Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Башкирский Государственный Аграрный Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

книги из ГПНТБ / Лодиз, Р. Рост монокристаллов

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

23.10.2023

Размер:

35.03 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 3334 / 5434 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 > Следующая >>>

7. РОСТ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ЖИДКИХ РАСТВОРОВ

337

жидкость — жидкость — кристалл (где две жидкости не смеши ваются) и др. Рост по механизму пар — жидкость — кристалл иллюстрируется схемой фиг. 7.33, на которой показан способ выращивания кристаллов Si. Осаждение из пара осуществляют за счет реакции диспропорционирования иодида (см. разд. 6.4)

2SII 2(g)

Sil 4 ( , , + Si(раств)

(7.16)

или восстановления SiCU водородом (см. разд. 6.4)

	S i C l 4 ( g )		+ 2 H 2 ( g )	ч=* 4HCl ( g ) + S	(7.17)
				'(раств).
Жидкая	фаза	представляет		собой раствор Si в Аи. Реакция
в газовой	фазе	не	приводит	прямо к образованию	кристалла,

	Жидкий. .
Комплексы Si	-раствор St
Комплексы Si
в паровой фазе
	Растущий
	"монокристалл Si

Кремниевая подложка

Ф и г . 7.33. Рост по механизму П — Ж — К.

а получается лишь жидкий раствор кремния. Из жидкого же раствора растет кристалл:

	Si(pacTB)	1 Si(S).		(7.18)
Условия	осаждения из газовой	фазы (скорость	потока,	скоро
сти реагирующих веществ, температура и т. д.)			обычно	такие
же, как	и при кристаллизации	из газовой фазы	с использова

нием тех же реакций (гл. 6, разд. 4). Например, при восста новлении SiCU водородом скорость потока обычно составляет 1000 см3 /мин, а мольные отношения SiCU/H2 достигают значе


ний,	равных			0,02.	Температура жидкой капли изменяется от
875	до	1200 °С, что			соответствует растворимости Si в золоте в
интервале			55—70		ат.%	[122]. Энергия		активации	процесса
П — Ж — К				составляет		7,5	ккал/моль, тогда как при выращи
вании		из	газовой		фазы	на	кремниевой	подложке	она равна

338	Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ
приблизительно 31 ккал/моль1 ). Скорость роста			приблизитель
но в 5 раз превышает скорость роста из газовой				фазы	(около
10 мкм/мин) в аналогичных условиях.		Очевидно,		жидкая		по
верхность в отличие от поверхности твердого			монокристалла
идеально атомно-шероховата, так что реакция			пар — жидкая
фаза происходит гораздо легче, чем аналогичная			реакция		пар —
кристалл. При кристаллизации из жидкой фазы			(реакция			жид
кость— кристалл)	относительно легко	получить	большой			тем

пературный градиент у растущей поверхности и уменьшить концентрационное переохлаждение. Механизм начальной ста дии не вполне ясен, но инициировать рост легко. На чистую


поверхность грани {111} монокристальной	пластинки		из кремния
помещают небольшую крупинку золота	и	нагревают	до 950 °С,
где она образует капельку жидкого сплава		Au — Si. Затем		в си
стему вводят пары исследуемого соединения и начинается				рост

нитевидных кристаллов. Капелька расплава остается все время на вершине нитевидного кристалла, и в определенных условиях могут возникать более сложные формы, чем одиночная нить.

Небольшой процент золота захватывается	растущим нитевид
ным кристаллом и, в конечном итоге, если	кристалл достаточно
длинный, оно полностью расходуется.

Кроме Si, описываемым методом выращивают и другие по лупроводники, в том числе Ge, GaAs, GaP и Ga(AsP) [123, 124], но большие объемные кристаллы до настоящего времени не удавалось вырастить. Обширный обзор по механизму и выра щенным материалам составлен Вагнером [14]. Для образования жидкой капли должны быть выполнены соответствующие усло вия:

1. Капля должна быть жидкой при соответствующих значе ниях температуры и концентрации растворяемого соединения.

2.Капля должна смачивать подложку.

3.Вещество, образующее каплю, не должно в больших кон


центрациях	захватываться		растущим	кристаллом.
4. Вещество не должно реагировать ни с одним из компо
нентов газовой фазы, кроме растворяемого соединения.
Золото используют в качестве растворителя и при выра
щивании Ge, a Ga — при		выращивании		GaAs. Механизм			роста
П — Ж — К	действует, как		выяснилось,	и в	некоторых		других
системах, в том числе в таких, как а-А12 03 ,					SiC и	ВеО, где
морфология	нитевидных	кристаллов характеризуется				наличием
у них округлых вершин.		Выращенные		кристаллы не		содержат

') По данным работ [150, 151], скорость роста нитевидного кристалла квадратично зависит от пересыщения, кинетический коэффициент составляет 1,6-10~4 см/с при Т = 1010 °С, а его энергия активации равна приблизительно 48 ккал/моль. — Прим. ред.

7. РОСТ КРИСТАЛЛОВ из жидких РАСТВОРОВ		339
дислокаций (чем отличаются от	обычных нитевидных	кристал
лов, в которых обнаруживаются	единичные винтовые	дислока

ции). Таким механизмом роста объясняется отсутствие «скру чивания Эшелби» [25] в некоторых нитевидных кристаллах. Дей

ствительно, как показывают		все новые	и	новые исследования
по выращиванию	кристаллов	методом	П	Ж — К,	нитевидные
кристаллы растут	преимущественно по		механизму		П Ж — К,
а механизм спирального дислокационного—				роста — весьма		ред
кое явление [14]').			П — Ж — К		—
Потенциальные	возможности метода				далеко	еще

не исчерпаны. Путем осаждения, например, Аи на Si с после дующим ростом по механизму П — Ж — К можно получать электронные микросхемы. Изменяя состав газовой фазы, полу чают полупроводниковые гетеропереходы.

*) В отсутствие дислокаций рост, безусловно, должен либо идти на атомно-шероховатой поверхности, либо предполагать какой-либо другой источник ступеней роста (например, зарождение но периферическому контуру вершины нитевидного кристалла). Установлено, однако [150], что скорость роста нитевидных кристаллов в процессе П—Ж—К квадратично зависит от пересыщения, как это должно было бы быть при дислокационном росте. Исследование дислокационной структуры этих кристаллов в работе [150] не проводилось. — Прим. ред.

ЛИТЕРАТУРА

К г л а в е

Thomas

Е.,

Gingrich

S.,

Journ. Chem. Phys.,

411

(1938).

Brown

G. #.,

Shaw

W. G., Chem. Rev.,

57,

1049

(1957).

Buerger

J.,

X-Ray

Crystallography,

Wiley,

New

York,

1942

(есть

пере

вод: Бюргер

M. Дж., Рентгеновская кристаллография, ИЛ, 1948).

Lipson

#.,

Cochran

W.,

The

Determination

Crystal

Structures,

Cornell

Univ. Press, 3rd ed., Ithaca,

N. Y., 1966

(есть

перевод:

Липсон

Г.,

Кок-

рен В., Определение структуры кристаллов, ИЛ, 1956).

Wohlstrom

Е.

Е.,

Optical

Crystallography, 4th

ed.,

Wiley,

New

York,

1969.

Hartshorne

#.,

Stuart

A.,

Crystals

and

Polarizing

Microscope,

Arnold,

London,

1960.

Hartshorne

H.,

Stuart

A.,

Practical

Optical

Crystallography,

Arnold,

London,

1964.

Blass

D.,

Introduction

the

Methods

Optical

Crystallography,

Holt, Rienhart and Winston, New York, 1961.

Winchell

N.,

Winchell

H.,

The Microscopical

Characters

Artificial

Inor

ganic

Solid

Substances, Academic Press, N. Y.,

1964 (есть

перевод:

Вин-

челл

А.

Н.,

Винчелл

Г., Оптические

свойства

искусственных

минералов,

изд-во «Мир», 1967).

10.

Ford

Е.,

Dana's

Textbook

Mineralogy,

4th

ed.,

Wiley,

New

York,

1958.

11.

Gschneidner

A.,

Vineyard

G. H., Journ. Appl. Phys.,

33,

3444

(1962).

12.Wood E. A., Crystal Orientation Manual, Columbia Univ. Press, New York, 1963.

13.

Bond

L . , Acta Cryst.,

13,

814

(1960).

14.

Barns

R. L . , Mater. Res.

Bull. 2,

276

(1967).

15.

Barrett

C. S., Massalski

Т. В., Structure

of Metals, McGraw-Hill,

New

York,

1966.

16.

Azaroff

L . V., Buerger

J.,

Powder

Method

X-Ray

Crystallography,

McGraw-Hill, New York,

1958.

17.

D'Eye

W. M.,

Wait

E.,

X-Ray

Powder Photography in Inorganic

Che

mistry,

Academic Press, New

York,

1960.

18.

Bennil

P., Geibe

I . G., в

книге Methods of Experimental Physics, Vol. 6,

eds.

K. Lark-Harowitz,

A. Johnson,

Academic

Press,

New York,

1959,

p. 203.

19.

Kikuta

S.,

Kohra

K.,

Sugita

Y.,

Japan Journ. Appl. Phys.,

5, 1047

(1966).

20.

Brady

W., Petz

I . , Journ. Chem. Phys., 34,

332

(1961).

21.Debye P., Journ. Chem. Phys., 31, 680 (1959).

22.Zimtn В. H., Journ. Phys. Chem., 54, 1306 (1950).

23.	Frisch	H.	L . , Brady G.	W„ Journ. Chem. Phys., 37,	1514	(1962).
24.	Swalin	R.	A., Thermodynamics of Solids, Wiley, New		York,	1962,	p. 218.
25.	Burgers	J.	M., Konikl.	Ned. Akad. Wetenschap., 42,	293,	378	(1939).

') Литература, отмеченная звездочкой, добавлена редактором перевода. —

Прим. ред.

		ЛИТЕРАТУРА	341
26.	Frank F. С,	Phil. Mag., 42, 809 (1951).
27.	Van Bueren	#., Imperfections in Crystals, North-Holland,	Amsterdam, 1960,

p.45 (есть перевод: Ван Бюрен, Дефекты в кристаллах, ИЛ, 1962).

28.Read W. Т., Jr., Dislocations in Crystals, McGraw-Hill, New York, 1953 (есть перевод: Рид В. А . , Дислокации в кристаллах, ИЛ, 1957).

29.

Buergers

J. М., Proc. Phys. Soc, 52, 23 (1940).

30.

Read

W. Т., Jr., в

книге

Methods of

Experimental

Physics, Vol. 6A, eds.

K. Lark-Harowitz,

V. A. Johnson, Academic Press,

New York,

1959, p. 322.

31.

Berry

L . G., Mason

В.,

Mineralogy, Freeman, San

Francisco,

1959, p. 137.

32.

Ramsdell

L . S., Am. Mineralogist, 29, 431 (1944).

33.

Ramsdell

L . S., Am. Mineralogist, 30, 519 (1945).

34.

Ramsdell

L . S., Am. Mineralogist, 32, 64 (1947).

35.

Жданов

Г. С., Минервина

3. В., ЖЭТФ, 17, 3 (1947).

36.

Terpstra

P.,

Codd

L . W., Crystallometry, Academic Press, New York, 1961.

37.

Bond

W. L . , Andrus

J., Am. Mineralogist, 37, 622 (1952).

38.

Шубников

А . В., Бруновский

Б., Zs. Krist.,

77, 337

(1931).

39.

Direct

Observation

Imperfections

Crystals,

eds. J.

Newkirk,

J. H . Wernick, New York,

1962 (есть перевод: Прямые методы

исследова

ния дефектов в кристаллах, изд-во «Мир», 1965).

40.

Weissmann

S., Am. Scientist, 51, 193 (1963).

41.

Warren В. £., Progr. Metal

Phys., 8, 147 (1959).

42.

Batterman

B. W., Journ. Appl. Phys., 30, 508 (1959).

43.

Webb

W. W., в книге

Direct

Observations

of Imperfections in Crystals, eds.

J. B. Newkirk, J. H . Wernick, Wiley, New York, 1962, pp. 31, 32, 37.

44.

Schulz

L . G., Trans. AIME, 200, 1082 (1954).

45.

Bonse

V., Hart M., Zs. Phys.,

190, 455 (1966).

46.

Smakula

A.,

Kalnajs

J., Sils

V'., Phys. Rev.,

99, 1747

(1955).

47.Bowden F. P., Tabor D., The Friction and Lubrication of Solids, 3rd ed., Oxford Univ. Press, New York, 1964.

48.	Rabinowicz	E . , Friction and Wear of Materials, Wiley, New York, 1965.
49.	Rabinowicz	E . , Sci. Am., 218 (6), 91 (1968).

50.Samuels L . E . , Metallographic Polishing by Mechanical Methods, Pitman, London, 1967.


51.	Hall	R. C,		Metal		Progr., 70, 78			(1956).
52.	Gilman		J. J.,		Johnston			W. G., Sears		G. W., Journ. Appl. Phys.,	29, 747
	(1958)		(есть		перевод:			Гилман	Дж., Джонстон У., Сире Дж., в сб. «Эле
	ментарные			процессы			роста кристаллов», ИЛ, 1959, стр. 249).
53.	Sears	G. W., Journ. Chem. Phys., 32, 1317 (1960).
54.	Tennery		V. J., Anderson					F. R., Journ. Appl., Phys. 29, 755 (1958).
55.	Gilman		J. J.,		Johnston			W. G., Journ. Appl. Phys., 27, 1018 (1956).
56.	Gilman		J. J., Johnston				W. G., Metal. Progr., 71, 76 (1957).
57.	Gilman		J. J., Johnston					W. G., в книге		Dislocations and Mechanical	Proper
	ties of Crystals,					Wiley,		New York, 1957, p. 116 (есть перевод: Дислокации
	и механические					свойства кристаллов,				ИЛ, 1960, стр. 82).
58.	Johnston		W. G., Gilman					J. J., Journ. Appl. Phys., 30, 129 (1959).

59.Vogel F. L . , Jr., et al., Phys. Rev., 90, 489 (1953).

60.Vogel F. L . , Acta Met., 3, 245 (1955).

61.Dash W. С., в книге Growth and Perfection of Crystals, Wiley, New York, 1958, p. 361 (есть перевод: Дислокации и механические свойства кристал лов, ИЛ, 1960, стр. 436).

62.	Amelinckx	S., Acta Met., 2, 849 (1954).
63.	Faust J.	W., Compound Semiconductors, Vol. 1, Reinhold, New York, 1962,

p. 445.

64.Hall R. C, Metal Progr., 70, 78 (1956).

65.	Hendrickson	A. A., Machlin E . S., Acta Met., 3, 64 (1955).
66.	Amelinckx	S., Slrumane G., Silicon Carbide — A High Temperature Semi
	conductor, Pergamon, New York, 1960, p. 162.

342					Р. ЛОДИЗ. POCt МОНОКРИСТАЛЛОВ
67.	Horn	F. H.,		Phil. Mag., 43, 1210 (1952).
68.	Jones	D. Л.,			Mitchell	J. Г ., Phil. Mag.,	2,	1047 (1957).
69.	Lovell	L . C,			Acta Met., 6, 775 (1958).
70.	Keith	R. E.,		Gilmann		J. J., Acta Met., 8,	1	(1960).
71.	Dorendorf		H'., Zs. Angew. Phys., 9, 513				(1957).
72.	Pfann	W.	G.,		Lovell	L . C, Acta Met., 3,	512		(1955).
73.	Pfann	W.	G.,		Vogel	F. L . , Jr., Acta, Met.,		5,	377 (1957).

74.ASTM-F47-64T, 1967 Book of ASTM Standards, Part 8, ASTM, Philadelphia, 1967, p. 527.

75.

Hedges

J. M.,

Mitchell

W.,

Phil.

Mag.,

44, 223

(1953).

76.

Amelinckx

W.,

van

der

Vorst

R.,

Dekeyser

W.,

Phil.

Mag.,

46,

450

(1955).

77.

Amelinckx

S.,

Strumane

R.,

Acta

Met.,

312

(1960).

78.

Amelinckx

S.t

Acta Met., 7, 650 (1959).

595

(1956).

79.

Bontinck

W.,

Dekeyser

W.,

Physica,

22,

80.

Bontinck

W.,

Amelinckx

S.,

Phil. Mag.,

(1957).

81.

Barber

J.,

Harvey

К.

В.,

Mitchell

W.,

Phil.

Mag.,

704

(1957).

82.

Tolansky

S.,

Introduction

Multiple

Beam

Interferometry,

Longmans,

London,

1955.

83.

Tolansky

S., Surface Microtopography, Wiley,

New

York,

1960.

84.

Oster

G., Nishijima

Y.,

Sci. Am., 208 (5),

(1963).

85.

Mitchell

W., в книге Direct Observation

Imperfections

Crystals,

Wiley, New York, 1962, p. 3 (есть перевод:

Прямые

методы

исследования

дефектов в кристаллах, изд-во «Мир», 1965).

86.

Kikuchi

S.,

Proc. Imp. Acad. Japan., 4, 271

(1928).

87.

Heidenreich

R. D., Fundamentals of Transmission Electron Microscopy,

Wiley, New York, 1964, p. 189 (есть перевод: Хейденрайх

P.,

Основы

про

свечивающей электронной микроскопии, изд-во «Мир», 1966).

88.

Miiller

Е.

W., в книге Direct Observation of

Imperfections in Crystals, Wi

ley, New York, 1962, p. 77 (есть перевод:

Прямые

методы

исследования

дефектов в кристаллах, изд-во «Мир», 1965).

89.

Characterization

of Materials, Washington,

1967.

90.

Thornton

R.,

Scanning

Electron Microscopy,

London,

1968.

К г л а в е

1. Findlay

A.,

Campbell

N.,

Smith

N. O.,

The

Phase Rule

and

Its

Appli

cations, Dover, N. Y., 1951.

Swalin

R. A.,

Thermodynamics of Solids,

Wiley,

New

York,

1962,

p. 91,

200.

Strong

M.,

книге

Progress

Very

High

Pressure

Research,

eds.

F. P. Bundy.W.

R. Hibbard,

Strong,

Wiley,

New

York,

1961,

p. 192.

Smith

F. G.,

Physical

Geochemistry, Addison-Wesley,

Reading,

Mass.,

1963,

p. 74.

Weissberger

A., Physical Methods of Organic Chemistry, 3rd ed., Part I,

Wiley,

New York,

1959.

Hall

R. N.,

Journ. Phys. Chem., 57, 836

(1953).

Чернов

А.

А.,

сб. «Рост

кристаллов»,

т. 3, Изд-во

АН СССР,

1961.

Carruthers

J. R., Canad. Met. Quart., 5 (1), 55

(1963).

Nassau

K.,

Loiacono G. M.,

Journ. Phys. Chem. Solids,

24,

1503

(1963).

10.

Laudise

A.,

Ballrnan

A.,

King

Journ. Phys. Chem. Solids,

26,

1305

(1965).

11.

Thurmond

C. D., в книге Semiconductors,

eds.

N. B. Hannay,

Reinhold,

New

York,

1959,

145

(есть

перевод:

«Полупроводники»,

ИЛ,

1962,

стр.

142).

ЛИТЕРАТУРА

343

12.

Hansen

М.,

Constitution

Binary

Alloys,

2nd

ed.,

McGraw-Hill,

New

York,

1958

(есть

перевод:

Хансен

M.,

Андерко

К.,

Структуры

двойных

сплавов,

Металлургиздат,

т. I и I I , 1962).

13.

Levin

Е. М.,

Robbins

С. R.,

McMurdie

Н. F.,

Phase Diagrams

for

Ceramists,

ACS,

Columbus, Ohio,

1964.

14.

Masing

G., Ternary Systems, Dover, N. Y.,

1944.

15.

Plana

W. G., Zone Melting, 2nd ed., Wiley, New

York,

1966

(есть

перевод:

Пфанн

В., Зонная плавка, изд-во «Мир», 1970).

16.

Pfann

G.,

Trans. AIME,

194,

747

(1952)

(есть

перевод:

сб.

«Герма

ний», ИЛ, 1955, стр. 92).

17.

Keck

R. Я.,

Golay М. J. Е., Phys. Rev., 89, 1297

(1953).

18.

Emeis

R.,

Zs. Naturforsch.,

9a,

(1954).

19.

Theuerer

H.,

пат. США

3060123,

23/X

1962

г.

(заявка

17/XII 1952

г.).

20.

Theuerer

H.,

Trans. AIME,

206, 1316

(1956).

21.

Kubachewski

O,,

Evans

E.,

Metallurgical

Thermochemistry, 4th

ed.,

Perga-

mon, N. Y.. 1967.

22.

Pfann

W. G., Trans. AIME, 203, 961

(1955).

23.

Nielsen

W.,

Monchamp

R. P., в книге The Use of Phase Diagrams in

Ceramic

Glass

and

Metal

Technology,

vol. 3,

ed.

A. M. Alper,

New

York,

1970..

24.

Albers

W.,

Haas

Phillips

Technical

Rev.,

30,

82,

107,

142

(1969).

К г л а в е

lost

W.,

Diffusion

Solids,

Liquid§,

Gases,

New

York,

1960.

Crank

J.,

Mathematics of

Diffusion,

New

York,

1956.

Kossel

W.,

Nachr. Gess. Wiss. Gottingen, Math.

Physik.

Kl .

135

(1927);

Ann. Physik, 21, 457

(1934);

33, 651

(1938).

Van Hook, Crystallization—Theory and Practice, New York, 1961, p. 73, 92,

Volmer

M.,

Schultze

W.,

Zs.

Physik. Chem.

(Leipzig)

A156,

(1931).

Frank

F. C,

Disc. Farad. Soc,

(1949).

Wulff

G., Zs. Krist,

34, 449

(1901).

Herring

C.,

Phys. Rev., 82, 87 (1951).

Gibbs J. W., The Collected Works,

Vol. 1,

London,

1928,

p. 55.

10.

Donnay J. D. H.,

Harker

D., Am. Mineralogist, 22, 446

(1937).

11.

Hartman

P., Perdok

G.,

Acta.

Cryst.,

49,

521,

525

(1955).

12.

Glasstone

G.,

Laidler

K.,

Eyring

H.,

The

Theory

Rate Processes,

New

York,

1941.

13.

Slater

N. В., Theory of Unimolecular Reactions, Ithaca, N . Y.,

1959.

14.

Frost

A.,

Pearson

G.,

Kinetics and

Mechanism,

New York,

1953.

15.

Frank

F. С., в книге Growth

and

Perfection

Crystals,

eds.

R. H . Dore-

mus,

B. W. Roberts,

D. Turnbull,

New York,

1958,

p. 411.

16.

Burton

W. K.,

Cabrera

N.,

Disc. Farad. Soc,

(1949).

17.

Frank

F. C,

Advan. Phys.,

1, 91 (1952).

18.

Cabrera

N.,

Coleman

V.,

в книге The

Art

and

Science

Growing

Cry

stals, ed. J. J. Gilman, New York, 1963, p.

(есть

перевод: Теория

прак

тика выращивания кристаллов, М., 1968).

19.

Carbera

N.,

Vermilyea

А.,

книге

Growth

and

Perfection

Crystals,

eds.

H. Doremus, B. W. Roberts, D. Turnbull,

New York, 1958, p. 393.

20.

Becker

Von

R.,

Doring

W.,

Ann. Physik, 24,

719

(1935).

21.

Llghthlll

J., Whitham

G. В., Proc. Roy. Soc,

A229,

281,

317

(1955).

22.

Lang

A. R.,

Journ. Appl. Phys., 28

(4), 497

(1957).

23.

Jackson

K. A., Phil. Mag.,

7, 1117, 1615 (1962).

24.

Thurmond

C. D., в книге

Semiconductors, ed. N. B. Hannay, New

York,

1959,

p. 145.

25.

Pfann

W. G., Zone Melting, Wiley, New York, 2nd

ed.,

1966

(есть

пере

вод

первого

издания: Пфанн

В.,

Зонная

плавка,

М.,

I960),

344

Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

26.

Rutter

W.,

Chalmers

В.,

Can. Journ. Phys., 31,

15 (1953).

27.

Esaki

L . ,

Phys. Rev.,

109,

603

(1958).

28.

Hurle

T. J.,

Solid

State Electron.,

(1961).

29.

Tiller

А.,

книге

The

Art

and

Science

Growing

Crystals,

ed.

J. J. Gilman,

New York, 1963, p. 277.

30.

Dikhoff

J. A.

M.,

Solid

State Electron.,

1, 202

(1960).

31.

Jackson

К.

А.,

книге

Crystal

Growth,

ed. H . S. Peiser,

New

York,

1967,

17.

32.

Strickland-Constable

F.,

Kinetics

and

Mechanism

Crystallization,

New

York,

1968.

33.

Cahn

J. W.,

Sekerka

F.,

в книге Crystal Growth, New

York,

1967.

34.

Coriell

R.,

Parker

R. L . , в книге Crystal Growth,

New

York,

1967.

35.

Tarshis

L . A.,

Tiller

А.,

книге

Crystal

Growth,

New

York,

1967.

36.

Kotler

R.,

Tiller

W. А., в книге Crystal Growth,

New

York,

1967.

37.

Kotler

R.,

Tiller

A.,

Seidenstickers

R. G., в

книге

Crystal

Growth,

New

York,

1967.

38.

Williamson

В., Chalmers

В.,

в книге

Crystal

Growth,

New

York,

1967.

39.

Mullins

W.,

Sekerka

F., Journ.

Appl. Phys., 34,

323

(1963);

35,

444

(1964).

40.

Jackson

К.

А.,

книге Progress in Solid State

Chemistry,

vol.

ed.

H . Reiss, New York,

1967.

41*. Чернов

А. А.,

УФН,

73, 277

(1961).

42*. Bennema

P., Journ. Crystal

Growth,

5, 29

(1969).

43*. Гиваргизов

#.,

в книге IV Всесоюзное совещание по росту

кристал

лов, т. 2, Ереван, 1972, стр. 18.

44*. Богданов

В.,

Русанова

Р.,

Будевски

Е.,

в книге

IV Всесоюзное

совещание

по росту кристаллов, т. 2, Ереван, 1972, стр. 11.

45*. Тихонова

л . А.,

книге

Всесоюзное

совещание

по

росту

кристаллов,

т. 2, Ереван, 1972, стр. 85.

46*. Лаврентьева

Л.

Г.,

Захаров

И.

С,

Ивонин

И.

В.,

Красильникова

Л.

М.,

книге

Всесоюзное

совещание

по

росту

кристаллов, т.

Ереван,

1972,

стр.

70.

47*. Волков

А.

Ф.,

Панков

И.

С,

книге

IV Всесоюзное

совещание

по

росту

кристаллов, т. 2, Ереван, 1972, стр. 180.

48*. Bennema

P.,

van

Rosmalen

R,, в книге IV Всесоюзное

совещание

по

росту

кристаллов, т. 2, Ереван, 1972, стр. 66.

49*. Леммлейн

Г.

Г., Секториальное строение кристалла, М.,

1948.

50*. Чернов

А. А.,

УФН, 100, 277 (1970).

51*. Мелихов

И.

В.,

в книге

Всесоюзное

совещание

по

росту

кристаллов,

т. 2, Ереван, 1972, стр. 263.

52*. Воронков

В.

В.,

книге

Всесоюзное

совещание

по

росту

кристаллов,

т. 4, Ереван, 1972, стр. ПО.

63*. Иванцов

Г. П.,

ДАН

СССР, 83,

573

(1952).

К г л а в е

1.Metals Handbook, 8th ed., Vol. 1, 1961; Vol. 2, 1964, ASM, Metals Park, Novelty, Ohio.

2.	Shaffer P.	Т.	В.,	в	книге High		Temperature	Materials — Materials	Index,
	Plenum Press,		New		York,	1964.
3.	Samsonov	G.	V.,	в	книге	High	Temperature	Materials — Properties	Index,
	Plenum Press New			York, 1964.

4.The Art and Science of Growing Crystals, Wiley, New York, 1963 (есть перевод: Теория и практика выращивания кристаллов, изд-во «Метал лургия», 1968).

5.Burgers №. G., в книге [4], р. 417.

6.Smith С. S., Trans. AIME, 175, 15 (1951).

				ЛИТЕРАТУРА	345
7.	Aust	К. Т., в книге [41, р. 452.
8.	Mullins W. W.,		Acta	Met., 6, 414 (1958).
9.	Sachs	0., Van	Horn	К. R., Practical Metallurgy, ASM, Cleveland,	1940.

10.Muhlenbruch C. W., Testing of Engineering Materials, Van Nostrand, Prin ceton, N. J., 1944.

11. Muhlenbruch

C. W.,

Experimental

Mechanics

and

Properties of

Materials,

Van Nostrand, Princeton, N . J., 1955.

12. Paschkis

V., Persson

J.,

Industrial

Electric

Furnaces

and

Applications, Wi

ley, New

York, 2nd

ed.,

1960.

13.

Trinks

W.,

Mawhinney

H.,

Industrial

Furnaces,

Vol. I ,

4th

ed., 1951;

Vol. I I , 2nd

ed.,

1942; Wiley, New York.

14. Langton

L . L . ,

Radio

Frequency

Heating

Equipment,

Pitman,

London,

1949.

15. May

E.,

Industrial High Frequency Electric Power, Wiley, New York, 1950.

16. Temperature—Its

Measurement

and

Control

Science

and

Industry,

Vol. 1, 2, 1962; Vol. 3, 1963, Reinhold,

New York.

17. Buckley

H. £., Crystal Growth, Wiley, New York,

1951,

(есть пере

вод: Бакли

Г.,

Рост кристаллов, ИЛ,

1954).

18.

Carpenter

Н. С. Н.,

Elam

С. F.,

Proc. Roy. Soc,

100,

329

(1921).

19.

Graham

С. D.,

Maddin

R.,

Journ.

Inst. Metals, 83, 169 (1955).

— 20.

Багарятский

Ю. А.,

Колонцова

E. В.,

Кристаллография, 4 (6), 935 (1959).

21.

Honeycombe

R. W.

Met. Rev., 4, 1 (1959).

22.

Montuelle

J., Compt. Rend., 248, 1174 (1959).

'23.

Montuelle

J., Chaudron

G., Compt. Rend.,

240,

1167

(1955).

24.

Lommel

I . M.,

Trans. AIME, 218, 374

(1960).

25.

Leighly

P.,

Jr.,

Perkins

F. C,

Trans. AIME, 218, 379 (1960).

26.

Beck

P. A.,

Sperry

P. R., Journ. Appl. Phys., 21, 150

(1950).

27.

Fujiwara

Т., Journ.

Sci. Hiroshima

Univ.,

A9, 227 (1939).

28.

Fujiwara

Г., Ichiki

Г., Journ. Phys. Soc. Japan, 10, 468

(1955).'

29.

Tiedema

T. J., Acta

Cryst., 2, 261 (1949).

30.

Hagg

G., Karlsson

N., Acta

Cryst.,

5, 728

(1952).

31.

Guinier

A.,

Tennevin

J.,

Progr. Metal Phys., 2,

177

(1950).

32.

Carpenter

H. С. H.,

Tamura

S.,

Proc. Roy. Soc,

113, 28

(1927).

33.

Williamson

G. K.,

Smallman

R. E., Acta

Met.,

487

(1953).

34.

Beck

P. A.,

Sperry

P. R., Ни //.,

Journ.

Appl.

Phys., 21, 420

(1950).

35.Aust К. Т., Dunn C. G., Trans. AIME, 209, 472 (1957).

36.Gone N., Bull. Inst. Met., 4, 94 (1958).

37.

Parthasarathi

M. N.,

Beck

A., Trans.

AIME, 212, 821 (1958).

38.

Barret

C. S.,

Massalski

Т.

В.,

Structure

of Metals, 3rd

ed., McGraw-Hill,

New York, 1966.

39.

Stein D. F., Low J. R., Jr.,

Trans. AIME,

221, 744

(1961).

40.

Holden

A. N.,

Holloman

J. H.,

Trans. AIME,

185, 179

(1949).

41.

Allen

P.,

Hopkins

В.

E., McLennan

J. E.,

Proc. Roy. Soc, A234,

231

(1956).

42.

Dunn

C. G., Nonken

G. C,

Metals Progr., 64, 71

(1953).

43.

Talbot

J., Inst, de Recherche de la Siderurgie

Rept.

Series A, No.

137

(1956).

44.

Talbot

J.,

Compt. Rend.,

251, 243 (1960).

45.

Gensamer

M.,

Mehl R. F., Trans. AIME,

131, 372

(1938).

46.Stone F. G., Trans. AIME, 175, 908 (1948).

47.Yamamoto M., Miyasawa R., Sci. Rept. Res. Inst. Tohoku Univ., A6, 333 (1954).


48.	Legett	R. D., Read			R. £., Paxton H.	W., Trans. AIME, 215, 679 (1959).
49. Andrade		E. N. da		C,	Proc. Roy. Soc,	A163, 16 (1937).
50.	Tsien L . C, Chow			Y. S., Proc. Roy. Soc, A163, 19			(1937).
51.	Chen N. K.,		Maddin		R., Pond R., Trans. AIME,		191, 461 (1951).
52.	Maddin	R.,	Chen	N.	K., Trans. AIME,	197, 1131 (1953).

346

Р. ЛОДИЗ. POCt МОНОКРИСТАЛЛОВ

53.

Nichols

M. H.,

Phys. Rev.,

94, 309

(1954).

54.

Seraphim

D. P.,

Budnick

/., Ittner

В.,

I l l , Trans.

AIME, 218,

527

(1960).

55.

Armstrong

P. E.,

Carlson

N.,

Smith

E.,

Journ.

Appl. Phys., 30,

(1959).

56.

Churchman

А. Т., Proc. Roy. Soc.,

226, 216

(1954).

57. Spachner

S. A.,

Rostoker W., Trans. AIME,

215,

463

(1959).

58.

Smithells

C. J.,

Tungsten,

Chapman and Hall, London, 1952.

59.

Pintsch

J.,

Gross

Jahrb. Radiotech.

Elektrotechnik,

15,

270 (1918).

60.

Rieck

G. £>., Acta

Met., 6,

360

(1958).

61.

Swalin

A.,

Geisler A.

H.,

Journ.

Inst. Metals, 86, 129

(1958).

62.Millner Т., Acta Tech. Acad. Sci. Hung., 17, 67 (1957).

63.Nichols M. H., Phys. Rev., 57, 297 (1940).

64.

Hughes

F. L . , Levinstein

H.,

Kaplan

R., Phys. Rev.,

113,

1023

(1959).

65.

Gifford

F. E.,

Coomes E. A.,

Journ.

Appl. Phys.,

31,

235

(1960).

•66. Robinson

J., Journ. Appl. Phys.,

13, 647 (1942).

i67.

Lacombe

P.,

Libanati

N.,

Calais

D.,

Compt.

Rend.,

249, 2769

(1959).

•68. Lacombe

P., et

a l ,

Journ.

Inst. Met., 89, 358

(1961).

69.Cahn R. W., Acta Met, 1, 176 (1953).

70.Fisher E. S., Trans. AIME, 209, 882 (1957).

71.	Edwards	C. A., Pfeil	L . H, Journ. Iron Steel Inst, 1,	129	(1924).
72.	Dohi 5 ,	Yamoshita Т.,	Mem. Defense Acad. Yokosuka, 2	(2)	(1957).

73.Dunn C. G„ Trans. AIME, 185, 72 (1949); Cold Working of Metals, ASM, Cleveland, Ohio, 1949, p. 121.

74.	Van Uitert		L . G, Swanekamp		F. W., Haszko S. E., Journ.		Appl. Phys.,
	30, 363	(1959).
75.	Harrison D. E., Research,			12, 395	(1959).
76.	Duwez	P.,	Odell F., Taylor J. L , Journ. Am. Ceram. Soc,			32,	1	(1949).
77.	Wilder	D.	R., Fitzsimmons	F. S,	Journ. Am. Ceram. Soc,	38,	66	(1955).

78. Burke J. E., Atom Movements, ASM, Cleveland, Ohio, 1951, p. 209.

79.Burke J. E., в книге Proc. of the Conference on Kinetics of High Tempera ture Processes, MIT Technical Press, Cambridge, Mass. 1959, p. 109.

80.Coble R. L , Journ. Appl. Phys, 32, 793 (1961).

81.Laudise R. А., в книге Crystal Growth, ed. H . S. Peiser, Pergamon, New York, 1967, p. 5.

82.

Sellers

J.,

et a l , Journ. Am. Ceram.

Soc,

50, 217

(1967).

83.

McKeehan

L . W., Nature,

119,

705 (1927).

84.

Mercier

J.,

Calais

D.,

Lacombe

P.,

Compt.

Rend,

246,

110

(1958).

•85. Levin

E. M.,

Robbins

C. R.,

McMurdie

H. F., Phase

Diagrams

for

Cera

mists, American Ceramic Society, Columbus,

Ohio,

1964, p.

84.

:86. Clifford

F., Dana's System of

Mineralogy, Vol. I l l , Wiley, 7th

ed,

N . Y„

1962.

:87. Классен-Неклюдова

В.,

Механическое

двойникование

кристаллов,

Изд-во АН СССР, 1960.

88.

Шубников

А. В.,

Цинзерлинг

Е. В , Ж . Крист, 83,

243

(1932).

«9.

Clifford

F.,

Am. Mineralogist,

31,

(1946).

'90

Wooster

W. A., Wooster

N., Nature, 157, 405 (1946).

91.

Thomas

L . A.,

Rycroft

J. L , Fielding

E. A.,

Nature,

157, 405

(1946).

92.

Thomas

L . A.,

Wooster

W. A.,

Proc. Roy. Soc, A208, 43

(1951).

93.

Fay

H.,

Brandle

C. D.,

в книге

Crystal

Growth, Pergamon,

1967,

p. 51.

94Van Uitert L . G, Rubin J. J., Bonner W. N., IEEE Journ. Quantum Elec tronics, QE4, 662 (1968).

95.	Wemple	S.	H., DiDomenico	M., Camlibel /.,	Appl.	Phys. Lett,	12, 209
	(1968).
96.	Nassau	K.,	Levinstein H. /,	Loiacono G. M ,	Journ.	Phys. Chem.	Solids,
	27, 983,	989	(1966).

<<< < Предыдущая 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 3334 / 5434 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ