Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Литература / Шишкин Г. Г. , Шишкин А. Г. Электроника 2009 (1)

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
05.06.2026
Размер:
30.97 Mб
Скачать

302

Раздел З. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ

Любой вакуумный электронный и газоразрядный прибор со­

стоит из системы электродов, предназначенных для управления

физическими процессами внутри баллона, отделяющего внеш­ нюю среду от рабочего внутреннего пространства прибора.

В каждом типе электровакуумных и газоразрядных приборов создаются свои специфические системы электродов. Однако во

всех типах электровакуумных и большинстве типов газоразряд­ ных приборов имеются: катоды - электроды, испускающие (эмнтн­

рующне) электроны, и аноды - электроды, собирающие (коллектн­ рующне) электроны. Для управления потоками заряженных частиц

во многих приборах используются уnравпяющне электроды, выпол­ ненные в виде сеток или профилированных пластин, и специаль­ цые электромагнитные элементы конструкции (катушки). Конст­ рукции электродов очень разнообразны и определяются назначе­ нием приборов и условиями их работы. В приборах отображения информации в наглядной (визуальной) форме (электронно-луче­

вые трубки - ЭЛТ, индикатор:Ьr и другие приборы) широко ис­

пользуются специальные конструктивные элементы - экраны, с

помощью которых энергия электронного потока или электриче­

ского поля преобразуется в оптическое излучение (свечение) тела.

Баллоны электровакуумных и газоразрядных приборов изго­ тавливаются самой разнообразной формы из стекла, металла,

керамики, а также из различных комби.наций этих материалов.

Выводы от электродов делаются через цоколь, торцевые и боко­ вые поверхности баллонов.

11.2. Основы эмиссионной электроники

Работа выхода. Чтобы сформировать поток свободных электро­ нов, перемещающихся в вакууме или газе под действием электри­

ческих и магнитных полей, необходимо обеспечить выход элект­ ронов из твердого тела (чаще всего металла, полупроводника). Ис­

пускание электронов твердым телом называется эмиссией и

осуществляется путем подведения к телу энергии от внешнего ис­

точника. Энергия, равная разности энергии Е0 электрона, покоя­ щегося в свободном пространстве на расстоянии, где силами, дей­

ствующими на электрон со стороны поверхности твердого тела,

можно пренебречь, и энергии ЕФ, соответствующей уровню элек­

трохимического потенциала системы электронов в твердом теле

(уровню Ферми, см. п. 1.1), т. е. А= Е0 - ЕФ, называется рабо-

Глава 11. Электровакуумные приборы с электростатическим управлением 303

той выхода (см. также п. 2.6). Работа выхода обычно выражает­

ся в электрон-вольтах (эВ).

Работа выхода электрона складывается в основном из работы по преодолению силы, действующей на электрон со стороны

двойного слоя, и силы зеркального отображения. Двойной электриче­

ский слой образуется вылетевшими с поверхности катода элект­

ронами и положительными ионами решетки материала катода,

эмитирующего (испускающего) электроны. Двойной слой обра­

зует тормозящее электрическое поле для электронов, вылетаю­

щих с поверхности катода. При удалении от поверхности тела

на электрон действует удерживающая кулоновская сила, воз­

никающая между удаляющимся электроном и наведенным в те­

ле катода зеркально расположенным положительным электри­

ческим зарядом (сила зеркального отображения). Работа выхо­ да большинства чистых металлов, используемых в качестве

катодов, лежит в интервале 1,8 (Cs) ... 5(Re) эВ.

Для уменьшения работы выхода на по;верхность металличе­

ской основы (керна) наносят вещество с меньшей работой выхо­

да, электроны которого переходят в керн. Вследствие этого на

поверхности катода появляются положительные ионы, которые

вместе с электронами, ушедшими в керн, формируют внутрен­

ний двойной электрический слой. Электрическое поле, созда­

ваемое этим слоем, ускоряет вылетающие электроны, т. е.

уменьшает работу выхода электроньв. Например, при нанесе­

нии одноатомного слоя бария на поверхность вольфрама (W) ра­

бота выхода уменьшается с 4,5 эВ (чистый W) до 1,56 эВ (акти­ вированный W).

В зависимости от вида энергии, подводимой :к веществу, раз­

личают термо-, фото-, вторичную и электростатическую электронные

эмиссии частиц.

Термоэлектронная эмиссия осуществляется за счет нагрева ве­

щества. С ростом температуры вещества увеличивается энер­

гия, получаемая электронами, и возрастает вероятность совер­

шения ими работы выхода и покидания металла.

Зависимость плотности тока термоэмиссии jе от температуры

тела (катода) Т определяется следующим выражением:

(11.1)

где А0 - константа, зависящая от материала катода; для различ­

ных веществ А0 = 10... 300 А/(см2 К2); k - постоянная Больцма­

на; Т - абсолютная температура.

304

Раздел З. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ

Электростатическая (автоэлектронная) эмиссия обусловлена силь­ ным электрическим полем, воздействующим на поверхность ка­ тода. При большом положительном относительно катода потенци­

але электрода, расположенного рядом с катодом, у поверхности

последнего происходит значительное уменьшение величины и

ширины энергетического барьера, который нужно преодолеть

электрону для выхода во внешнее пространство (в вакуум). В ре­

зультате при некоторой величине напряженности электрического

поля S может возникнуть значительный ток эмиссии за счет тун­

нельного перехода через барье.р электронов с поверхности катода во внешнее пространство. Это явление называется электростатиче­

ской (автоэлектронной) эмиссией. Напряженности электрических

полей, необходимые для этого вида эмиссии, должны достигать

значения порядка 106 В/см и более. Эта величина существенно

(примерно на два порядка) меньше напряженности rющ{ внутри

двойного слоя, задерживающего электроны, которые преодолева­

ют потенциальный барьер вследствие туннелирования.

Вторичная электронная эмиссия происходит при бомбардировке поверхности катода потоками быстрых заряженных частиц. Если используются электронные потоки, то отношение общего числа вторичных (выбитых с поверхности тела) электронов п2 к числу первичных (падающих на эту поверхность из электронного потока) электронов п1 называют коэффициентом вторичной эмиссии ,cr. Для большинства металлов и полупроводников максимальное значение cr ~ 1. У сложных соединений, включающих элементы с малой работой выхода, cr может достигать нескольких единиц.

Фотоэлектронная эмиссия обусловлена действием внешнего элек­ тромагнитного излучения, воздействующего на поверхность веще­

ства. Катод, использующий фотоэлектронную эмиссию, называет­

ся фотоэлектронным или фотокатодом. Механизм фотоэлектронной

эмиссии объясняется законами фотоэффекта А. Г. Столетова и уравнением А. Эйнштейна. Согласно закону Столетова, фототок

IФ пропорционален световому потоку Ф, облучающему тело:

(11.2)

Кинетическая энергия эмитированных электронов определя­

ется частотой v падающего света (или энергией фотонов hv) и в соответствии с законом Эйнштейна вычисляется из уравнения

mv2

(11.3)

2 = hv-Авых'

Глава 11. Электровакуумные приборы с электростатическим управлением 305

где h - постоянная Планка; Авых - работа выхода; v - ско­

рость эмитированных электронов.

Частота падающего света (v = vкр), при которой кинетическая

энергия электронов равна нулю (hvкp = Авых), называется порого­

вой частотой фотоэлекrронной эмиссии, соответствующей длинно­

волновой, или красной, границе внешнего фотоэффекта. По­ скольку различные вещества имеют различную работу выхода,

фотоэлектронная эмиссия для разных фотокатодов возникает

при характерной для данного вещества критической частоте vкр·

Чувствительность фотокатода оценивается отношением числа эмитированных электронов к числу падающих фотонов (кван­ товый выход).

Катоды электронных ламп. В большинстве электровакуумных приборов применяются термоэлекrронные катоды (термокатоды), использующие термоэмиссию. Наиболее распространены одно­

родные металлические, акrивированные металлические, полупровод­

никовые и металлополупроводннковые термокатоды. По способу на­

грева термокатоды делятся на прямонакальные и подогревные.

Прямонакальные катоды выполняются различной формы из

тонкой проволоки (или ленты), которую закрепляют в массив­

ных держателях, подсоединяемых к источнику тока накала. По­ доrревные катоды (косвенного канала) содержат изолированную

нить подогрева (подогреватель) и собственно катод, выполняе­

мый обычно в виде металлического цилиндра с активированной

внешней поверхностью. Прямонакальные катоды, как прави­

ло, запитываются постоянным током накала, а подогревные мо­

гут нагреваться и переменным.

Прямонакальные катоды из чистых металлов используются

относительно редко. Они применяются в электрометрических

мощных лампах и электронных лампах с высоким анодным на­

пряжением, так как являются наиболее стойкими к разруше­

нию под действием бомбардировки ионов, возникающих за счет ионизации остаточных газов в рабочем пространстве.

Акrивированные металлические катоды имеют достаточно много

конструктивных. модификаций. В любом из них поверхность вольфрама или молибдена активируется металлами с малой ра­

ботой выхода: барием, торием, стронцием и др. Для увеличения

активированной поверхности и, следовательно, тока эмиссии

поверхностные слои или весь катод изготавливаются: из порис-

306

Раздел 3. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПР11БОРЫ

того вольфрама; путем прессования или спекания порошков

окиси металла (никеля, вольфрама и др.) и карбонатов щелоч­ ноземельных металлов; путем нанесения гексаборида лантана или гексаборида бария на молибденовую или танталовую по­ дложку. Активированные металлические катоды применяются в самых разнообразных электронных приборах. Они обладают су­

щественно большей плотностью тока эмиссии (до 10 А/см2) и

имеют меньшую рабочую температуру (Траб ~ 1500... 1700 °С),

чем однородные металлические Ие < 1 А/см2 , траб > 2000 °С),

многие из них стойки к ионной бомбардировке, отравлению га­ зами, хорошо работают в сильных электрических полях.

Вполупроводниковых и металлополупроводниковых термокатодах

вкачестве эмитирующего слоя используются полупроводники.

Наибольшее распространение в электронных и газоразрядных приборах получил оксидный катод, представляющий собой нике­ левый или вольфрамовый керн с нанесенным полупроводнико­

вым слоем из смеси окислов бария, стронция и кальция. Хоро­ шими характеристиками обладают оксидно-бариевые и оксидно­ ториевые катоды, отличающиеся высокой стойкостью к ионной

бомбардировке и отравлению газами, восстановлением эмиссии

после отравления. Чисто оксидные катоды этими свойствами не обладают. Общим положительным свойством всех оксидных ка­ тодов является малая рабочая температура (Траб < 1000 °С), вы­

сокая эмиссионная способность, достигающая в импульсном ре­

жиме величины je ~ 150 А/см2

Для оценки свойств термокатодов используются следующие

параметры: плотность эмиссионного тока je; рабочая температура ка­

тода Траб; долговечность, или срок службы катода; эффективность катода Н. Последний параметр характеризует отношение то­ ка эмиссии je к мощности Рн' подводимой к катоду для его подо­

грева.

При;мерная эффективность катодов: однородных металличе­ ских - 5 ... 15 мА/Вт; активированных - 20 ... 70 мА/Вт; полу­ проводниковых - 80... 200 мА/Вт.

Фотокатоды чаще всего выполняются в виде тонкого светочувст­

вительного слоя металла с окисленной поверхностью, на которую

осаждена тонкая пленка цезия. Наиболее распространены кис­

лородно-цезиевые и сурьмяно-цезиевые фотокатоды, причем по­

следние обычно наносятся на тонкую никелевую пленку - по­

дложку.

Глава 11. Электровакуумные приборы с электростатическим управлением 307

11.З. Электронно-управляемые лампы

Электронные приборы осуществляют процесс преобразова- ния одного вида энергии, чаще всего электрической, в другой.

В электронно-управляемых лампах для управления электрон­

ным потоком используется различное количество электродов.

Некоторые из них являются проницаемыми для электронного

потока - их называют обычно сетками. Электронно-управляе­ мые лампы могут иметь два (диоды), три (триоды), четыре (тетро­

ды), пять (пентоды) и более электродов. Триоды содержат одну

сетку, тетроды - две, пентоды - три и т. д.

Диоды. В диоде, имеющем анод и катод, обычно потенциал

анода положителен относительно катода, поэтому электроны,

эмитированные катодом, перемещаются к аноду и создают ток,

равный I а во внешней замкнутой цепи. Этот ток называют анод­

ным. Если потенциал катода выше потенциала анода, то ток анода близок к нулю, т. е. диод

проводит ток в одном направлении.

Свойство односторонней проводимое-

ти используется для выпрямления

переменного тока и преобразования

ВЧ- и СВЧ-колебаний.

Величина анодного тока опреде­

ляется анодным напряжением Иа'

током эмиссии катода и рядом дру­

гих факторов. Эмитированные ка­

тодом (К) отрицательно заряжен­

ные частицы (электроны) формиру­

ют отрицательный объемный заряд,

создающий в пространстве между

катодом и анодом (А) в направле­ нии х (рис. 11.1, а, кривая 1) отри­

цательный потенциал. При поло­

жительных напряжениях Иа отри­

цательный потенциал, обусловлен­ ный объемным зарядом электронов (потенциальный барьер), может со­ храняться только вблизи катода (см. рис. 11.1, а, кривая 2). В этом

случае отрицательный . потенциал

(барьер) преодолевают только быст-

о

х

к

А

а)

Рис. 11.1

308 Раздел 3. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ

рые (энергичные) электроны, медленные задерживаются. Быстрые электроны, преодолевшие барьер, создают_анодный ток, который меньше тока эмиссии (11.1). При увеличении Иа потенциальный барьер у катода уменьшаете.я и сдвигаете.я к катоду; все больше

электронов преодолевают барьер, и анодный ток Ja увеличиваете.я.

В рассматриваемом случае величина тока Ja ограничена от­

рицательным барьером (потенциалом). Такой режим работы ди­

ода называете.я режимом ограничения тока объемным зарядом.

При некотором анодном потенциале Иа > Иа нас во всех точках

междуэлектродного пространства потенциал становите.я положи­

тельным относительно катода (см. рис. 11.1, а, кривая 3), т. е. по­ ложительный потенциал ~нода полностью компенсирует отрица­ тельный потенциал, формируемый объемным зарядом эмитиро­

ванных электронов. В этом случае все электроны, эмитированные

катодом в единицу времени, достигают анода и настуцает режим

насыщения.

Зависимость тока Ja ОТ напряжения иа (Ia = f(Ua)) при неиз­

менной температуре катода, которая поддерживается постоян­ ным напряжением нити канала Ин• нагревающей катод для

обеспечения термоэмиссии, называется анодной характеристикой.

Из семейства анодных характеристик, показанных на

рис. 11.1, б для разных значений напряжения накала Ин като­ да, видно, что при Иа > Ианас анодный ток замедляет свой рост и

достигает тока насыщения, равного току эмиссии. Из формулы

(11.1) для плотности тока эмиссии следует, что его величина опре­

деляется температурой катода, т. е. растет с увеличением напря­

жения накала Ин· (С ростом Ин увеличиваете.я и величина Инас·)

Теоретический анализ показывает, что при Иа < Иа нас анод­

ная характеристика диода описывается так называемым «зако­

ном степени 3/2 (трех вторых)», т. е. Ja = GU~l2 , где G - коэф­

фициент, зависящий от конструкцми электродов и прибора в

целом. Следует отметить, что при нулевом (и даже некотором отрицательном) анодном напряжении иа анодный ток Ja хоть и

весьма мал, но не точно равен нулю (см. рис. 11.1, б), как это следует из закона трех вторых. При выводе этого закона не учи­

тываются разброс электронов, вылетающих из катода, по ско­

ростям и ряд других факторов, приводящих к тому, что некото­

рые наиболее энергичные электроны преодолевают потенциаль-

Глава 11. Электровакуумные приборы с электростатическим управлением 309

ный барьер и· достигают анода. Однако отрицательная часть анодной характеристики диода практической роли не играет.

Диоды используются для детектирования и ограничения сиг­

налов, выпрямления переменного напряжения и т. д. Для усиле­ ния и других более сложных преобразований сигналов в основ­ ном применяются триоды, тетроды и пентоды. С этой целью в этих приборах используются одна, две или три сетки.

Триоды. В триодах между катодом и анодом располагается

сетка (С). При изменении потенциала сетки, который может

быть как положительным, так и отрицательным относительно

катода, происходит сильное изменение распределения электри­

ческого поля (потенциала) и, соответственно, объемного заряда в междуэлектродном пространстве, особенно в прикатодной об­ ласти (рис. 11.2, а).

В случае больших отрицательных напряжений на сетке (да­ же при положительных (но не слишком больших) потенциалах анода) все электроны могут быть возвращены к катоду, т. е. в этом случае во всем пространстве между катодом и сеткой су­

ществует тормозящее электроны поле, сформированное отрица­

тельным потенциалом сетки и объемным зарядом электронов в областях, примыкающих к катоду (пространство катод (К) - сетка (С), см. рис. 11.2, а, кривая 1). Ток анода в этих условиях

равен нулю.

Наименьший по модулю отрицательный потенциал сетки, при котором /а= О, называют напряжением запирания Исо для за­

данного напряжения анода. ·

А

1

2

х

к с

А

о

 

а)

б)

Рис. 11.2

310

Раздел 3. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРV\БОРЫ

Если напряжение на сетке Ис по модулю меньше напряжения

запирания, т. e. IИcl < 1Ис01, то электрическое поле между витками

сетки в пространстве катод-сетка делаете.я ускоряющим, и часть

электронов, эмитированных катодом в направлении таких облас­

тей, устремляете.я к аноду. Возникает анодный ток, который воз­

растает по мере снижения отрицательного потенциала сетки.

При положительных потенциалах на сетке распределение потен­ циалов показано на рис. 11.2, а (кривые 2 и 3). Часть электронов, перемещающихся в непосредственной близости от витков, притя­ гиваете.я сеткой и образует сеточный ток Jc, в то врем.я как основ­

ная дол.я электронного потока попадает на анод, создавая ток Ja. Таким образом, катодный ток I к разветвляете.я на два тока - ток сетки и ток анода, т. е. Jк = Ja + Ic. Как правило, Jc < Ja из-за

меньшей площади поверхности сетки по отношению к аноду (см. ниже).

Для сравнения влияния потенциалов сетки и анода на потен­ циальный барьер у катода и, следовательно, на число электро­ нов, преодолевающих барьер, триод заменяют эквивалентным диодом, анод которого располагают на месте сетки. Анодное на­

пряжение эквивалентного диода, при котором катодные токи

триода и диода равны, называют действующим напряжением Ид' Ра­

венство катодных токов означает, что напряженности электриче­

ского пол.я в области катода у триода и эквивалентного диода рав­

ны, а это означает, что равны и заряды на поверхности катода,

наведенные приложенными к электродам потенциалами.

Зар.яды, индуцированные на катоде триода и диода, опреде­

ляются междуэлектродными емкостями. Междуэлектродна.я

емкость диода определяете.я площадью поверхности анода и ка­

тода и расстоянием между этими электродами. В триоде, поми­

мо емкости анод-катод Сак• существуют емкости сетка-катод

Сек и анод-сетка Сас· Емкость Сек называете.я входной, а ем­ кость сае - проходной.

Отношение емкостей сак/Сек определяет ОДИН из основных параметров триода - проницаемость D, которая характеризует сте­

пень проникновения пол.я анода в пространство катод-сетка

(прикатодное пространство) и, соответственно, влияет на вели­

чину анодного тока.

Емкости Сек и Сае определяются конструкцией сеток, в част­

ности их густотой и расположением между анодом и катодом.

Глава 11. Электровакуумные приборы с электростатическим управлением 311

Итак, ripи постоянном напря­

 

 

жении накала (постоянной темпе­

 

 

ратуре катода, постоянном токе

 

 

эмиссии) анодный I а и сеточный

 

 

I с токи зависят от напряжения на

 

 

аноде и; напряжения на сетке U0 ,

 

 

т. е. Ia = f1(Ua, И0) и Ic = f 2(Ua, Ис).

 

 

Если одну из независимых пе­

 

 

ременных выбрать в качестве пара­

о

и.

 

метра (так называемого парамет­

 

Рис. 11.3

ра режима), то указанные функ­

 

 

 

ции можно представить в виде

следующих четырех зависимостей: семейство анодно-сеточных

характеристик Ja = f 1(Uc) при Иа = const и сеточных (входных)

характеристик Ic = f2(Uc) при Ua = const (рис. 11.2, б), а так­

же семейства анодных (выходных) характеристик Ja = f 3(Ua) (рис. 11.3) и сеточно-анодных характеристик Ic = f4(Ua) при

Ис = const (одна из кривых этого семейства показана на рис. 11. 3 штриховой линией).

Увеличение анодного напряжения вызывает смещение нача­ ла анодно-сеточных характеристик влево из-за большего про­ никновения электрического поля в прикатодную область. При

отрицательных напряжениях на сетке ток в анодной цепи появ-

ляется лишь при таких положительных напряжениях анода,

при которых действующее напряжение Ид> О.

При Uc >О появляется ток Ic, и анодный ток Ja уже не будет

равец катодному, так как Iк = Ia + Ic, т. е. катодный ток, распре­ деляется между анодом и сеткой. Анодно-сеточная характерис­ тика идет заметно более полого, чем зависимость катодного то­

ка от потенциала анода и сетки.

При Ис > И0 ускоряющее поле существует как между сеткой

и катодом, так и в пространстве анод-сетка. Электроны, проле­ тая между витками сетки, подвергаются воздействию положи­

тельно заряженных витков, и их траектории искривляются.

Ток сетки образуется только электронами, которые попадают на витки сетки (режим перехвата). В этом режиме отношение IafIc за­

висит от соотношения площадей поверхностей сетки и анода.

Площадь поверхности витков сетки обычно меньше площади анода, поэтому ток анода больше тока сетки.