Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Экономика и организация полупроводникового производства учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
11
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
9.4 Mб
Скачать

ские,

фотолитографические, различные виды металлообработ­

ки, сварка, пайка, нанесение различных покрытий и т. д.

Укажем кратко назначение основных операций

технологиче­

ского

процесса изготовления полупроводниковых

триодов и

диодов.1 Технологический процесс получения приборов начина­ ется операциями производства полупроводниковых кристаллов.

Первой операцией процесса является ориентация слитков полупроводниковых материалов рентгеновским или световым методами. Ориентация осуществляется с целью определения угла отклонения той или иной кристаллографической плоскости от геометрической оси слитка. Ориентация слитков позволяет добиться .лучшей воспроизводимости параметров прибора от партии партии.

Следующими операциями получений кристаллов является резка слитков на пластины и их шлифовка и полировка. Резка слитков на пластины произіводится для получения заготовок (пластин) толщиной 0,і'5—1 мм. Резка осуществляется быстробегущей проволокой, а в последнее время кольцеобразной пи­

лой с внутренней

аямазоноопой

режущей кромкой. Шли­

фовкой в несколько стадий п полировкой толщина

заготовки

доводится

до

заданного

размера,

обеспечивается

необходи­

мая чистота поверхности.

Очистка

поверхности

пластин и

кристаллов

от

окислов и загрязнений и удаление нарушенного

слоя производится травлением их поверхностного слоя.

Резка пластин на кристаллы осуществляется различными

способами. После резки осуществляется! промывка

кристал­

лов в органических

соединениях

и

высокочистой деиоиизован-

ной воде, часто с применением ультразвука, и сушка в среде очищенного и осушенного газа.

Для улучшения качества приборов и обеспечения воспро­ изводимости результатов кристаллы сортируют по размерным

группам, что позволяет в процессе дальнейшей обработки

более

точно определять технологические режимы с учетом

толщины

кристаллов в каждой размерной группе.

 

 

Получение,

р-н-переходов является основной

операцией

в производстве

полупроводниковых приборов. Переход

р-п,

являющийся собственно полупроводниковым прибором, образу­ ется при сплавлении, диффузии, вытягивании из расплава, электрохимическом осаждении соответствующих металлов при эпитаксиальном выращивании.

1 Изложение техпроцесса изготовления диодов и триодов дается до книге «Оборудование для производства полупроводниковых диодов и триодов» под ред. П. Н. Масленникова «Энергия», М., 1970 г.

58

После получения р-п — перехода очищают места выхода перехода, на поверхность кристалла, чтобы избежать шунти­ рующего влияния загрязнений. Очистка производится химиче­ ским, а иногда электрохимическим травлением. Для предохра­ нения от воздействия окружающей среды места выхода пе­ рехода на поверхность покрывают защитной пленкой.

Для получения выводов при производстве диодов и трио­ дов все чаще применяется вакуумное напылений металличе­ ских слоев.

При сборочных операциях производится сборка элементов, напайка кристалла на кристалл одержатель й ножку, присое­ динение выводов, герметизация в корпусе, а также заключи­ тельные операции покрытия, маркировки и упаковки готовых приборов.

Готовый прибор подвергается контролю и испытаниям по обширной программе.

Металлические детали (баллоны, фланцы, кристаллодержателн и др.), а также пластмассовые детали изготавливаются на прессовом оборудовании с использованием специальной вы­ сокопроизводительной оснастки. Для их очистки применяются различные процессы обезжиривания, травления, промывки а отяшга.

При производстве полупроводниковых приборов по мезатехнолотии, а также планарных триодов, твердых схем и при диффузии с маскировкой широко применяются процессы фо­ тографического получения рпсунка необходимой структуры на фоторезисте, нанесенном на окисленную поверхность пласти­ ны кремния. После смывания отдельных незадубленяых участ­ ков пленки фоторезиста и вытравливания защитной окиюной пленки производится диффузия примесей в «окна». Операции по окислению пластины, нанесению фоторезиста, его засветке, растворению, травлению окислов и диффузии могут повто­ ряться с целью получения базовой и эмиттерной областей.

Все, технологические операции по изготовлению полупро­ водниковых приборов объединены единым производственным процессом, в составе которого выделяются основные, вспомо­ гательные и обслуживающие^ процессы.

Основные производственные процессы направлены на из­ готовление полупроводниковых приборов, их деталей и дру­ гих составных частей. К основным процессам относятся:

— Заготовительные процессы, в ходе которых изготавлива­ ются металлические детали, металлостеклянные спаи и элект­ родные сплавы.

59

— Обрабатывающие процессы, включающие в себя произ­ водство пластин и кристаллов и процессы получения р-п — переходов различными методами, травления, защиту перехо­ дов и контроль их качества.

— Сборочные процессы включают •перацин присоединения кристаллов с образованными) в них переходами к крислвдигодержателюплн ножке, присоединения выводов электрода к электро­ дам перехода и выводам ножки, помещения перехода в баллон, герметизации, нанесения внешнего покрытия на корпус, лу­ жения выводов и маркировки готовых приборов. К сборочной стадии производственного процесса относятся и контрольно-из­ мерительные н испытательные операции, служащие для конт­ роля электрических параметров 'приборов, проведения механи­ ческих, климатических п электрических испытаний.

К вспомогательным процессам относятся операции, направ­ ленные на создание продукции, потребляемой! внутри пред­ приятия (инструмент, оснастка) и обеспечивающие необходи­ мые параметры технологических сред и энергоносителей (деиогаизованной воды, инертных газов, водорода,, воздуха и др.).

Обслуживающие процессы обеспечивают обслуживание основного и вспомогательного производства. К ним относятся складские, транспортные и некоторые другие работы.

§2. Организация производственного процесса

Всвоем анализе мануфактурного производства К. Маркс

указывал, что организация общественного труда обеспечива­ ется его качественным разделением и количественной пропор­ циональностью между отдельными процессами общественного производства. В современном производстве четкое взаимодей­ ствие всех звеньев производственного процесса может осно­

вываться

только на базе соответствующих количественных

норм и

пропорций.

В основе организации производства на полупроводниковых предприятиях лежат научные принципы организации произ­ водственных процессов: специализация, прямоточшютъ, непре­ рывность, паріаллельнооть, пропорциональность и ритмичность. В той или иной степени эти принципы реализуются на всех предприятиях? полупроводниковой промышленности.

Принцип специализации представляет собой форму общест­ венного разделения труда и находит выражение в том, что производственный процесс изготовления приборов расчленя-

00

ется на составные части, а каждое подразделение

завода —

цех, участок и рабочее место — специализируется на

выполне­

нии строто-ограничепной номенклатуры работ. В полупровод­ никовом производстве каждое рабочее место специализируется на выполнении определенной технологической операции. Это

способствует

повышению

производственных навыков рабочего

и позволяет

применять

высокопрозводительное

специальное

оборудование.

 

 

 

Принцип прямоточности следует понимать как обеспечение кратчайшего пути, проходимого изделием по всем фазам про­ изводственного процесса, прямолинейнсто движения предметов труда по ходу технологического процесса. На полупроводнико­ вых предприятиях прямоточность достигается расположением цехов, участков, линий и рабочих мест в соответствии с пос­ ледовательностью выполнения операций производственного процесса.

Особенностью полупроводникового производства являетсято, что в сборочных цехах принцип прямоточности часто на­ рушается из-за технологической s специализации участков, особенно при изготовлении диффузионных приборов. Напри­ мер, пластины с диффузии поступают на участок фотолито­ графии, с фотолитографии возвращаются на участок диффу­ зии, после диффузии возможен возврат на участок химической обработки пластин п т. д.

Принцип непрерывности означает необходимость устране­ ния либо уменьшения всякого рода перерывов в'производстве данного конкретного изделия. Для полупроводникового! про­ изводства характерен высокий уровень непрерывности произ­ водственного процесса. Нарушение непрывиостп имеет место в связи с партионным характером обработки изделий и межопе­ рационным пролеживапием обрабатываемых предметов и з ©вязи с плохой синхронизацией процессов во времени. Сокращение и даже ликвидация перерывов достигается! при создании авто­ матических лоточных линий, где длительность операций строго синхронизирована и транспортировка изделий осуществляется автоматически не партиями, а чаще всего — подетально, по­ штучно. '

Параллельность как принцип организации производственно­ го процесса характеризуется тем, что отдельные операции шли процессы выполняются одновремено. Этот принцип находит свое полное воплощение в процессах, осуществляемых на по­ лупроводниковых предприятиях. Одним из примеров его реа­ лизации является применение групповой обработки на ряде

61

операций

(диффузия

пластин), которая

позволяет

в 100—

200 раз снизить трудоемкость этих работ.

 

 

Под

принципом

пропорциональности

понимается

пропор­

циональная производительность в единицу времени всех пропзводственных подразделений предприятия.

Принцип ритмичности требует обеспечения выпуска в рав­ ные промежутки времени равных, одинаковых количеств про­ дукции.

Организация производственного процесса на основе охарак­ теризованных принципов предполагает надлежащее сочетание производственных процессов в пространстве п во времени.

Сочетание частей производственного процесса в пространст­ ве обеспечивается структурой предприятия. Под производст­ венной структурой понимается совокупность производственных единиц предприятия, входящих в его состав, а также формы fcix взаимосвязи.

В составе полупроводникового предприятия выделяются основные и вспомогательные) цехп, обслуживающие хозяй­ ства.

К основным цехам относятся цехп, изготавливающие основ­ ную продукцию завода — полупроводниковые приборы. Ха­ рактер основных производственных процессов, а также уро­ вень специализации и кооперирования предприятия опреде­ ляет собой состав основных производственных цехов.

Основные цехи подразделяются на три группы: заготови­ тельные, обрабатывающие и сборочные.

Заготовительные цехп осуществляют предварительное фор­ мообразование частей приборов. На большинстве полупровод­ никовых заводов заготовительная фаза производственного про­ цесса невелика по объему и особые заготовительные цехи не создаются. Заготовительные операции выполняются на специа­ лизированных участках обрабатывающих цехов. Так, в штам­ повочном цехе выделяется участок порезки материалов, в дру­ гих цехах — участок порезки слитков полупроводниковых ма­ териалов и т. д. Поскольку в полупроводниковом производстве процессы получения металлических и пластмассовых деталей относятся к заготовительным процессам, с определенной •долей условности штамповочный цех может быть отнесен к загото­ вительным цехам. Обрабатывающими цехами в условиях по­ лупроводникового предприятия являются цехи изготовления кристаллов и цехи покрытий. К сборочным цехам относятся цехи сборки дискретных полупроводниковых приборов и ин­ тегральных схем. Название «сборочный цех» несколько услов-

62

•ыое в полупроводниковом производстве, так как в сборочном цехе полностью выполняются такие обрабатывающие процессы как диффузия и фотолитография.

Вспомогательными цехами полупроводникового завода яв­ ляются инструментальный цех, цех по изготовлению нестан­ дартного оборудования, ремонтно-механический и олектро-ре- монтаый цехи, энергетическое хозяйство завода.

Обслуживающие хозяйства — это складское хозяйство за­ вода, транспортная служба, служба контрольно-измерительной аппаратуры, некоторые заводские лаборатории.

Рациональная организация производства во времени обес­ печивается установлением эффективных форм движения пред­ метов труда в ходе производства.

Производственным циклом изготовления тех или иных де­ талей или изделий называется календарный период времени, в течение которого этот предмет трз^да проходит все стадии об­ работки (или сборки) от цервой производственной операции до выпуска готовой продукции. Длительность производственного цикла изделия выражается в календарных днях или часах. Производственный цикл полупроводниковых приборов состав­ ляет 20—30 дней. В наиболее общей форме длительность про­ изводственного цикла включает в себя затраты времени на выполнение технологических операций, время естественных процессов, контрольных и транспортных операций, время пе­ рерывов. Перерывы подразделяются на перерывы, связанные с режимом времени работы, и перерывы, вызванные межопера­ ционным пролеживанием деталей и изделий.

В практических расчетах в условиях полупроводникового производства длительность производственного цикла опреде­ ляется путем суммирования времени выполнения технологи­ ческих операций, времени естественных процессов и межопе­ рационного лролеживания. Отдельно рассчитывается цикл де­ талей и производственный цикл прибора.

Производственный цикл детали рассчитывается на партию деталей, размер которой определяется по формуле:

.

P P =

N M . K ,

 

где Рр-^ расчетный

размер

партии деталей,

гит.;

N w — месячная

потребность в деталях,

шт.;

К — коэффициент запуска, зшпсящий от количества

запусков в течение

месяца.

 

63

Месячная потребность в деталях рассчитывается по фор­

муле:.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

N H = ' n r - H ,

 

где ц,

— количество годных приборов, подлежащих

выпуску

 

ва

месяц,

тыс. шт.;

 

 

Н

— норма

расхода

деталей

на изготовление 1000 год­

 

ных

приборов,

шт.

 

 

Длительность

производственного

цикла на партию

деталей

( Т ц )

определяется

по

формуле:

 

 

~ (^тех ~~г tecT ~Ь hi оЖпер)

где

t T

e x

— врамя выполнения

технологических

операций,

 

 

 

час;

 

 

 

 

t e C T

— время естественных процессов, час;

 

 

tM

о

время межолерапиониого ггролеживания, час;

 

К п е

р

— коэффициент перевода рабочего времени в кален­

 

 

 

дарное.

 

 

 

 

Время выполнения технологических операций

определяет­

ся

по

 

формуле:

Р -t

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

'тех —

C~W

'

 

где

Р п

 

-- принятый размер партии, тыс. шт.;

 

 

 

 

норма времени на изготовление 1000 деталей по ве­

 

 

 

дущей операции,

час;

 

 

с- количество рабочих мест, занятых изготовлением партии деталей на данной операции;

В- коэффициент, учитывающий параллельность при движении партии деталей, рассчитывается по фор­ муле:

где а — количество операций по изготовлению детали.

Время естественных процессов рассчитывается и включа­ ется в расчет на основе действующих технологических инструк­ ций," а время пролеживания устанавливается опытным путем. На одном из предприятий время межолерационного пролежи­ вания принято равным двум часам после каждой операции про­ цесса, кроме операций, после которых пролеживапие не разре­ шается по технологическому процессу.

64-

2$

£ 4

2 3

2 2

2 0

І 9

Jg

17

16

15

13 , 12

I I

10

8

6

\«р\

WC

3/76

 

т

яро,

 

 

 

Сч­

I S

 

 

(ті

ет £ 3 £ 3

 

 

 

•а

I I

 

v

5!

 

 

 

 

МІ:

t&Ad

 

 

 

S4

 

 

З

flfP

 

 

 

m

Щ

(зо] [32І [й"

36 3 2

<0

42

 

 

 

33

35

Ш

Л

І

Ц

 

 

37

39

411 43

ч

Расшифровка операций к рис. 2

 

 

 

I р

 

 

Наименование и содер­

 

о-

 

 

жание, операции

О

 

 

і- о

 

 

 

 

 

 

 

о- с о о

• о о о

 

 

 

к

 

 

 

И о — о

 

 

0.

Получение кристаллов сСГД

 

р

1 011

1.

Травление, промывка

 

г расч

 

 

 

 

нсушка

 

 

 

 

кристаллов п/в—0,175

 

 

 

 

0,175X2,02 = 0,354

0,354

 

 

 

сушка 0,5

 

1,2

 

2.Освежение, промывка и сушка

кристаллов и/в0,233

0,471

0,233 X 2,02 =0,471 сушка 0,5

3.Загрузка и разгрузка кассет н/в—2,692

2,692X2,02 = 5,438

5,438

8,1

4.Сплавление н/в0,233

0,233X1,86=0,84

сушка 3,0

0,84

1,2

5.Контроль переходов н/в0,466

0,466X2,02 = 0,951

0,951

1,4

6.Травление переходов н/в-0,233 0,233X1,86 = 0,44

сушка 3,0

0,44

7.Нанесение защитных покрытий н/в1,555

1,555X1,86 = 2,892 Сушка I 4,0і

Сушка 11 — 48,0

2,892

4,3

8.Освежение переходов н/в-0,2133 0,2133X1,86 = 0,433

Сушка 2,0

0,433

1,3

9.Припайка перехода к кристаллодержателю н/в—3,888

3,888X1,86=7,232

7,232

10,8

11

'б. Заказ 7110 •

 

 

65

10.Проверка ЭП н/в—0,737

0,737X1,83=1,349

1,349

11.Приварка электродного вывода н/в-5,833

5,833X1,8 = 10,499

10,499

15,7

16

12.Контроль внешнего вида н/в—1,0

1,0X1,80 = 1,8

2,7

13.Контроль арматуры, собранной н/в на 50 шт.—0,065

 

0,065X1,68 = 0,109

0,109

 

14.

Набор для сварки н/в—1,067

1,75

2,6

 

1,067X1,6=1,75

15.

Кольцевая сварка н/в—1,045

 

 

 

1,045X1,64=1,714

 

 

 

Сушка —2,0

1,714

2,6

16.Контроль кольцевой сварки 2% н/в на 20 шт.—0,019

0,019X1,64 =0,031

0,031

17.Обжим коваровой трубки н/в—0.467

0,467X1,61=0,752

0,752

1,1

18.Отрезка никелевой трубки

-н/в-0,538

0,538X1,61=0,966

0,966

1,4

19.Проверка обжатой трубки н/в—0,56

0,56X1.61=0,902

0,903

1,3

20.Проверка на герметичность н/в—0,93

0,93X1,61 = 1,497

1,497

2,2

21.Контроль гермет. в масле 5% н/в на 50 шт.—0,041

0,041X1,57= 0,738

0,738

 

22. Проверка ЭП н/в-1,124

 

2,6

1.124X1,57=1,763

1,763

на прибор Д202—205

 

 

23.Прнварка верхнего вывода

 

 

н/в—1,522

 

3,2

1,522X1,43 = 2,176

2,176

66:

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ