![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Кушманов И.В. Электронные приборы учеб. пособие
.pdfЩ Коллектор Эмиттер Ваза, |
применен слои п+ с повышенной прово |
||||||||||||
|
— V---------- ------------- / |
димостью. Структуры рис. 3.86 и в изо |
|||||||||||
|
|
лируются от подложки р-я-переходом, а |
|||||||||||
|
|
структура рис. 3.8а— окисной |
пленкой. |
||||||||||
|
|
В случае изоляции р-п-переходом об |
|||||||||||
|
|
разуется |
паразитный |
транзистор |
типа |
||||||||
|
|
р-п-р, коллектором которого служлт под |
|||||||||||
|
|
ложка, |
базой — коллектор |
основного |
|||||||||
6) |
Коллектор Эмиттер Ваза, |
транзистора, |
а эмиттером — база |
создан |
|||||||||
ного. При разработке схем следует учи |
|||||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
тывать |
влияние |
паразитных |
транзисто |
||||||||
|
|
ров, диодов и связей, поскольку они мо |
|||||||||||
|
|
гут |
играть |
как |
|
полезную роль (улуч |
|||||||
|
|
шить изоляцию от подложки), так и вред |
|||||||||||
|
|
ную і(нарушить |
работоспособность |
схе |
|||||||||
|
|
мы). Интегральное выполнение полевого |
|||||||||||
|
|
транзистора |
показано |
|
на |
рис. |
2.86, |
||||||
в) |
Коллектор Эмиттер Ваза |
МОП-транзистора |
с индуцированным ка |
||||||||||
налом — на рис. 2.91й, |
|
а с встроенным |
|||||||||||
|
|
|
|||||||||||
|
|
каналом — на рис. 2.9,16. |
|
микросхе |
|||||||||
|
|
|
Пленочная |
интегральная |
|||||||||
|
|
ма — это интегральная схема, элементы |
|||||||||||
|
|
которой |
нанесены |
на |
|
поверхность ди |
|||||||
|
|
электрического материала'в виде пленок. |
|||||||||||
|
|
Пленки наносят с одной или двух сторон |
|||||||||||
|
|
на диэлектрические подложки, выполнен |
|||||||||||
8) |
КоллекторЭмиттерВаза, |
ные из стекла, керамики |
и |
других ди |
|||||||||
|
|
электрических материалов. |
|
микро |
|||||||||
|
|
|
Тонкопленочная |
интегральная |
|||||||||
|
|
схема — пленочная интегральная схема |
|||||||||||
|
wSiQt |
с толщиной пленок до |
1 -10—6 м. Элемен |
||||||||||
|
ты |
микросхемы |
наносят |
преимуществен |
|||||||||
|
Поликристалличес- |
но |
методами |
термовакуумного |
осажде |
||||||||
|
кий кремний |
||||||||||||
Рии 3.8. Структуры транзи |
ния и катодного распыления. |
|
|
|
|||||||||
|
Для |
получения |
пленочных |
элементов |
|||||||||
сторов: |
|
||||||||||||
а) |
вид сверху; б) разрез |
наиболее широко применяют методы тер |
пластины; s) транзистор с мического напыления в вакууме. Напы-
лониженным сопротивлени- |
ляемый материал нагревают в вакуумной |
||||
ем |
коллектора; |
г) транзис |
камере с |
разрежением |
ІО-4—101-7 МуМ |
тор с изоляцией от подлож- |
|||||
.ки пленкой окисла |
рт. ст. до температуры кипения. Пары на |
||||
на |
подложке. |
|
пыляемого |
материала |
конденсируются |
Требуемая конфигурация пленок |
обеспечивается |
использованием масок с отверстиями нужной формы, помещаемых между подложкой и испарителем. Заменяя маски и напыляемые материалы, можно получить на одной подложке последовательно ряд пленок из различных материалов. Толщина напыляемых пле нок зависит от расстояния 'между испарителем и подложкой, а также от времени напыления и колеблется в пределах ІО-2—
240
10~б мм. Требуемую конфигурацию пленкам можно придать также с помощью электронного луча или луча лазера. Широкий луч при меняется для нагревания, а узкий (порядка нескольких микрон) — для выжигания в пленках соответствующих рисунков и изготов ления элементов схемы размерами в несколько десятых долей ангстема.
Активными элементами пленочных схем могут служить пленоч ные полевые транзисторы и диоды. Пленки имеют поликристалли ческую структуру, что исключает получение качественных р-п-пе реходов, а следовательно, и биполярных транзисторов. Однако пле ночные активные элементы по своим параметрам уступают бескорпусным полупроводниковым приборам и активным элементам по лупроводниковых микросхем.
Толстопленочная интегральная микросхема — пленочная интег ральная микросхема с толщиной пленок свыше 1 -10—6 м. Элемен ты микросхемы наносят на подложку преимущественно методом шелкографии.
Гибридная интегральная микросхема — интегральная микросхе ма, часть элементов которой имеет самостоятельное конструктив ное оформление. Рассмотрим такую микросхему на примере RC-ге нератора синусоидальных колебаний (рис. 3.9а). Пленочной тех нологией получены все пас сивные элементы, а актив ный элемент — транзистор навесной. Эквивалентная электрическая схема генера тора показана на рис. 3.96.
При изготовлении гене ратора на.одну сторону ди электрической подложки А наносят кольцеобразный лолупроводящий слой Б, на который напыляют металли ческие отводы В. .К этим от
водам присоединяют транзистор, источники питания и нагрузку. С обратной стороны подложки напыляют кольцеобразную метал лическую плевку, которая совместно 'с полутроводящим слоем Б создает фазосдвигающую цепь с распределенными постоянными, служащую для сдвига фазы напряжения на 180°. При этом любое повышение напряжения на базе сопровождается увеличением кол лекторного тока и уменьшением напряжения на коллекторе. Это напряжение, .приложенное к фазосдвигающей цепи, изменит свою фазу на 180° и вызовет дальнейшее увеличение напряжения на ба зе, т. е. схема будет генерировать.
Линейная интегральная микросхема — микросхема, выполнен ная по любой технологии, предназначенная для работы с аналого выми сигналами. Линейные интегральные микросхемы выполняют функции усилителей, генераторов, преобразователей и т. д.
241
Функциональная полупроводниковая микросхема на примере преобразователя переменного тока в постоянный приведена на рис. 3.10а, а электрическая схема, выполняющая аналогичные функ ции,— на рис. ЗЛОб. Устройство содержит полупроводниковую об
|
ласть Я, являющуюся сопро |
|||
|
тивлением, |
которое нагрева |
||
|
ется переменным током,про |
|||
|
ходящим через контакты 1— |
|||
|
2. |
Тепло через |
тонкую изо |
|
|
лирующую |
область И пере |
||
Рис. ЗЛО. Функциональная полупровод |
дается термоэлектрическому |
|||
слою Т, в котором возника |
||||
никовая микросхема: |
ет |
постоянное |
напряжение |
|
а) конструкция; б) эквивалентная элект |
||||
рическая схема |
на основе |
эффекта Зеебека. |
||
|
Структура |
обладаетболь |
шой теплоемкостью, поэтому распределение температур в области Т за период переменного напряжения практически не меняется. Та ким образом, с контактов 3 и 4 термоэлектрической области сни мают постоянное напряжение, имеющее малые пульсации. Из срав нения схем рис. 3.10а и б видно, что нет возможности сопоставить отдельным деталям схемы локальные структуры, как это было можно сделать в интегральных схемах. Следует заметить, что се рийно функциональные схемы пока не выпускаются.
В настоящее время развертывается широкое производство боль ших интегральных микросхем (БИС), которые позволят создавать более дешевые и надежные радиоэлектронные устройства. Эти мик росхемы имеют большую, чем интегральные, степень интеграции и могут заменять отдельные блоки устройства, например, многораз рядный десятичный счетчик, регистр сдвига, многоразрядный сум матор в ЭВМ и т. д. Ведутся разработки молекулярных схем, ис пользующих квантовомеханические процессы в твердом теле, что позволит повысить быстродействие и надежность устройств и уменьшить их габариты.
4 г л а в а
ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ПРИБОРЫ
4.1.ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
Электронно-лучевой прибор представляет собой элек
тронный вакуумный прибор, в котором используется электронный поток, концентрированный в форме луча или пучка лучей. Элект ронно-лучевые приборы можно классифицировать по различным признакам: по способу фокусировки луча (трубки с электростати ческой или магнитной фокусировкой), по способу отклонения луча (трубки с электростатическим, магнитным и комбинированным от клонением луча), по цвету свечения экрана (трубки с белым, зеле ным, голубым и т. д. свечением экрана), по длительности после свечения экрана (трубки с коротким, средним и длительным вре менем послесвечения), по назначению (трубки осциллографические, радиолокационные, приемные и передающие телевизионные, трубки памяти, электронные микроскопы, электронные переключа тели и т. д.).
Основные элементы большинства электронно-лучевых приборов показана на рис. 4.1. Источником электронов служит подогревной катод К, выполненный в виде никелевого цилиндра, на тор цевую поверхность которого нанесен оксидный слой. Подо грев осуществляется нитью накала И. Электроны, эмиттированные катодом, ускоряются полем анода А, имеющего большой положительный по тенциал. Анод — полный ни келевый цилиндр с диафраг мой, имеющей отверстие. .Меж ду анодом и катодом помещен модулятор М. Меняя отрица
тельное напряжение на модуляторе, можно изменять минимум по тенциала у поверхности катода и одновременно его рабочую по верхность, что приводит к изменению числа электронов в пучке.
243
Катод, модулятор и анод составляют электронную линзу, кон фигурация электростатического поля в которой такова, что осуще ствляется предварительная фокусировка электронного потока. Окончательная фокусировка пучка осуществляется либо электро статическим, либо магнитным полем, создаваемым фокусирующей системой ФС. Пучок отклоняется либо электростатическим полем, либо магнитным, либо совместно действующими электростатиче скими и магнитными полями, создаваемыми отклоняющей систе мой ОС. Приемником электронного пучка служит экран Э, образо ванный слоем люминофора, нанесенного на внутреннюю часть кол бы и светящегося под действием падающих электронов, либо ми шень, выполненная в виде диэлектрической пластинки, на которой под действием электронной бомбардировки образуется потенциаль ный рельеф. При электростатической фокусировке и электростати ческом управлении электронным пучком все электроды заключены внутри колбы, в которой создается высокий вакуум. При магнит ной фокусировке и магнитном отклонении фокусирующую и взаим но перпендикулярные отклоняющие катушки размещают снаружи колбы. Электроды, находящиеся внутри колбы, выполняют из диа магнитного материала, чтобы их случайное намагничивание не привело к искажению наблюдаемых процессов.
4.2. ФОКУСИРУЮЩИЕ СИСТЕМЫ
Принцип действия
Действие электрического поля на движущийся элек трон поясняется рис. 4.2, на котором показана резкая граница AB
между двумя областями с потенциалами |
Щ и £/о('£/2> £ Л ). Элект- |
||||||||
|
рои 'падает на границу |
со |
|
скоростью щ под |
|||||
1 |
углом фі к інормали. Скорость электрона (если |
||||||||
его .начальная скорость |
была равна нулю) од |
||||||||
Ѵп |
|||||||||
|
нозначно связана с потенциалом пространства: |
||||||||
|
Оі = У 2qUi/m, v%=Y2qU 2lm, |
гДе m — масса |
|||||||
|
электрона, а -q — его |
заряд. |
Разложим ско |
||||||
Рис. 4.2. К пояснению |
рость электрона на нормальную и тангенци |
||||||||
альную |
составляющие. |
Очевидно, |
тангенци |
||||||
закона преломления п |
альная |
составляющая |
сП при |
прохождении |
|||||
электронной оптике |
электроном границы раздела областей не из |
||||||||
|
|||||||||
менится, а нормальная ѵп увеличится. |
Из |
рисунка |
следует, что |
||||||
Ѵ х = Ѵ і Sin фі, |
V х — Ü2'Sin фц, HO V = |
Ц |
|
Отсюда |
получаем |
||||
Vi sin ф.і= '0 2 sin ф2. Выражая |
скорости через |
потенциалы, |
находим: |
||||||
Y 2q Ulim sin фі = У 2 ^ U2jm sin ф2; |
|
|
|||||||
n = sin фі/sin ф2 = Y U 2IUI = |
|
1 + |
А и |
|
|
||||
|
|
Ui |
|
|
где AU=U2—Ui; n — коэффициент преломления.
244
Это закон электронной оптики, аналогичный закону световой оптики. В отличие от оптических сред, где п — постоянная величи на, резко меняющаяся на границе раздела сред, в электронной оп тике, п непрерывно меняется.
Для удобства построения траекторий электронов непрерывное
.изменение потенциала заменим скачкообразным. В пределах каж дой области, заключенной между двумя эквипотенциальными по верхностями, потенциал примем неизменным, т. е. образуем элект-
а) иг>щ 6} иг и, S) и2>и, г] иг ^и{ ді иг щ е)иг*и ,
Рис. 4.3. Траектории электронов в электрическом поле, созданном двумя сетками:
а, б) ллсюкне; в, г) «отдутые; д, е) выпуклые
рические двойные слои. Простейшим примером такого слоя могут служить две сетки (рис. 4.3), расположенные близко друг к другу
и имеющие разные потенциалы. Если |
U2> U і, то показатель пре |
|||
ломления |
п > 1 |
и угол фі>ср2. При U2< U I наблюдаем |
обратную1 |
|
картину. |
Если |
U2= —Uі, то, поскольку |
отрицательный |
потенциал |
отталкивает электрон, получим полное отражение, т. е. электрон ное зеркало. Придавая сеткам соответствующую конфигурацию, можно создавать собирающие и рассеивающие линзы, а меняя
потенциалы между ними, можно регулировать |
показатель прелом |
|
ления. Траекторию электронов в этих линзах |
строят следующим |
|
образом: проводят нормаль в точке падения электронов, |
а затем |
|
определяют по потенциалам U\ и il/g, какой |
из углов ф, |
или ф^ |
больше. |
|
|
Из рис. 4.3 видно, что системы а, в, е, обладают собирательными-
свойствами, поскольку они приближают луч |
к оси, а системы г, |
д — рассеивающими. Реально поля создаются |
системами коакси |
альных электродов, причем показатель преломления и конфигура ция полей взаимно связаны. ;
Электростатическая фокусировка
Электростатическая фокусировка осуществляется на бором простейших электронно-оптических линз, рассмотренных-, ниже.
Диафрагма с отверстием (рис. 4.4а). По обе стороны диаф рагмы находятся области с однородным полем, имеющие разные потенциалы. Эквипотенциальные поверхности, а также траектория электронов в линзе показаны на рис. 4.4а. Диафрагма с отвер стием может быть и собирательной (рис. 4.4а), и рассеивающей
245
линзой. Самостоятельно она не применяется, но является составной частью сложных линз.
Унипотенциальная или одиночная линза набирается из трех ци линдров или диафрагм, причем крайние диафрагмы имеют одина ковые потенциалы (что отражает ся в названии), отличные от по тенциала .внутреннего электрода.
Эквипотенциальные поверхности и траектории электронов в этой лі-йзе показаны на рис. 4.4е. У этой линзы энергия.электронов на входе и выходе одинакова.
Если средний электрод линзы имеет потенциал катода, то ее
Рис. 4.4. Электронно-оптические линзы:
я) диафрагма с отверстием собирающая; б) иммерсионная; в) одиночная линза
фокусирующие свойства не зависят от потенциала внешних элект родов и нестабильность напряжения на них не приводит к расфоку сировке. При этом линза называется однопотенциальной.
Иммерсионная линза имеет постоянные, но не равные потенциа лы слева и справа и образована двумя соосными цилиндрами (рис. 4.46). Левая половина линзы обладает собирательными свойства ми, а правая — рассеивающими. Силы, действующие на электрон в обеих половинах линзы, одинаковы вследствие симметрии поля, а ■время их действия различно. В собирающей части линзы скорость электронов мала и время действия на них собирающей силы боль ше времени действия рассеивающей силы во второй половине лин зы, где скорость электронов велика вследствие большого потенциа ла пространства. Таким образом, иммерсионная линза в целом со стоит из сильной собирающей линзы и слабой рассеивающей. Сум марное действие такой линзы — собирающее.
Иммерсионный объектив — электронно-оптическая система, со стоящая из катода, модулятора и анода. Можно считать также, что иммерсионный объектив представляет собой иммерсионную линзу,» внутри которой находится источник электронов (рис. 4.6). Такой объектив является простейшим электронным прожектором для
246
трубки с магнитной фокусировкой. Иммерсионный объектив созда ет на некотором расстоянии Ь от средней плоскости линзы увели ченное изображение катода. Увеличение
М = -^L- |
(4.1> |
Гк |
|
где UK— потенциал области катода; Un — потенциал области изо бражения.
С увеличением расстояния b от средней плоскости линзы до изо бражения катода размер этого изображения гІЪ определяющий: диаметр пятна на экране, сильно уве -ччивается. Для уменьшения, размеров пятна на экране исполь зуют вторую линзу. В этом случае диаметр пятна на экране определя ется или размером изображения ка тода, или диаметром 2гс скрещения электронных лучей в плоскости сс' (кроссовер). Поскольку диаметр кроссовера меньше величины 2гт то его изображение на катоде дает пятно меньшего размера. Для умень шения диаметра скрещения необхо димо повысить напряжение на вто ром аноде.
Электронный прожектор — кон структивный узел, состоящий из катода и одного или нескольких
электродов, предназначен для формирования электронного луча. В трубках с электростатической фокусировкой электронный про жектор представляет собой иммерсионный объектив і(первая лин за предварительной фокусировки) дополненный электростатической линзой чаще всего иммерсионного или унипопотенциального типа.-
Простейшая конструкция прожектора и схема подачи напряже ния на его электроды приведена на рис. 4.6а. Такой прожектор называется триодным, поскольку он содержит катод, модулятор и второй анод, выполняющие функции, аналогичные катоду, сетке и аноду триода, а также фокусирующий электрод, называемый пер вым анодом. В триодном прожекторе изменение потенциала моду лятора при регулировке яркости изображения приводит к наруше нию фокусировки пятна на экране. Это связано, во-первых, с из менением фокусного расстояния иммерсионного объектива, обра зованного катодом, первым анодом и модулятором, а во-вторых, с тем, что электроды прожектора питаются для уменьшения мощно сти высоковольтного выпрямителя через высокоомный делитель. Часть электронов перехватывается диафрагмами фокусирующего электрода, и поэтому в его цепи течет ток, величина которого срав нима с током, протекающим через делитель. Величина этого тока меняется при изменении потенциала модулятора, а следователь-
247
mo, меняется и падение напряжения на делителе, что приводит к изменению потенциала фокусирующего электрода. В результате меняется оптическая сила обеих электронных линз и происходит расфокусировка пятна.
Оценим изменение фокусного расстояния иммерсионного объек тива при увеличении потенциала модулятора на 40 В. Потенциал фокусирующего электрода у большин ства трубок равен .(0,25—0,2) і/а2, что при U 2000 В даст 400 В. Измене ние фокусного расстояния объектива будем оценивать как отношение изме-
Ннения потенциала линзы к ее макси мальному потенциалу: 40/400 = 0,1. Это
3 приведет к смещению области скреще ния и заметному нарушению фокуси ровки. Для устранения указанного эф- f фекта между модулятором и первым анодом помещают ускоряющий элек-
зтрод (тетродный прожектор рис. 4,66), на который подают положительный потенциал порядка 6004-1000 В (в ки нескопах), или соединяют этот электрод со вторым анодом (в осциллогра-'
*фических трубках). В данном случае при 1732=2000 В изменение потенциа ла модулятора на 40 В .приведет к из
|
|
|
|
|
менению |
фокусного |
расстояния |
им |
||||
|
|
|
|
|
мерсионного объектива |
на |
40/2000 = |
|||||
|
|
|
|
|
= 0,02, что практически не скажется на |
|||||||
|
|
|
|
|
фокусировке. |
|
второй |
причины |
||||
|
|
|
|
|
Для |
устранения |
||||||
ІРИС. 4.6. |
Варианты конструк- |
расфокусировки уменьшают ток фоку- |
||||||||||
•тивного |
выполнения электрон- |
сиірующего электрода до нуля, что дос- |
||||||||||
ных прожекторов: |
|
тигается выполнением |
фокусирующего |
|||||||||
а) |
триодного; |
б) тетродного; |
электрода в'виде диафрагмы >с широ- |
|||||||||
в) |
тетродного с нулевым током |
^ |
|
|
^ |
|
|
|
^ |
|||
фокусирующего |
электрода; |
ким отверстием или в виде короткого |
||||||||||
■г) тетродного с |
нулевым |
по- |
цилиндра, |
диаметр |
которого превы- |
|||||||
•тенциалом |
фокусирующего |
шает диаметры |
остальных электродов |
|||||||||
электрода; |
|
Аі — |
(рис. 4.ßs). Такой .прожектор обеопе- |
|||||||||
К — катор: |
A t— модулятор: |
ЧІИВЯеТ |
|
« |
ДИЯМвТр |
'ПЯТИа, И |
При |
|||||
первый анод; Л2-второй |
анод, |
М-ЭЛЫИ |
экран ускоряюши®электР°д: э - изменении яркости последнего фокуси ровка практически не нарушается. Он применяется в большинстве современных трубок с электростати
ческой фокусировкой.
Дальнейшей модификацией прожектора, описанного выше, яв ляется прожектор с нулевым потенциалом фокусирующего элек трода (рис. 4.6а). Он рассчитывается так, что фокусировка обеспе чивается при равных потенциалах фокусирующего электрода и ка
^ 4 8
тода. Вследствие этого фокусировка не зависит от изменения пи тающих напряжений.
Аберрации электронно-оптических систем
Как и в оптических системах, в электронно-оптической
.аппаратуре различают аберрации: хроматическую, сферическую,, кому, дисторсию и астигматизм.
Все эти аберрации (кроме хроматической) вызваны тем, чтоконфигурация поля линзы неидеально симметрична, а пучок не строго параксиален, т. е. электроны в нем разлетаются под боль шими углами. Поэтому узкий пучок фокусируется в одном месте экрана, а более широкий — в другом и вместо точки объекта на экране воспроизводится аберрационная фигура сложной формы.
Хроматическая аберрация обусловлена различием начальных скоростей электронов. Фокусное расстояние линзы для электронов с большими скоростями несколько больше, и поэтому они фоку сируются за пределами экрана, из-за чего пятно имеет вид раз мытой окружности. Эта аберрация легко устраняется повышением потенциала ускоряющего электрода. При потенциале порядка \-r-2 кВ с ней можно не считаться.
Сферическая аберрация (4.7б) характеризуется тем, что вме сто точки объекта появляется окружность. Электроны, влетающие
отклоняются |
ею |
сильнее |
и, |
|
|
||||
следовательно, |
будут |
фокуси |
|
|
|||||
роваться до экрана: на экран |
|
|
|||||||
же |
будет |
попадать |
расходя |
|
|
||||
щийся пучок, |
дающий |
окруж |
|
|
|||||
ность. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Кома. В этом случае иска |
|
|
|||||||
жаются |
точки |
объекта, лежа |
|
|
|||||
щие |
вне |
оси трубки. Искаже |
|
|
|||||
ние |
тем |
больше, |
чем |
дальше |
Рис- 4.7. Геометрические аберрации: |
||||
точки ОТ оси (рис. 4.7б). Абер- |
|||||||||
рационная |
фигура |
имеет |
вид |
а>точное |
изображение; 6J сферическая- |
||||
кометы, |
так. как она образует- |
а, е ) д и с т о р с и я |
|||||||
ся наложением кругов с увели |
|
удаляющимися от точки |
|||||||
чивающимися |
радиусами и центрами, |
изображения. Происхождение комы объясняется асимметрией электронного пучка, испускаемого точкой объектива «А» вне оси,, относительно оси системы.
Астигматизм. При астигматизме (рис. 4.7г) аберрационная фи гура имеет вид эллипса, центр которого совпадает с изображением точки объекта. В некоторых случаях эллипс вырождается в пря мую или в окружность. Точки, лежащие на оси, при этом воспро изводятся без искажений. Астигматизм получается вследствие раз ного фокусного расстояния линзы для меридиальных и сагиталь-
249«