- •1. Каскады усиления на транзисторах
- •Цепи питания биполярных транзисторов (схема с эмиттерной стабилизацией)
- •Расчет сопротивлений цепей питания
- •Вследствие несовпадения направления постоянного коллекторного
- •Линия нагрузки для переменной составляющей
- •Переходная характеристика
- •Условные графические обозначения оу
- •2.3 Питание оу
- •2.4.2. Статические параметры оу
- •2.5 Основные схемы включения оу
- •Неинвертирующий усилитель с ос
- •Инвертирующий усилитель с ос.
- •2.6. Динамические свойства оу
- •2.6.1 Усилительный каскад с однополюсной функцией передачи
- •2.7.2 Ачх усилителя при наличии ос
- •2.8 Макромодели оу
- •2.8.1. Макромодель оу с частотной коррекцией
- •2.9 Работа с макромоделью оу
- •Литература
Расчет сопротивлений цепей питания
Этот расчёт производится в следующем порядке:
1. Выбираем напряжение источника питания ЕК и сопротивление коллекторной нагрузки RК.
2. Задаёмся напряжениями на эмиттере и коллекторе.
Напряжение на эмиттере обычно составляет 10–20% от ЕК. Напряжение на коллекторе обычно выбирается равным ЕК/2 или немного больше (например среднее значение между EК и UЭ). Падение напряжения на RЭ должно быть больше возможных изменений напряжения UБЭ, но не настолько большим, чтобы заметно уменьшить амплитуду выходного сигнала. Для напряжения на коллекторе имеет место условие UЭ <UК< ЕК, в то время как при отсутствии RЭ UК < ЕК.
3. Исходя из заданных значений, определяем RЭ.
4. Выбираем типовое значение h21 транзистора.
5. Используя соотношение (1.2), определяем RБ и ЕБ.
6. Преобразовав выражения для RБ и ЕБ получаем RБ1 =RБ·ЕК/ЕБ,
RБ2=RБ*RБ1/(RБ1–RБ).
Возможен другой способ расчета сопротивлений базового делителя. Вместо п.5 и п.6 выбираем ток делителя IД=(5…10)* IОБ, ГДЕ ТОК БАЗЫ
IОБ=IОК/h21, напряжение базы UБ=UЭ+UБЭ, СОПРОТИВДЕНИЯ ДЕЛИТЕЛЯ РАВНЫ:
RБ1=(EП-UБ)/(IД+IОБ), RБ2=UБ/IД.
Номинальные значения сопротивлений резисторов, выпускаемых промышленностью, стандартизованы в соответствии с табл. 1.
Они выбираются из определенных рядов чисел. Чаще других используются ряды Е 6, Е 12, Е 24. Цифры после буквы Е указывают число номинальных значений в каждом десятичном интервале. Приведенные в рядах числа могут быть продолжены путем умножения или деления этих чисел на 10 в степени n, где n - целое число. Ряды номинальных значений имеют допуск ± 20% (Е 6), ±10% (Е 12), ±5% (Е 24).
Табл.1
-
E 6
E 12
E 24
E 6
E 12
E 24
E 6
E 12
E 24
1,0
1,5
1,0
1,2
1,5
1,8
1,0
1,1
1,2
1,3
1,5
1,6
1,8
2,0
2,2
3,3
2,2
2,4
2,7
3,3
3,9
2,2
2,4
2,7
3,0
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
6,8
4,7
5,6
6,8
8,2
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
ПРИМЕР 1.1 Рассчитать схему с автоматическим смещением рис.1.3
Дано: ЕК=12В, RК=2кОм, а h21=150
Решение: Сначала выбираем значение UК. Допустим что, UК=9В. Тогда падение напряжения на RК равно URK = ЕК – UК=12В– 9В=3В.
Теперь проведём расчёт тока покоя коллектора:
IОК=URК/RК=3В/2кОм=1,5мА.
Ток покоя эмиттера:
IОЭ= IОК ·(1+h21)/h21=1,5мА(101/100)=1,515мА.
Ток покоя базы:
IОБ=IОК/h21=1,5мА/150=10мкА.
Выбрав напряжение эмиттера UЭ=1,7В, определяем напряжение покоя коллектор–эмиттер UКэ=UК–UЭ==9В–1,7В=7,3В и сопротивление
RЭ=UЭ/IОЭ= 1,7В/1,515мА=1,12кОм.
Согласно рекомендациям (1.2)
RБ=RЭh21/10=1,12кОм · 150/10=16,8кОм
ЕБ=UЭ + UБЭ + IОБRБ=1,7В + 0,7В + 10мкА · 16,8кОм = 2,568В,
RБ1= RБЕК/ЕБ = 16,8кОм 12В/2,568В = 56кОм,
RБ2 = RБ/ (1–ЕБ/ЕК) = 16,8кОм/ (1–2,568В/12В) = 13,2кОм.
Точка покоя в плоскости входных статических характеристик iБ=f(uБ) определена. Её координаты UБЭ= 0,7В, IОБ =10мкА.
В плоскости выходных статических характеристик iк=f(uк)
точка покоя имеет координаты UКЭ=7,3В, IОК=1,5мА.
ПРИМЕР 1.2 Рассчитать схему с эмиттерной стабилизацией (рис. 1.3) на заданную точку покоя
Дано:(UКЭ=6В, IОК=2мА) при EК=12В, h21=150
Решение: Выбираем напряжение эмиттера
UЭ=0,2EК=0,2·12=2,4В, тогда
напряжение UК=UЭ+UКЭ=2,4+6=8,4В,
напряжение URК=EК – UК=12–8,4=3,6В.
Сопротивления RК=URК/IОК=3,6В/2мА=1,8 кОм,
RЭ=UЭ/IОЭ≈UЭ/IОК≈2,4В/2мА=1,2кОм.
Рассчитываем сопротивления базового делителя:
RБ=RЭ·h21/10=1,2кОм·150/10=18кОм,
IОБ=IОК/h21=2мА/150=13мкА,
ЕБ=UЭ+UБЭ+IОБRБ=2,4В+0,7В+13мкА·18кОм=3,34В,
RБ1=RБ·EК/EБ=18кОм·12В/3,34=64,67кОм,
RБ2=RБ*RБ1/(RБ1–RБ)=18кОм*64,67/(64,67–18)=24,97кОм.
Для реализации схемы рис 1.3 значения сопротивлений выбраны из табл.1: RЭ=1.2 кОм, RК=1,8 кОм, RБ1=62 кОм, RБ2=24 кОм.
ПРИМЕР 1.3 Рассчитать базовый делитель другим способом
Дано: Результаты расчетов примера 1.2.
Решение: Выбираем ток делителя IД=10*IОБ, ГДЕ ТОК БАЗЫ IОБ=IОК/h21=2/150=0,013 мА, а ток IД=10*0,013=0,13 мА.
UБ = UЭ+UБЭ =2,4+0,7=3,1В
RБ2=UБ/IД=3,1/0,13=23,84 кОм,
RБ1=(EК-UБ)/(IД+IОБ)=
(12-3,1)/(0,13+0,013)=60,95 кОм
Табличные значения резисторов RБ1 и RБ2 совпадают с примером 1.2.
Проверка расчета сопротивлений цепей питания с помощью компьютера
-
Для проверки правильности рассчитанных сопротивлений схемы рекомендуем использовать программу “Fastmean”.
Fastmean
–это программа анализа схем, основанная
на моделировании электрических цепей.
С ее помощью можно из введенных в
программу элементов “собирать “ на
экране исследуемую схему по постоянному
токуабилизацией()
Пользование программой можно разбить на 3 этапа:
-
Выбор модели активных элементов (диода, транзистора, операционного усилителя);
-
Создание эквивалентной схемы и набор модели на экране;
-
Проведение расчета нужного параметра (ток, напряжение, АЧХ, ФЧХ, ПХ).
Проведем на компьютере анализ примера 1.2 с целью проверки реализации заданной точки покоя (UКЭ=6В, IОК=2мА) при ЕК=12В, h21=150 и рассчитанных ранее значениях сопротивлений .
Так как схема содержит биполярный транзистор и расчет идет на постоянном токе, то удобнее заменить транзистор источником тока, управляемым током (ИТУТ), как показано на рис.1.5, а.
Рис. 1.5,а Эквивалентная модель биполярного транзистора
для постоянного тока.
Параметр h21Э-статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (ОЭ). В дальнейшем, для удобства h21Э заменим на h21.
Параметр h21 приводится в справочниках на транзисторы.
Он характеризует усилительные возможности транзистора на переменном токе в области низких частот. Коэффициент усиления на постоянном токе
H21 ≈ h21.
H11- входное сопротивление по постоянному току, H11=UБЭ/IОБ.
Рис. 1.5,б показывает различия между входным сопротивлением биполярного
транзистора постоянному току H11 и входным сопротивлением переменному
току h11, определяемому касательной к входной характеристике в точке
покоя А.
Рис. 1.5,б Определение входных сопротивлений биполярного транзистора
ПРИМЕР 1.4 Вычислить параметры эквивалентной модели биполярного транзистора для постоянного тока.
Дано: Транзистор КТ-355А с коэффициентами
усиления тока h21 = 80…300. Ток базы из
примера 1.2 IОБ=13мкА
Решение: Параметры h21 характеризуют
усиление переменного тока, однако, их
значения практически не отличаются от
усиления на постоянном токе. Принимаем
среднее значение h21 = 150.
Напряжение смещения в кремниевых
транзисторах принято считать UБЭ = 0,7В ,
откуда H11=UБЭ/ IОБ =0,7В/13мкА=53,85 кОм
Эквивалентная схема биполярного транзистора представлена на рис. 1.6
Рис.1.6 Эквивалентная схема биполярного транзистора к Примеру 1.4
Для начала расчета необходимо вызвать программу Fastmean, собрать эквивалентную схему и придать элементам заданные или расчетные значения. После этого проверить соединения во всех узлах и пронумеровать их кнопкой “номера узлов’’, при этом базисный узел не нумеруется.