- •Тема: Элементы зонной теории твёрдых тел
- •Уравнение Шредингера для электрона в кристалле
- •2.Функция Блоха
- •3. Метод Кронига-Пенни
- •4. Первая зона Бриллюэна
- •5. Дисперсионные кривые
- •6. Поступательное движение электронов в кристалле
- •1. Равновесные и неравновесные носители заряда (определение)
- •7. Движение электрона в кристалле под действием внешней силы. Квазиимпульс электрона. Эффективная масса электрона
- •Тема: Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- •2. Время жизни. Скорости генерации и рекомбинации
- •3. Уравнение непрерывности
- •4. Диффузия и дрейф неравновесных носителей
- •4.1. Введение
- •4.2. Эффективный коэффициент диффузии
- •4 .3. Стационарное распределение неравновесных носителей за слоем генерации
- •4.4. Максвелловское время релаксации
- •Тема: Оптические явления в полупроводниках
- •Поглощение света полупроводниками
- •Коэффициент поглощения света
- •1.2. Собственное поглощение
- •1.3. Экситоны
- •1.4. Поглощение света свободными носителями зарядов
- •1.5. Переходы между подзонами
- •1.6. Примесное поглощение
- •Тема: Эффект Ганна
- •1. Возникновение отрицательной дифференциальной проводимости в полупроводниках в сильных электрических полях
- •2. Отрицательная дифференциальная проводимость в сильном электрическом поле в арсениде галлия
- •3. Электростатистические домены в полупроводниках
- •Тема: Контакт металла с полупроводником
- •Запирающий слой
- •Энергитические уровни в полупроводнике и металле
- •Выпрямление на запирающем контакте металла и полупроводника
- •Тема: Полупроводниковые диоды
- •Способы получения p-n перехода
- •Равновестное состояние p-n-перехода
- •3. Барьерная ёмкость p-n-перехода
- •4. Токи, протекающие через p-n-переход
- •5. Импульсные и высокочастотные свойства p-n-перехода
- •5.1. Импульсные свойства
- •5.2. Диффузионная емкость p-n-перехода
- •5.3. Способы повышения быстродействия диодов
- •5.4. Высокочастотные свойства p-n-перехода
- •6. Пробой p-n-перехода
- •1) Тепловой пробой
- •2) Лавинный пробой
- •3) Туннельный пробой
- •4) Поверхностный пробой
- •7. Туннельные диоды
- •8. Лавинно-пролетные диоды
- •Тема: Физические принципы работы транзисторов
- •1. Принцип работы биполярного транзистора
- •2. Параметры и выходные характеристики транзисторов
- •2.1. Параметры транзисторов
- •Выходные характеристики транзистора
- •2.3. Схема с общим эмиттером
- •Физическая природа усиления тока в схеме с общим эмиттером
- •2.4. Пробой коллекторного перехода
- •3. Переходные процессы в транзисторах. Дрейфовые транзисторы
- •3.1. Переходные процессы в транзисторах
- •3.2. Дрейфовые транзисторы
- •3.3. Предельная частота усиления
- •5. Полевые (униполярные) транзисторы
- •5.1. Полевые транзисторы мдп-структуры (с изолированным затвором)
- •5.1.1. Структура металл-диэлектрик-полупроводник
- •5.1.2. Полевые транзисторы мдп-структуры
- •5.2. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
4. Первая зона Бриллюэна
Разбиение
волновой функции электрона в кристалле
(функции Блоха) на два сомножителя
и
является неоднозначной
операцией.
Покажем это на примере одномерной
(!) волновой функции электрона, движущегося
в направлении
кристалла, в котором период кристаллической
решётки равен
:
. (16)
Умножим
правую часть (16) на единицу:
.
Тогда получим:
,
(17)
где
.
Сомножитель
удовлетворяет требованию к функции
Блоха: он является произведением
периодической функции
с периодом а
на
тоже периодическую функцию
с
периодом
а.
Таким образом сомножитель в квадратных
скобках […] – есть
периодическая функция с периодом а.
Однако
оказалось, что одна и та же функция
теперь уже представляет собой волновую
функцию электрона не с волновым вектором
k,
а с другим
волновым вектором:
.
Это и является свидетельством
неоднозначности.
Точно
так же можно было бы изменить k
в уравнении (16) на
и так далее.
Эта
неоднозначность устраняется рассмотрением
волновых векторов только
в пределах:
в пределах первой
зоны Бриллюэна.
Таким образом,
набор значений k
в пределах первой зоны Бриллюэна
исчерпывает весь набор физически
(!) различных волновых векторов в
кристалле.
Функция в функции Блоха при одних и тех же значениях k различны для электронов различных зон, то есть, она зависят ещё и от номера n зоны. Поэтому вводят обозначение
(18)
и волновую функцию электрона в кристалле записывают в виде
.
(19)
В общем случае (с учётом зависимости от времени) волновая функция электрона в кристалле записывается в виде
.
(20)
5. Дисперсионные кривые
В
каждой энергетической зоне энергия
электрона является функцией его волнового
вектора – дисперсией, то есть
На рисунке приведены простейшие
дисперсионные кривые (зависимости)
для двух зон:
В общем случае энергия электрона в кристалле зависит ещё и от направления (!) волнового вектора . На рисунке приведены дисперсионные кривые для кремния в направлении кристалла [100]:
6. Поступательное движение электронов в кристалле
Получим дисперсионную кривую для свободного электрона.
Из
функций
стационарных
состояний
с близкими
значениями
можно
сформировать нестационарное
состояние
– волновой
пакет,
перемещающийся в пространстве (подобно
тому, как прямоугольный импульс напряжения
можно представить как суперпозицию
синусоид). Скорость перемещения такого
волнового пакета в пространстве
представляет собой групповую скорость
электрона
,
которая связана с волновым вектором
:
,
где
масса
электрона.
Энергия свободного электрона – это кинетическая (и только кинетическая!) энергия:
.
Таким
образом, дисперсионная кривая для
свободного
электрона – это парабола,
а зависимость
прямая
линия.
Для
электрона в
кристалле:
из волновых функций Блоха
так же можно составить волновой пакет.
Скорость его перемещения по кристаллу
определяется выражением:
или в более общем виде для вектора групповой скорости
.
На
рисунке ниже приведена дисперсионная
кривая для электрона в кристалле
и
зависимость
(с синусоидальной зависимостью
потенциалаV:
V(x)
= Sin(kхx)).
При
приближении
к значению +
энергия электрона увеличивается, а
скорость
уменьшается
(до
нуля!).
Это происходит потому, что теперь в
кристалле энергия электрона определяется
уже не только кинетической, но и
потенциальной энергией, обусловленной
движением электрона в электрическом
поле иона.
