возникает объемный заряд из нескомпенсированных зарядов ионов примеси, а в области р - объемный заряд из избыточных носителей - дырок, перешедших из области р+. Появление объемных электрических зарядов приводит к образованию диффузионного электрического поля Едиф и контактной разности потенциалов. Но в отличии от обычных р-n переходов здесь отсутствует запирающий слой, так как здесь не может быть области с концентрацией, меньшей чем в слабо легированном полупроводнике. Поэтому такие контакты вентильными свойствами не обладают, но зато в них при любой полярности приложенного напряжения не происходит инжекции из низкоомной области в высокоомную, что является важным для некоторых типов полупроводниковых приборов.

Омические контакты.

Контакты металл - полупроводник, не обладающие вентильными свойствами и имеющие линейную вольт-амперную характеристику, называют омическими . Такие контакты необходимы для присоединения внешних выводов к кристаллу полупроводника, когда дополнительные переходы с односторонней проводимостью являются нежелательными или даже недопустимыми. Такие контакты образуются тогда, когда работа выхода электрона из металла и из полупроводника одинакова : Ам = Ап. Поэтому в этих случаях каждому типу полупроводника подбирается свой тип металла или сплава для выполнения указанного условия.

ГЛАВА II Полупроводниковые диоды.

Полупроводниковым диодом называется полупроводниковый прибор, содержащий один электроннодырочный (n-р) переход, либо контакт “ ме- талл-полупроводник”, обладающий вентильными свойствами.

В большинстве случаев полупроводниковые диоды с р-n - переходами делают несимметричными, то-есть концентрация примесей в одной из областей значительно больше, чем в другой. Поэтому количество неосновных носителей, инжектируемых из сильно легированной области, называемой эмиттером в слабо легированную, называемую базой, значительно больше, чем в противоположном направлении.

Классификация диодов производится по различным признакам: по типу полупроводникового материала - кремниевые, германиевые, из арсенида галлия; по физической природе процессов, обусловливающих их работу - туннельные, фотодиоды, светодиоды и др.; по назначению - выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы и др.; по технологии изготовления электронно-дырочного перехода - сплавные, диффузионные и др.; по ти-

23