5.Расположение элементов на панели и описание ее работы.

На рис.16а представлена схема включения диода, а на рис.16б - транзистора по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Обе эти схемы собраны на одной панели и их переключение осуществляют с помощью ключа (в положении ключа “Д” исследуют свойства диода, а в положении ключа “T” – триода).

Рис.14. Рис.15.

Порядок выполнения работы.

Задание 1. Снятие вольтамперных характеристик для прямого и обратного включения диода.

Для работы с диодом, его надо включить в гнезда и проследить, чтобы тумблер был повернут вправо. Приборы, для определения тока и напряжения располагаются справа. Для снятия вольтамперной характеристики надо при разных значениях напряжения определять значение тока, протекающего через диод. Данные занести в таблицу 1.

Таблица1.

Прямое включение
U (в)
I (мА)
Обратное включение
U (в)
I (мА)

На миллиметровой бумаге построить графики зависимости I = = f (U) для прямого и обратного включений диода.

Рис.16а.

Рис.16б.

Задание 2. Снятие вольтамперных характеристик транзистора.

1.Определение коэффициента усиления по току. Переключаем тумблер панели влево и получаем схему включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ). При постоянном напряжении на переходе коллектор-эмиттер, меняем значение тока базы I_б и записываем значение тока коллектора. При этом U_эк = const

Должно быть 6-8 значений. На миллиметровой бумаге построить график I_к = f (I_б) при U_эк = const. По этому графику определяем статический коэффициент усиления по току.

Таблица 2.

Iб
Iк

2. Входные характеристики снимаются при U_эк = const. Меняя напряжение между эмиттером и базой U_эб снимают значения I_б тока базы. На миллиметровой бумаге строят зависимость I_б = f (U_эб) при U_эк = const. Таких характеристик должно быть 3-4 при разных U_эк.

Таблица 3.

Uэк(1) =	Uэб
	Iб
Uэк(2) =	Uэб
	Iб
Uэк(3) =	Uэб
	Iб
Uэк(4) =	Uэб
	Iб

3. Выходные характеристики снимаются при I_б = const. Меняя напряжение U_эк между эмиттером-коллектором снимают значения I_к тока коллектора. На миллиметровой бумаге строят зависимость I_к = f (U_эк) при I_б = const. Таких характеристик должно быть 3-4 при разных значениях I_б тока базы

Таблица 4.

Iб(1) =	Uэк
	Iк
Iб(2) =	Uэк
	Iк
Iб(3) =	Uэк
	Iк
Iб(4) =	Uэк
	Iк

.

Вопросы для допуска к работе.

1. Из чего состоит кристаллический диод?

2. Объясните прямое и обратное включение диода.

3. Какова цена деления приборов, используемых в работе?

4. Вольтамперная характеристика диода.

5. Объясните устройство транзистора.

6. Каково включение транзистора на панели?

7. Какие характеристики надо снимать при работе с транзистором?

Вопросы для защиты.

1. Почему кристаллический диод обладает односторонней проводимостью?

2. Поясните физические процессы, происходящие в p - n - переходе.

3. Каков механизм электронной примесной проводимости полупроводников? Дырочной примесной проводимости?

4. Каково отличие с точки зрения зонной теории между проводниками, полупроводниками и изоляторами?

5. Чем объясняется собственная проводимость полупроводников?

6. Что такое примесная проводимость?

7. Объяснить работу транзистора при включении с общей базой (ОБ).

8. Объяснить работу транзистора при включении с общим эмиттером (ОЭ).

9. Объяснить вид получившихся вольтамперных характеристик.