Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Кушманов И.В. Электронные приборы учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
69
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
18.43 Mб
Скачать

8 г л а в а

НАДЕЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ

8.1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ ТЕОРИИ НАДЕЖНОСТИ

Споявлением сложных электронных систем, таких,

как электронные вычислительные машины, управляющие устройст­ ва космических аппаратов и т. д. проблеме надежности стали уде­ лять большое внимание. Надежность — свойство прибора, обус­ ловленное, главным образом, его безотказностью в течение опре­ деленного времени. Количественно надежность определяется веро­ ятностными характеристиками и параметрами.

Отказ — полная или частичная утрата работоспособности при­ бора. Различают несколько типов отказов:

полный отказ, при котором использование прибора по на­ значению невозможно. Полные отказы обычно наступают внезап­ но в результате значительного скачкообразного изменения одного или нескольких основных параметров, например, перегорания нити накала элёктронной лампы, пробоя перехода в транзисторе и т. д.;

постепенный (частичный) отказ, возникающий в результате постепенного 'изменения одного или нескольких основных парамет­ ров. Поскольку величина ухода параметра прибора, вызывающего - отказ аппаратуры, зависит от схемы устройства, это позволяет ча­ стично 'использовать прибор в другом устройстве, где на отклонив­ шийся от нормы параметр наложены меньшие ограничения.

Один из основных критериев надежности — вероятность безот­

казной работы p(t) прибора — определяется вербятностью того, что в пределах заданной продолжительности работы t отказ не возник­

нет. Экспериментально

вероятность безотказной

работы можно

оценить как

 

 

 

 

( 8. 1)

где N — число испытываемых приборов; п — число

годных прибо­

ров к моменту времени t.

Вероятность отказа до момента времени

t q(t) есть противоположное событие, следовательно,

( 8 .2)

350

Вероятность q ( t ) представляет собой

интегральный закон

распре­

деления моментов отказов.

 

моментов отказов

wQ(t) по

Функция

плотности вероятностей

определению

есть производная

интегрального закона,

следова­

тельно,

 

 

 

 

 

w0{t) = q ' ( t )

=

— p ' ( t ) .

(8.3).

Интенсивность отказов X(t) — условная плотность вероятности отказа в момент времени t при условии, что элемент до этого мо­ мента работал безотказно, определяется выражением

\ { t ) =

 

 

 

(8.4),

 

 

Р (t)

Р (t)

 

 

 

Используя оценку (8Л)

и определение (8.4), дадим оценку ин­

тенсивности отказов:

 

 

 

 

 

 

p' (t)

__

do N ______ 1

dn

(8.5)

р (t)

 

dt Nn

n

dt

 

 

T e. интенсивность отказов

равна относительному числу приборов,,

отказавших в единицу времени.

 

 

найдем связь меж­

Проинтегрировав (8.4) в пределах от 0 до t,

ду интенсивностью отказов X ( t )

и вероятностью

безотказной рабо­

ты p ( t ) :

 

 

 

 

 

 

р { і )

=

exp

 

 

 

( 8 .6 ),

 

 

 

t

 

 

 

Учитывая ф-лу (8.2)

и равенство <?(7) = |

Шо^тМт, получаем

 

 

 

о

 

 

 

 

pit) =

ja>o(T)dr.

 

 

(8.7)

 

 

 

і

 

 

 

Любая из этих функций

содержит всю статистическую инфор­

мацию о способности устройства функционировать безотказно, по-

этсіМ'у, зная одну из ник, можіно то

ф-лам

(8.2)—*(8.7)

оніреаел.ить

другие.

 

математической

модели

отказов [т. е. выбор функций

Выбор

p ( t ) , X ( t )

и т. д.] опирается

на опыт эксплуатации, согласно кото­

рому в

работе' большинства

электронных

приборов имеются три

периода

(рис. 8.1):

 

 

 

 

— приработка (0—Тп), когда преобладают начальные отказы,,

вызванные скрытыми производственными

дефектами;

их интен­

сивность монотонно умёньшается;

 

 

 

нормальная эксплуатация (Гп—Тя), когда интенсивность от­ казов остается практически постоянной или медленно уменьшается;

износ (старение), когда начинают сказываться постепенные.- отказы.

35L

Наиболее общим для вероятности безотказной работы является закон распределения Вейбулла: р(7)=ехр(—Ao^“ ), Г>О, Ао>0, а>0. Иінтеисивноість отказов, полученная по ф-ле (8.4), А.(t) = =АосДа_1. При этом, если а < 1 , то %(t) убывает с ростом t (О—ГП); если а = 1, то А(О=А0 (Гп— Т„); если а > 1 , то K(t) монотонно воз­ растает (t> Т и) (рис. 8.1).

Лрира

 

ваточ­

 

ные

 

отка­

Внезапные отказы

зы

Период Периоднормальной эксплуаприра- тации \дот-

\ т

Внезапные и! износные I

отказы /|

Период / !

износау

s '

j

 

 

\к=і/т

j 1

1

^ . 0

тп

Д

ги

м

 

 

Время

эксплуатации

 

Рис. 8.1. К выбору математической модели отка­ зов

Для периода нормальной эксплуатации характерны внезапные отказы с постоянной интенсивностью л0, что соответствует экспо­ ненциальному распределению вероятности безотказной работы:

р{і) — ехр(—■%0t), / > 0 , А0 > 0,

(8.8)

которая хорошо согласуется с действительной надежностью.

Для нзносовых отказов часто в качестве математической моде­ ли используется нормальное распределение случайного момента отказа:

(0 = ,/д— 2 ехр

L z L \

У2 л о2

" 2 а2 I'

Это распределение зависит от двух параметров: средней долго­ вечности ТсаТйр и дисперсии D(t) о2 Средняя долговечность Гср определяется как интервал времени, в течение которого отказывает половина из работавших элементов при условии, что их первона­ чальное число велико. Для отыскания подходящей математической модели отказов и параметров этой модели А, Тср, D(t) и т. д. необ­ ходимо проводить испытания элементов на надежность и по экспе­ риментальным результатам подбирать модель и ее параметры. Па­ раметры, вычисленные на основании конечного числа выборочных данных, случайны, и возможны неточные оценки. Для получения достоверных результатов число испытываемых элементов должно быть велико. Гарантированная долговечность Ту определяется как

время, в течение которого исправно проработает не менее у% при­ боров из партии, подвергнутой испытанию. Этот процент у назы­ вается годностью и является критерием гарантированной долговеч­ ности. Если распределение отказов подчиняется экспоненциально-

352

му закону (8.8),

то у/і100 = р(Т ) = ехр(—\к0Т ). Следовательно»

 

 

0,105 .

Г99■„=

0,01

"

т о г д а г ” «

^■0

Х0

Эти формулы отражают связь между гарантированной долго­ вечностью и интенсивностью отказов для двух значений уі = 90% и 72 = 99%. Гарантированная долговечность Ту отмечена на рис. 8.L Она обычно ближе к Тт поэтому прибор еще длительное время имеет низкую интенсивность отказов и в ряде случаев может экс­ плуатироваться в аппаратуре на протяжении (1,5-1-3) Т у . Числен­

ное же значение Ту зависит от режима испытания, заданной год­ ности у и указывается в справочнике.

Индивидуальная долговечность может быть значительно боль­ ше Т из-за использования приборов в облегченных тепловых и

электрических режимах. При одной и той же величине гарантиро­ ванной долговечности и при разных значениях годности наиболее надежными в работе считаются те приборы, для которых прини­ мались более высокие значения годности (например, 98% по сравнению с 90% для другой партии).

Если время эксплуатации системы приближается к Т„, то для повышения надежности необходимо заменять элементы прежде, чем начнет сказываться их износ. Элементы, которыми заменяют неисправные, должны пройти приработку, чтобы надежность систе­ мы не ухудшалась из-за начальных отказов. Однако следует иметь в виду, что замене подлежат только те приборы, для которых ха­ рактерно резкое возрастание интенсивности отказов после времени Тп (рис. 8.1). К полупроводниковым приборам это не относится.

Предельно допустимые параметры указываются в справочнике на данный вид прибора. Надежность прибора резко снижается, ес­ ли превышаются его предельно допустимые параметры. Задаются предельные электрические параметры, например, максимально до­ пустимые напряжения на аноде, экранирующей сетке, катоде ламп» минимальное и максимальное напряжения накала, максимально допустимые напряжения на переходах транзистора и диода и т. д. Кроме того, указываются предельные климатические и механиче­ ские параметры; допустимая влажность и температура окружаю­ щей среды, допустимые ускорения при вибрации и ударах и т. д.

Для увеличения надежности элементов для них следует выби­ рать облегченные электрические и тепловые режимы, защищать приборы от климатических воздействий герметизацией, а от меха­ нических — амортизацией. Второй способ повышения надежно­ сти'— дублирование элементов путем параллельного, параллельно­ последовательного й т. д. включения.

8.2.НАДЕЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМП

ИЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫХ ТРУБОК

Надежность работы электронных приборов зависит or технологии изготовления, рабочего режима и условий их эксплуа-

353.

тации. Основными числовыми характеристиками, определяющими надежность этих приборов, являются: интенсивность отказов К или величина средней наработки на отказ т, которая при Ло=const равна п г — І/Хо, а также гарантированная долговечность. При опре­ делении долговечности учитываются как внезапные, так и постепен­ ные отказы, причем соотношение между ними меняется с увеличе­ нием времени эксплуатации, как показано на рис. 8.2 для ламп

 

8-10

 

 

Суммар чая интенсидность .

 

 

 

 

 

 

атказад

 

S-IBS

 

 

 

'’Интенсивность отка­

1

/ л \

 

У

4-І !

Н

 

зовза счет старения

 

 

 

 

 

I2-10' [

І у УУ /

^Интенсивность внезапных

1

і

 

 

 

 

^__отказов^__^

 

 

 

 

 

 

I

о

woo 2000

т о

т о

т о

е оо о woo в оо о

 

 

 

Часы работы

 

Рис. 8.2. Зависимость интенсивности отказов прибора от времени его эксплуатации

«октальной серии. Параметр, по которому судят о постепенном отка­ зе, зависит от типа прибора. Отказом считают изменение парамет­ ра более, чем на 25—30% от номинального значения.

Для приемно-усилительных ламп чаще всего критерием долго­

вечности является уменьшение крутизны

их характеристик; для

выходных ламп — уменьшение выходной

мощности, а для генера­

торных— уменьшение импульса анодного тока или тока

эмиссии

катода либо увеличение обратного тока

управляющей

сетки. У

электронно-лучевых трубок долговечность определяется по умень­ шению яркости свечения экрана, разрешающей способности или скорости записи, а также по увеличению ширины сфокусированной линии, величины модулирующего напряжения, времени воспроиз­ ведения сигнала и т. д.

Все возможные причины отказов электровакуумных приборов перечислить невозможно. Одна из основных причин отказа связана с выходом из строя катода вследствие его отравления газами, вы­ делившимися при перегреве электродов, или испарения оксидного слоя при перекале, ионной бомбардировке катода и т. д. Другие причины — это увеличение токов утечки между электродами из-за ухудшения междуэлектроідной изоляции, а также -ионноіго и тер­ моэлектронного токов сетки вследствие ухудшения вакуума и на­ пыления на нее атомов бария, испаряющихся с катода и т. д.

Из механических причин следует упомянуть: нарушение герме­ тичности баллона, разрушение нити накала, обрывы в цепях элек­ тродов, междуэлектродные замыкания, а также ухудшение крепле­

354

ния деталей и арматуры ламп при действии ударов и вибраций.. Наиболее устойчивы к действию вибраций лампы повышенной на­ дежности серии «В» и «К» (виброустойчивые). Это достигается дополнительным креплением катодного узла, траверз сеток и ано­ да, а также очень плотным прилеганием слюды к стенкам колбы. У ламп серии «К», кроме того, на некотором расстоянии от первых слюдяных пластинок установлены вторые, увеличивающие жест­ кость крепления элементов конструкции, что значительно повы­ шает вибростойкость. Длительная вибрация, как правило, на по­ рядок и более повышает интенсивность отказов.

Климатические условия: повышенная температура и влажность

окружающей среды, давление,

отличное от атмосферного,

также

вызывают отказы. Например,

повышенная

температура и

пони­

женное давление затрудняют

теплоотдачу

и нарушают тепловой

режим прибора, что снижает его надежность. Повышенная влаж­ ность увеличивает утечки между электродами и может привести к замыканиям. Электронные лампы достаточно стойки к радиацион­ ному облучению.

' Для повышения надежности при эксплуатации электровакуум­ ных приборов желательно избегать предельно допустимых режи­ мов, но если необходимо использовать такие режимы, то следует

выбирать не более двух

предельно допустимых параметров, на­

пример, Д а макс и Д С2 макс-

На интенсивность отказов наиболее силь­

но влияет напряжение накала

а напряжения Ua и Ucг — значи­

тельно слабее, причем увеличение интенсивности отказов с ростом Uа по отношению к номинальному значению Дао можно рассчитать по эмпирической формуле: А(Да.) ='Ао(Да/Дао/1,7 Изменение интен­ сивности отказов А при изменении напряжения накала £/н по отно­ шению к номинальному Дно, при котором Ао подчиняется приближен­ ной зависимости, <K('UH) =0,4Ао+0,6Аонбо) 12-

Совместное действие теплового и электрического режима удоб­ но определять коэффициентом нагрузки Ки, который равен отноше­ нию суммы мощностей, рассеиваемых всеми электродами в данном режиме, к сумме номинально допустимых мощностей, рассеивае­ мых всеми электродами. При увеличении коэффициента нагрузки, надежность падает, т. е. надежность более мощных ламп, работаю­ щих в тяжелых режимах, меньше. Увеличение коэффициента на­ грузки на 30% от номинального сокращает долговечность в 40 раз.

При учете всех внешних факторов рассчитать увеличение А поотношению к номинальному значению Ао можно по эмпирической формуле: А=Ао (/І+а + 6), где а'учитывает отклонение напряжения накала, ab — температуру внешней среды и коэффициент нагрузки.

Для повышения надежности электровакуумных приборов необ­ ходимо соблюдать правила хранения и эксплуатации, а также ста­ билизировать режимы их работы. Особенно резко возрастает на­ дежность при стабилизации напряжения накала и выборе его на 2—3% ниже номинального. Облегченный режим также повышает надежность. Поэтому желательно использовать вместо одного кас-

355-

•када, работающего в перегруженном режиме, два в облегченном, несмотря на то, что выход из строя любого из каскадов приведет

.к отказу. Интенсивность отказов для электронных ламп в среднем »лежит в пределах: Л0=■ (■10~5н-10~6) 1/ч.

8.3. НАДЕЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

'В среднем надежность полупроводниковых приборов выше надежности электронных, поскольку интенсивность отказов у них на порядок меньше Яо~ ІО-7 1/ч. Надежность полупроводни­ ковых приборов можно повысить применением более совершенной -технологии и улучшением культуры производства.

В отличие от электровакуумных, полупроводниковые приборы -чувствительны к электрическим перегрузкам, даже .кратковремен­ ным, исчисляемым долями секунды. Кратковременные перенапря­ жения на эмиттерном и коллекторном переходах могут возникнуть во время переходных процессов в схеме и вывести прибор из строя. ^.Поэтому необходимо предусматривать защиту от этих перегрузок.

Если коэффициент нагрузки превысит критическое значение Днкр, определяемое как Л'Ні;р = ехр{—•3(7'0—25)/(Тт —25)}, где Г о - температура среды, а Тт — максимально допустимая температура прибора, указанная в технических условиях, то интенсивность от­ казов резко возрастет. Особенно заметно с повышением температу­ ры растет обратный ток / 0бР, ДоНаоборот, уменьшение коэффици­ ента нагрузки по отношению к номинальному в два раза уменьша­ ет интенсивность отказов в среднем в пять раз. Для повышения на­ дежности полупроводниковых приборов необходимо их эксплуати­ ровать в облегченных режимах. Постепенные отказы обусловлены в основном изменением поверхностных физических явлений под

. влиянием температуры и влажности и зависят от ряда других при­ чин. Параметрами, по которым чаще всего классифицируют посте­ пенные отказы, являются: обратные токи Дбр, -До, коэффициент пе­ редачи тока, уровень собственных шумов и т. д.

Полупроводниковые приборы значительно надежнее электрова­ куумных при действии вибраций, ударов и больших ускорений. Нейтронное облучение вызывает стойкие изменения характеристик и разрушение электронно-дырочных переходов, а у-облучение при­ водит к временному увеличению обратных токов и токов утечки. Радиация сильнее влияет на приборы, работающие на неосновных носителях. Следовательно, туннельные и обращенные диоды радиационно более стойки, чем обычные, транзисторы. Приборы, изго­ товленные из материала с большей шириной запрещенной зоны, радиационно более стойки. Чрезмерное увеличение интенсивности радиации может разрушить кристаллическую решетку 'Материала и

вывести прибор из строя.

Долговечность полупроводниковых приборов составляет тысячи часов и экспоненциально уменьшается с ростом тепловой мощно­ сти рассеяния на переходах.

356

Для повышения надежности полупроводниковых приборов; сле­ дует:

при их пайке руководствоваться указаниями, приведенными

всправочнике по полупроводниковым диодам и транзисторам?

при расчете схем не допускать предельных электрических режимов, а по возможности использовать облегченный на 3Q—50%;

обеспечить нормальный тепловой режим;

хорошо герметизировать приборы и не эксплуатировать их при повышенной влажности.

8.4. НАДЕЖНОСТЬ ИОННЫХ ПРИБОРОВ

;

Надежность ионных приборов с накаленным катодом, как и большинства электровакуумных приборов, определяется в ос­ новном работоспособностью катода. У приборов с холодным като­ дом долговечность ограничивается катодным распылением — выле­ том атомов и молекул материала катода при ионной бомбардиров­ ке. Это разрушает катод. Распыляемые частицы поглощают газ, что при малом запасе газа в баллоне изменит характеристики при­ бора из-за уменьшения давления. Уменьшить катодное распыление можно подбором материала катода, а также состава и давления газа, заполняющего баллон. Напыление материала катода на изо­ ляторы может вызвать токи утечки, если не принять специальных конструктивных мер. Для каждого прибора можно подобрать та­ кой режим работы, когда катодное распыление минимально. Дол­ говечность особенно уменьшается, если значения анодного тока превышают предельно допустимые.

Случайные отказы тиратронов обусловлены изменением, глав­ ным образом, поверхностных свойств катода, что приводит к скач­ кообразному изменению напряжения отпирания. Наибольшие из­ менения поверхностных свойств катода наблюдаются при хранении и перерывах в работе. Поэтому после длительного хранения ионных приборов необходимо предварительно восстановить поверхностные свойства катода путем тренировки. Во время тренировки прибор работает с номинальным анодным током и катод очищается током разряда.

В качестве критериев годности при.определении долговечности приборов могут быть использованы следующие; увеличение напря­ жения зажигания, падение напряжения между анодом и катодом, падение напряжения в импульсе, напряжение стабилизации, напря­ жение зажигания по сетке. Для декатронов таким параметром яв­ ляется коэффициент пересчета.

Интенсивность отказов у ионных приборов с накаленным като­ дом Ао~ ІО-5 1/ч, а с холодным — Я0~!ІО_ві1/ч. Пассивные элементы имеют интенсивность отказов Яо= 109-Н І0 8,1/4.- Следует иметь-в ви­ ду, что данные об интенсивности отказов, полученные путем спе­ циальных испытаний на надежность, обычно на одиш два порядка ниже данных, полученных на основе их эксплуатации в аппаратуре.

357

П р и л о ж е н и е

СООТНОШЕНИЯ МЕЖДУ ПАРАМЕТРАМИ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ

Связь между У, Н

и ^-параметрами:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Уц =

 

1

^22

 

 

 

H

 

 

Y 22

 

1

Z

 

w II

Z

 

Z u

Hu = У

Hn

У п ~~

Z 22'

 

tel

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К» =

 

Hu

 

Zi2

L.\4

Hn

 

Yi*

H12

Y lt

Zi2

 

Hn

-

Z

H ii

 

Y

'

Y u

Z22

 

 

 

 

 

 

к*1 =

lH21

 

Zo1

 

z «

=

 

H n

 

 

Y a

Hoi

Yon

_Z21_

 

H n

z

 

Hit

 

 

Y

Yn

Z22

к32=

 

H

Zu

 

Zoo =

 

1

 

 

Y n

 

 

Hoi ~

Y

1

 

H n ~

z

 

Hoo ~

Y

'

 

Y u ~

z 22

Здесь Y

— Уп

У 22Y іо У21, Z =

Zn

 

Z2i~ Z 12 Z n ,

H = Hn

Нг2- Н 12'Н21.

Связь между F-параметрами при различных включениях электронных при­

боров:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Y m

=

Y l 12 +

И 22 +

 

Y 212 +

Y 222 =

K 223;

 

 

 

 

 

 

Y 121

= — Y-

Y 222

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

122

 

■Кііз — Y 223;

 

 

 

 

 

 

Y*u =

Y 212 Y 222 =

- " Kl23 —- к 223;

 

 

 

 

 

 

Y Ml — Y 222 =

Y из +

 

Y 123 +

K213 +

K m ;

 

 

 

 

 

 

Ym =

Y i n T Yx21 f

 

Y 211 +

Y 221 =

Y ц 3;

 

 

 

 

 

 

Yl2i =

Km +

У22і Y из Y 123J

 

 

 

 

 

 

Y 212= —^211 Y221= - ‘ К ц з —■ К 2i3

 

 

 

 

 

 

Y 22= y221= К 113+ Kl23+ К 2із + К 22з;

 

 

Y 113—К ц + Ki21+ K2n + K221—К ц 2

Y 123= KmK211= -- Kii2 —- Кі22

Kl3 = K„, К 121= - "Кц2 ■ K2i2

Y 223= Kill = К ц 2+ K222+ К 122+ K2i2 ■

П р и м е ч а н и е .

Третий индекс в обозначении параметра указывает схему включения усили­

тельного прибора. 1 — схема

с общей

базой или

общей сеткой; 2 — схема с

об­

щим

эмиттером

или общим

катодом;

3 — схема

с общим

 

коллектором или

об­

щим

анодом.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Связь между /і-параметрами транзистора « различных схемах включения:

 

 

^Па -- '

h.

 

 

 

 

hr

 

 

 

‘и а

+пк —

il\\a~

 

 

 

 

1 + h 2\ а

 

1+ Ьцэ

 

 

 

 

^ l l 0 ^ 2 2 0

‘ 12 о, ^12К —1.

h\2 а —

А цэ k2

 

 

 

 

1 + Л 21 а

 

1 + h2

 

 

 

 

hn21 a

huK hil3 -f- 1, h.'21 a

 

 

 

 

h2іа ——

1 +

h2

 

 

 

1 + A2i a

 

 

 

 

 

 

 

ho

 

 

 

 

 

 

 

 

has —■ ‘22 a

h a к h o

Л 22 0 ~

 

1 -у h2

 

 

 

 

Г + h,21 0

 

 

 

 

 

 

< 3 -

С п и с о к л и т е р а т у р ы

1.

В л а с о в В. Ф. Электронные и ионные

приборы. М., Связьиздат, 1960.

2.

Б а т у ш е в В. А. Электронные приборы. М., «Высшая школа», 1969.

3.

Х л е б н и к о в

Н. Н. Электронные приборы. М., «Связь», 1964.

4.

Д у л и н В. Н. Электронные приборы. М., «Энергия», 1969.

5.

Т я г у н о в

Г. А.

Электровакуумные и полупроводниковые приборы. М.—Л.,

6.

Госэнергоиздат,

1962.

 

К у д и н ц е в а

Г. А. и др. Термоэлектронные катоды. М., «Энергия», 1966.

7.

Б е р г е л ь с о н

 

И. Г. и др. Современные приемно-усилительные лампы. М.,

8.

«Советское радио»,

1967.

Ш и н к о в А. Д. Полупроводниковые

П а с ы н к ов В. В.,

Ч и р к и н Л. К.,

9.

приборы. М., «Высшая школа», 1966.

 

Ф е д о т о в

Я-

А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., «Совет­

 

ское радио», 1969.

 

транзисторов и транзисторных схем.

10. С т е п а и е н к о

И. П. Основы теории

 

М., «Энергия»,

1967.

 

 

11.Цы к ии Г. С. Усилительные устройства. М., «Связь», 1971.

12.Н о с о в Ю. Р. Полупроводниковые импѵльсные диоды. М., «Советское радио»,

 

4965.

Ю. Р. Полупроводниковые приборы на основе барьера

Шоттки.

13. Н о с о в

 

В сб. «Полупроводниковые приборы и их применение». М., «Советское радио»,

 

5971 вып. 25.

В. К. и др. Полевые транзисторы. В сб. «Полупроводниковые

14. Н е в е ж

и и

 

приборы

и их применение». Вып. 25. М., «Советское радио», 1971, с. 128—158.

15. Ш е р с т н е ®

Л. Г. Электронная оптика и электронно-лучевые 'приборы. М.,

 

«Энергия»,

1971.

 

оптика и

электронно-лучевые приборы. М.,

16. Ж и га р е в

А. А. Электронная

 

«Высшая школа», 1972.

Л. А. Приемные электронно-лучевые

трубки.

17. М и л л е р

В. А.,

К у р а к и н

18.

М., «Энергия», 1971.

 

 

 

1969.

К а г а н о в

И. Л. Промышленная электроника. М., «Высшая школа»,

49. К ор а б л е в Л. Н. Лампы с холодным катодом. М., АН СССР, 1961.

1970.

20.

Г ен и с А. А. и др. Приборы тлеющего

разряда. Киев, «Техника»,

21.

П а р о л ь

Н. В. Надежность приемно-усилительных ламп. М., «Советское ра­

22.

дио», 1964.

 

 

Свойства полупроводниковых приборов при длительной ра­

Г о р ю н о в Н. Н

 

боте и хранении. М., «Энергия»,

1970.

 

 

 

23. М о р о з о в а

И. Г. Учебная лаборатория электровакуумных и полупровод­

 

никовых приборов. М., Атомиздат, 1967.

 

 

 

I

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ