Заключение

В ходе выполнения курсовой работы были рассмотрены свойства и применение InAs.

Для арсенида индия построена зависимость концентрации собственных носителей от температуры и зависимость положения уровня Ферми от температуры.

Список использованных источников

1. Г. Н. Виолина, Г. Ф. Глинский, В. И. Зубков – «Физика конденсированного состояния» - Санкт-Петербург Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 2013

2. Г. Н. Виолина, В. И. Зубков – «Физика полупроводников» - Санкт-Петербург Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 2017

3. https://psj.nsu.ru/departments/semic/semiconductors/InAs.html

4. https://www.cnshb.ru/AKDiL/0048/base/RI/050009.shtm

5.https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%90%D1%80%D1%81%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B4_%D0%B8%D0%BD%D0%B4%D0%B8%D1%8F

6. https://www.matprop.ru/InAs