Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Преснухин, Л. Н. Цифровые вычислительные машины учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
29
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
20.78 Mб
Скачать

Процесс поочередного отражения волны напряжения от обоих концов линии связи продолжается до тех пор, пока амплитуда отра­ женной волны не станет равной нулю. Отраженные волны напряжения накладываются на падающие волны, и в итоге форма входного напряжения может сущест­

венно исказиться.

Аналогичные рассуждения можно привести для волны тока, учитывая что коэффициент отражения волны тока

 

 

Ki(p) = (zo -z„)/(z0 +

z„),

(8.27)

. i

 

т. е. Ki (р) — К а (р),

а это

означает, что

Рис. 8.19.

Отражение

волна тока отражается в противофазе с волной

напряжения.

 

 

 

волн тока и напряжения

 

 

 

от неоднородности в ли­

В случае, если z„ активно, то (г„— г0)/(2 н +

нии

связи

+ г„) не зависит от р и К и (р) =

—Ki (р) = Аотр

 

 

определяет не только

отношение

изобра­

жений, но и оригиналов отраженной и падающей волны напряжения' и тока. При этом форма отраженной волны подобна форме волны падаю­ щей, а ее величина и знак определяются Аот(>- Отражения волн напря­ жения и тока могут быть не только от несогласованных нагрузок на концах линии, но и от различных неоднородностей в ней самой. Пусть

линия связи между элементами на участке А (рис.

8.19)

имеет волно­

вое сопротивление zol, а н-а участ­

а)

 

 

 

 

 

 

ке В

волновое сопротивление г02.

 

 

 

 

 

 

Волна напряжения (тока), достиг­

Ufo

 

 

 

 

 

 

нув границы раздела при дальней­

 

 

 

 

 

 

 

шем

своем

продвижении

 

вдоль

Ю

0 '

г

о

к

f В

7 ■*А

линии

изменится

 

на

величину

иИш

 

 

 

 

 

 

или.

К аих (Kih),

где

 

Ки =

—Ki =

 

 

 

 

 

 

 

I)

 

 

 

 

 

Rr**

= (ги2 — ZoiVfoa +

zoi)-

в

резуль­

 

 

 

 

 

■b jT

тате по участку

В пойдет

волна

М&Ш

0

г

 

к

В

R„uRr»z0

напряжения

(тока),

равная

алге­

Упор

 

 

 

 

 

или

 

 

 

 

 

 

Ии и Rr

браической сумме падающей и от­

г)

с

2

г

*

В

■t / T

 

раженной волн, а в сторону источ­

Убш

 

 

 

 

‘ Zg U R r < l g

ника падающей волны — отражен­

Упор

 

 

 

 

 

или

 

 

 

 

 

R H < Z 0 l l R f > Z Q

ная волна напряжения (тока) соот­

 

 

 

 

 

 

~t[T

ветствующей амплитуды и фазы, что

 

0

г

 

к

В

является следствием

отражения.

Рис. 8.20. Искажение сигнала (а) при

Пусть линия связи (см. рис.

передаче его по «длинной» линии в

8.18, а) с волновым сопротивлением

случае ее полного согласования (б) и

Zg нагружена на сопротивление на­

рассогласования на обоих концах (в, г)

грузки zH= R aи подключена к гене­

 

 

 

 

 

 

 

ратору с выходным сопротивлением zr — R t . В случае,

когда линия

согласована на входе или на выходе, т. е. когда хотя бы одно из сопро­ тивлений R Hили R T равно z0). искажения минимальны и выражаются лишь в задержке сигнала (рис. 8.20, а) на величину т3 = Т (рис. 8.20,6).

На рис. 8.20, в представлен случай, когда сопротивления (RH и R T) или много больше г0, или много меньше г0. В первом случае на харак­

390

тер переходного процесса существенное влияние оказывает емкость линии связи, на заряд которой затрачивается много времени. Во вто­ ром случае переходный процесс в основном определяется суммарной индуктивностью в линии, препятствующей быстрому нарастанию тока

в линии связи. Если допустить, что

Un — пороговое напряжение

срабатывания элемента, нагруженного

на данную линию связи, то

его включение следует ожидать через т3 ^

Т. В случае, когда R„ > z0,

a R r <; z0 (или R a < z„, a R T> z0), возникает колебательный переход­

ной процесс (рис. 8.20, г). Величина т3, определяемая временем успо­ коения колебательного процесса, здесь также велика. Однако переколебания в данном случае могут достигнуть такой величины, что вызо­ вут ложное срабатывание элементов, нагруженных на данную линию.

В общем случае т3, вносимое линией связи, можно оценить следую­ щим образом. Пусть R T = 0, тогда Киг — —1, а Kn = (Кн — га)/(ка + + г0) = К. После п проходов вдоль линии и соответственно л/2 отра­ жений от R n амплитуда отраженной волны

Иотрл = «вхКл/2.

(8.28)

Считаем переходный процесс законченным, когда величина иотр будет меньше заданной, определяемой как амвх, где а <М .

Примем

^отр

а « в х

 

 

 

Отсюда

 

 

 

 

" = т й г = 21<

^

-

(«■»)

Следовательно, время переходного процесса

 

 

T3 = T (l + «) =

r ( l + 2

1 g a / l g ^ i L ) .

(8.30)

При a = 0,5 и Дн/2ь = 2 -=- 4 п =

2 ч- 10, т. е.

при сравнительно

небольших рассогласованиях время переходных процессов резко воз­ растает.

Пусть линия связи с волновым сопротивлением z„ = 93 Ом подклю­ чена к генератору ступенчатого напряжения единичной амплитуды, имеющему выходное сопротивление R T = 25 0м. Выход линии свободен (RH= со ). Построив систему падающих и отраженных волн напряже­ ния, как это сделано на рис. 8.20, г, и наложив эти волны друг на друга, получим на конце линии колебательный процесс с амплитудой переколебаний 34% (в сторону уменьшения) и 58% (в сторону увеличения). Колебательный процесс устанавливается (амплитуда сигнала стано­ вится равной 0,8) через время, равное 9Т (где Т — время прохождения сигнала вдоль линии связи).

Максимально допустимая длина несогласованной линии

 

<Ч)

(8.31)

/max

] 1w

где /ф — длительность фронта сигнала, с; v — скорость распростра­ нения сигнала, м/с; kc — эмпирическая постоянная, численное значе­ ние которой зависит от конструкции схемы и системы связи; са — ско-

391

60 , 2 ,5 5 h
h ~ b ~
t<b; t< -

рость света в вакууме, 3 *108 м/с; гг — диэлектрическая постоянная среды; рг — магнитная проницаемость среды.

Для наиболее часто встречающихся систем v = 2 - 10s м/с, kz = 4. Для /ф, равного 30; 5; 1 нс значения /тах соответственно будут 1,5; 0,25; 0,05 м.

Чтобы произвести анализ переходных процессов в «длинной» линии связи, необходимо знать ее волновое сопротивление г0, при нахожде­ нии которого широко используют метод, заключающийся в опреде­ лении погонной емкости линии связи Са, связанной с ее г0 соотношением

z0= 1 /(h0C0),

(8.32)

где v0— 1/]/ре = 3- 108/Кщ-8/-— скорость

распространения волны

вдоль линии.

р,- = 1,

поэтому .

Для большинства диэлектриков

г0 = 1 ^ /( 3

-108С0).

(8.33)

Емкость между проводниками, образующими линию связи, опре­ деляют как отношение величины заряда на любом из них (заряды равны

 

таблица 8.з

по величине, но противоположны

по

 

знаку),

к разности

потенциалов

<р.

С е ч е н и е

Zi

Пусть

т — заряд на

единицу длины

проводника, тогда

 

 

 

 

 

 

so , I r2

Чс? L"'~n

so , л+'А2-/’2.

Wrln~ —

60 ,

2 h \ ln 4 b W

Wr

"~~~r-----

С0 = т/ер.

(8.34)

Потенциал, создаваемый линейным зарядом с плотностью т в точке на расстоянии г от него,

1

ф = -Ь— In : + const. (8.35)

^ 2ns r

 

 

 

 

При определении емкости провод­

- Гг(у.

Si»Ы

ников, расположенных вблизи прово­

дящей плоскости, используют метод

1

Ягx r

hi+h2

777777777777Т

 

 

 

зеркальных изображений. При расче­

М-

120

a

 

те потенциала по этому методу учиты­

\fiF ь

 

вают заряды основных проводников и

t<a; t<b

 

 

 

фиктивных,

являющихся зеркальным

60

,

>,75h

изображением основных относительно

поверхности

раздела диэлектрик —

^

L

 

 

проводящая плоскость. Заряд фиктив­ ного проводника при этом берется об­ ратным по отношению к основному.

В табл. 8.5 приведены конфигура­ ции наиболее часто встречающихся в технике ЦВМ линий связи и формулы, дающие достаточно точное

значение волнового сопротивления для этих линий.

Паразитные наводки в «длинных» линиях связи. Если линии связи между элементами не экранированы, то электромагнитные поля, возникающие при прохождении по ним импульсных высокочастотных

392

сигналов, не локализованы и в той или иной степени возаимодействуют между собой. При этом на линиях-приемниках возникают сигналы помехи, форма и амплитуда которых зависит от характеристик линииприемника и линии-индуктора, величины их связи между собой, пара­ метров передаваемых сигналов и степени рассогласования самих линий. Амплитуда и длительность наведенных на линии-приемнике сигналов помехи может оказаться такой, что вызовет ложное срабатывание нагруженных на нее элементов.

Пусть линия-индуктор (с параметрами Lou С01, z01, zrl — в начале линии и ги1 — в конце линии) на участке I располагается на некотором расстоянии d от линии-приемника наводимой помехи (с параметрами

Z.Q2»Ом. Ай. А-2 — в начале линии и гн2 — в конце линии). Связь между линиями определяется взаимной погонной емкостью С1Л и погон­ ной взаимоиндуктивностью М.

Вслучае произвольных значений электрических параметров линий

инагрузочных сопротивлений расчет напряжения, наводимого в линииприемнике, потребует решения сложных дифференциальных уравнений

сучетом большого числа граничных условий. Решение задачи значи­ тельно упрощается, если допустить идентичность электрических пара­

метров линий (гй1 = г0, = z0; С01 = С02 = С0; L01 = Lm = L„).

В этом случае связь между линиями можно характеризовать коэф­ фициентами:

(8.36)

(8.37)

И тогда в случае полного согласования линий (гн = г„, гш- = г0) и малого обратного взаимодействия между линиями выражение для расчета наведенного напряжения в линии-приемнике имеет вид

21 х \

~ ~ v ~ L

(8.38)

где ы2 (0 — сигнал помехи на линии-приемнике; uv {() — сигнал на

входе линии-индуктора; V = 1/ ]/7 .0С„; х — координата точки наблю­ дения относительно начала линий.

В соответствии с выражением (8.38) наведенное напряжение состоит из трех волн. Первые две волны имеют одинаковую амплитуду и распро­ страняются в противоположные стороны со скоростью V, а третьей волне соответствует последнее слагаемое в формуле (8.38) и она распро­ страняется в прямом направлении, причем ее амплитуда пропорцио­ нальна расстоянию от начала линии и производной по времени от управляющего напряжения.

Если на линии-индукторе наводится положительное напряжение единичной амплитуды с фронтом ^ф, то в начале линии-приемника будет наведена помеха того же знака амплитудой P i2, фронтом и спадом /ф и длительностью (па уровне 0,1) ЗГ, а на конце линии-приемника наве­

393

Рис. 8.21. К расчету взаимодействия микрополосковых линий

дется помеха амплитудой Q/2, длительностью

практически с нулевым

фронтом и спадом. При этом

 

Р = К Л К -Л 1)/2;

(8-39)

Q = [/Cl (/С, — \)1 У ] Ш \

(8.40)

T — l Y

(8.41)

Значения Р и Q для часто встречающихся микрополосковых линий

(рис. 8.21,

а) при

различной их геометрии можно определить из

. ъ .

rtf.

ь

графиков,

представленных

на рис.

8.21, б, в.

 

 

• когда

 

 

 

Очевидно, что в случае,

 

 

 

для связанных линий сохраняется

 

 

 

соотношение Cli2/C0 = M /L0,

то

 

 

 

параметр

Q обращается

в

нуль.

 

 

 

Форма наведенных импульсов

при

 

 

 

этом изменяется, амплитуда

наво­

док уменьшается.

Для иллюстрации вышесказан­ ного определим параметры наведен­ ного напряжения в линиях связи, представленных на рис. 8.21, а.

Пусть h = 0,65

мм, d =

0,3 мм,

/ = 40 см, 8Г — 5,

тогда г0 =

85 Ом,

Т = 2,4 ДО-9 с. По графикам пред­

ставленным

на

рис. 8.21, б и в,

определяем Р =

0,3;

Q = 0,34 (при

= 1 *10®

с).

Если

в линии-ин­

дукторе наводится импульс напря­ жения с амплитудой 5 В, то в ли­ нии-приемнике (в случае полного согласования) наводятся импуль­ сы: в начале линии — амплитудой 0,75 В и длительностью 5,8 нс; в конце линии — амплитудой 0,54 В, длительностью — 1 нс.

Экранирование в ЦВМ. При прохождении мощных сигналов по цепям связи последние становят­ ся источниками электромагнитных

полей, которые, пересекая другие цепи связи, могут наводить в них дополнительные помехи. Источниками электромагнитных полей могут быть также мощные промышленные установки, транспортные комму­ никации, двигатели и т. д. Устройства, чувствительные к статиче­ ским магнитным полям (например, магнитные элементы с разомкну­ тым магнитопроводом), могут неустойчива работать даже от таких слабых полей, как магнитное поле Земли. Для локализации, где это возможно, действия источника полей или самого приемника помех используют экранирование электростатическое, магнитостатическое и электромагнитное.

394

Электростатическое экранирование заключается в шунтировании большей части (или всей) паразитной емкости емкостью на корпус. Пусть емкостная помеха наводится через паразитную емкость САВ между проводниками А (источник наводки) и В (приемник наводки). Если корпус удален на такое расстояние, что емкостью между ним и проводниками можно пренебречь (рис. 8.22, а), то амплитуда помехи

К = RCABu/tф.

(8.42)

В случае, когда экран, соединенный с. корпусом, расположен вблизи проводников (рис. 8.22, б), шунтирующая емкость СВо умень-

£«

Рис. 8.22. Экранирование линий связи

шает амплитуду помехи до величины:

Ып

R-

л в ) 2

и

(8.43)

 

 

 

 

Если САВ < Сво, то

'-'А В +

С В о

 

 

 

 

 

и

 

Ип — RCab

С А В

(8.44)

 

С во V

 

 

1

 

т. е. меньше «П) рассчитанной по (8.42) в САВ/СВо раз.

Если же экран расположен между проводниками так, как показано на рис. 8.23, в, то величина помехи еще более уменьшается за счет

уменьшения самой паразитной емкости

САВ до величины САВ

- А В

(8.45)

- RCab

' А В + (С2 + с т)

Магнитостатические экраны используют для защиты чувствитель­ ных цепей, элементов и устройств от постоянного и медленно изменяю­ щегося переменного магнитного поля. При этом источник или приемник помехи заключают в сплошной экран, изготовленный из ферромагнит­ ных материалов. Если источник наводки заключен в такой экран, то магнитные силовые линии замыкаются в нем и дадее не распростра­ няются. Если в экран заключен приемник наводки, то силовые линии магнитного поля не проникают в полость экрана.

Переменное высокочастотное электромагнитное поле при прохож­ дении через металлический лист перпендикулярно или под некоторым углом к его плоскости наводит в этом листе вихревые токи, поле кото­

395

рых ослабляет действие внешнего поля. Металлический лист в данном случае играет роль электромагнитного экрана. Примером электро­ магнитного экрана служит обшивка стоек вычислительных устройств.

Широкое распространение в ЦВМ нашли экранированные провода, коаксиальные кабели и свитые пары проводников или бифиляры. Рассмотрим эффективность использования бифиляра в качестве связи между элементами по сравнению с использованием одиночного провода (мерой эффективности в этом случае будет кратность уменьшения индуктивности).

Пусть связь осуществляется проводом диаметром d = 0,5 мм, толщиной изоляции а = 0,5 мм и длиной I = 50 см.

Для изолированного проводника индуктивность

L = 2 / ( l n - ~ - lj = 2 - 5 o ( l n ^ ^ — lj = 730 нГн.

Считая бифиляр двухпроводной линией с расстоянием между про­ водниками D = d + 2а, найдем, что

L6

= 2/ In 2(d~Ь2а) = 2-50 I

n

= 180 нГн.

0

d

0,5

 

Таким образом, применение бифиляра вызывает уменьшение ин­ дуктивности, а следовательно, и наводок в L /L 6 =-730/180 = 4 раза.

§8.5. НАДЕЖНОСТЬ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ЦВМ И ВС

ИНЕКОТОРЫЕ МЕТОДЫ ЕЕ УВЕЛИЧЕНИЯ

Надежность — один из основных параметров, характеризующих уровень разработанной ЦВМ и ВС. Этому параметру с каждым годом уделяется все большее внимание вследствии: а) усложнения схемно­ конструктивного построения ЦВМ, увеличения числа компонентов; б) внедрения ЦВМ во все сферы деятельности человека, использование их в исключительно тяжелых условиях эксплуатации (например, в условиях повышенной радиации, космических объектах ит.'п .).

Под надежностью ЦВМ понимают ее свойство выполнять заданные функции при заданных режимах и условиях эксплуатации в течение требуемого промежутка времени.

Основными количественными характеристиками надежности явля­ ются:

1. Вероятность безотказной работы Р (t) — вероятность того,

что при заданных режимах и условиях эксплуатации в течение задан­ ного промежутка времени в ЦВМ не произойдет отказ.

2. Интенсивность (опасность) отказов X,(t) — вероятность отказов неремонтируемого изделия в единицу времени после данного момента времени при условии, что до этого момента отказ не возник.

3. Среднее время наработки до отказа Тср — среднее время работы изделия между отказами.

396

Эти характеристики связаны между собой следующими соотноше­ ниями:

 

-

1

<*>dt

(8.46)

P(f) = e

0

 

 

 

СО

 

 

 

■ Т ср =

$Р(0<й;

(8-47)

 

о

 

 

 

 

i

 

 

 

с о

- j u

t )

d t

 

T zp = 5 e

0

 

dt.

(8.48)

6

 

 

 

 

Вероятность безотказной работы изделия в нормальных условиях эксплуатации при внезапных отказах, как правило, подчиняется экспоненциальному закону, для которого характерно постоянство величины интенсивности отказов (к = const). В этом случае выра­ жения (8.46) и (8.48) принимают вид:

Р (t) = е~Л/;

(8.49)

7 ср = 1/Я.

(8.50)

Если в ЦВМ не используют специальные методы повышения на­ дежности, то ее можно представить в виде последовательно соеди­ ненных микросхем, паяных соединений, навесных радиоэлементов, контактов разъемов, некоторых механических деталей, отказ любого из которых приводит к отказу всей машины. Вероятность безотказной работы такой цепочки последовательно соединенных элементов.

 

 

 

P s = ff/> < ,

(8.51)

 

 

 

i= 1

 

где

Р{ — вероятность

безотказной работы г-го элемента

системы.

 

Полагая

=

получим

 

 

 

 

Р 2 = ffe_V= е ~ ^ г,

(8.52)

 

п

 

i= 1

 

 

 

 

 

где

2 ^ '-

 

 

 

 

i = 1

 

 

 

 

Вероятность безотказной работы параллельной цепочки элементов

 

 

 

1 - П ( 1 - Л ) .

(8-53)

 

 

 

/ = 1

 

 

Если надежности всех элементов одинаковы, то выражение (8.53)

преобразуется

в выражение

 

 

 

 

Р г = 1 - ( 1 - р ) » .

(8.54)

397

Для системы, состоящей из цепочки параллельно-последовательно соединенных элементов, вероятность безотказной работы

i = N

 

 

Pz п

- П О - ^ ) .

(8.55)

 

где N — число последовательно соединенных групп, в каждую из которых входят /г; параллельно включенных элементов; pj — вероят­ ность безотказной работы /-го элемента в группе.

При расчете надежности по формулам (8.51) -4- (8.55) целесообразно разбивать всю машину на блоки и узлы, рассчитывать вероятности их безотказной работы и полученные значения перемножать. Учет влияния условий эксплуатации ЦВМ в такого рода ориентировочных расчетах производится обычно введением поправочного коэффи­ циента К),. Значение опасности (интенсивности) отказов в этом случае

К = Кхкго,

(8.56)

где Я,о — опасность отказов в лабораторных условиях

работы.

Значения поправочного коэффициента Кг. для различных условий

эксплуатации приведены в табл.

8.6.

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а 8.6

У с л о в и я э к с п л у а т а ц и и Ц В М

 

 

 

 

В лабораторных и благоустроенных помещениях................................

 

 

1

В стационарных наземных устройствах.................................................

 

 

1 0

 

На кораблях при монтаже приборов в защищенных отсеках . . .

 

 

1 7

 

В автоприцепах ..................... ........................

* .............................................

 

2 5

 

На железнодорожных платформах............................................................

 

2 5

4

- 3 0

В высокогорной аппаратуре ........................................................

...

 

8 0

 

В бортовой аппаратуре на:

 

 

 

 

 

самолетах..........................................................................................

 

1 2 0

4

- 1 5 0

управляемых снарядах ..........................................................................

 

3 0 0

4

-

3 5 0

ракетах .........................................................................................................

 

9 0 0

4

-

Ю О О

Для Я;о компонентов, входящих в состав ЦВМ, в справочной лите ратуре обычно приводятся Я; min, Я,.д И Я; max-

Поэтому при расчетах обычно определяют значения:

^шах — £ -^rnin^X *

р = - i\K K

Р min

 

(8.57)

где

 

 

 

 

N

N

 

N

(8.58)

^min У ] hi mini

Яо ==2 > i0; ^max =-

hi maxj

1

i

 

L

 

а также

Т Ср = 1/Я0; Т ср min l/^m ax

(8.59)

Т ср шах “ 1/^ТШП)

8.7 приведены значения Я ^ ы ,

Я;о и

Я/ max Д Л Я р а З Л И Ч Н Ы Х

компонентов, применяемых

в микроэлектронных ЦВМ.

 

398

Оценим надежность ЦВМ, в состав которой входят 2000 микросхем, 200 контактов разъемов и 30 000 соединений пайкой. Допустим, что машина предназначена для эксплуатации в стационарных наземных устройствах (Кх == 10).

Рассчитаем вероятность безотказной работы такой ЦВМ после 100 ч работы и значение средней наработки до отказа, считая, что при выходе из строя каждого из перечисленных компонентов происходит сбой ЦВМ. Используя данные табл. 8.7, по формуле (8.57) получим:

Р (100) = е~ 1п^ ' 100

= 0,72.

Наименование компонента

 

Ч тт • Ю“в. 1/ч

Конденсаторы:

 

0,063

керамические .........................

 

слюдяны е...............................

 

0,018

электролитычески е ..............

 

0,003

Резисторы:

 

0,110

угольные ................................

 

композиционные .................

 

0,017

пленочные ............................

 

0,011

проволочные ........................

 

0,038

Потенциометры миниатюрные . .

0,53

Диоды:

 

0,23

германиевые .........................

 

селеновы е................................

 

0,11

кремниевые . . . ..................

0,15

Транзисторы:

 

 

германиевые ........................

 

0,05

кремниевые............................

 

0,1

Микровыключатели.....................

 

0,09

Реле миниатюрные .....................

 

0,03/конт.

Контакторы (разъемы) ..............

 

0,1/конт.

Выключатели ...............................

 

0,045

Соединитель коаксиальный . . .

0,06

Электронные лампы .....................

 

1,77

Лампы:

 

 

накаливания ........................

 

5.2

неоновые ................................

 

4,5

Соединение пайкой .....................

 

0,0001

М икросхемы...................................

 

0,032

О Г" 1• р г«

0,1

0,075

0,035

0,25

0,043

0,03

0,068

1,2

0,3

0,2

0,2

0,3

0,5

0,25 0,06/конт. 0,25/конт. 1,1375 0,2125 7,76

8,0

10,25

0,004

0,08

Т а б л и ц а . 8.7

К max ' 10 1/ч

0,213

0,132

0,054

0,57

. 0,15 0,058 0,126 2,04

0,38

0,6

0,25

1,91

1,44

0,5 0,25/конт. 0,4/конт. 0,4 0,365 19,32

32,0

18,0

1,05

0,14

Средняя наработка на отказ при этом Тср = 1 (Л'Л1/г,/.,-) = 300 ч. Такая низкая надежность безусловно не может удовлетворить потре­ бителей ЦВМ, поэтому при проектировании, конструировании, орга­ низации и эксплуатации последних используют различные методы увеличения надежности.

Одним из эффективных методов повышения надежности микро­ электронных ЦВМ и ВС является резервирование, т. е. введение аппа­ ратурной избыточности. При этом параллельно каким-либо элементам (поэлементное резервирование), блокам (поблочное резервирование) или всей ЦВМ (общее резервирование) включаются аналогичные элементы, блоки, ЦВМ, выполняющие те же функции. Число парал­

39?

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ