:

описание принципа действия интерференционного фильтра на примере фильтра Фабри-Перо;

краткое описание принципа действия спектрофотометра;

структурную схему спектрофотометра;

результаты эксперимента в виде табл. 5.1 и графика зависимости T(λ);

результаты расчетов конструкционных параметров фильтра R и А.

 

 

 

 

Таблица 5.1

 

 

 

 

R

λ, нм

T

Δλп.ш., нм

A

 

 

 

 

 

5.7.Контрольные вопросы и задания

1.Расскажите принцип действия интерференционного фильт-

ра (ИФ).

2.Опишите технологию изготовления ИФ с многослойными диэлектрическими зеркалами.

3.Опишите принцип действия дифракционного монохрома-

тора.

4.Опишите принцип действия вакуумного фотоэлемента.

39

5.Как зависит спектральная чувствительность фотоэлемента от свойств материала фотокатода?

6.Опишите технологию изготовления ИФ с металлическими зеркалами.

7.Опишите технологию напыления Al, Ag, Au методом термического напыления в вакууме.

8.Опишите технологию напыления Al методом катодного распыления.

5.8.Литература

1.ЗиС. Физика полупроводниковых приборов. – М: Мир, 1985.

2.Борн М., Вольф Э. Основы оптики – М: Наука, 1973.

40

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]