- •Петрович В.П. Физические основы электроники. Учебное пособие. – Томск: Изд. ТПУ. 2000. – 152 с.
- •ГЛАВА I
- •Физические основы работы полупроводниковых приборов.
- •Поэтому плотность дрейфового тока
- •Механизм примесной электропроводности полупроводников.
- •Вольт - амперная характеристика р-n перехода.
- •Омические контакты.
- •Анод Катод
- •Диоды Шотки.
- •Варикапы.
- •Стабилитроны.
- •Стабисторы.
- •Выпрямительные диоды.
- •Три схемы включения транзистора.
- •Схема с общим коллектором.
- •Поскольку RвхБ представляет собой очень малую величину, то можно считать, что
- •Статические характеристики биполярного транзистора.
- •Статические характеристики для схемы с общей базой.
- •1. Семейство входных статических характеристик представляет собой зависимость:
- •Статические характеристики для схемы с общим эмиттером.
- •Эквивалентные схемы транзистора.
- •Транзистор как линейный четырехполюсник.
- •Режимы работы транзистора.
- •Предельные режимы работы транзистора.
- •Расчёт рабочего режима транзистора.
- •Динамические характеристики транзистора.
- •Режимы работы усилительных каскадов.
- •Режим класса А.
- •Режим класса В.
- •Режим класса С.
- •Режим класса Д.
- •Влияние температуры на работу транзистора.
- •Эти характеристики показывают управляющее действие затвора и представляют собой зависимость тока стока в функции от напряжения на затворе (Uз) при постоянстве напряжения стока (Uc):
- •Uз – напряжение на затворе.
- •Uз – напряжение стока.
- •Импульсные преобразователи постоянного тока.
- •Регуляторы переменного напряжения.
- •Прерыватели постоянного и переменного тока.
- •Компенсационные стабилизаторы постоянного напряжения.
- •Транзисторный автогенератор.
- •Фотоэлементы.
- •Основные характеристики фотоэлементов.
- •Фотоэлектронные умножители.
- •Фоторезисторы.
- •Фотодиоды.
- •Основные характеристики фотодиодов.
- •Фотодиодное включение.
- •Фототранзисторы
- •Фототиристоры.
- •Светодиоды.
- •Оптоэлектронные устройства.
- •Вольт - амперная характеристика.
- •Классификация газоразрядных приборов по видам газовых разрядов.
- •Применение газоразрядных приборов.
- •Газоразрядные (люминесцентные) лампы.
- •Напряжение на конденсаторе
- •Список литературы
- •Введение…………………………………………………………………...…3
Режимы работы усилительных каскадов.
Поскольку характеристики транзистора существенно нелинейны, то в процессе усиления входного сигнала имеют место искажения, которые называют нелинейными. Величина искажений в большой степени зависит от выбора начальной рабочей точки на линии нагрузки и от амплитуды входного сигнала. В зависимости от этого различают следующие основные режимы работы усилителя:
—Режим класса А
—Режим класса В
—Режим класса С
—Режим класса Д Количественно режим работы усилителя характеризуется углом отсечки
θ - половиной той части периода, в течение которого в выходной цепи транзистора протекает ток нагрузки. Угол отсечки выражают в градусах или радианах.
Режим класса А.
Этот режим характеризуется тем, что начальная рабочая точка, опреде-
ляемая смещением, находится в |
IK |
|
|
|
||||
середине линейного участка вход- |
|
iK |
|
|||||
ной характеристики, а, следова- |
|
|
|
|
||||
тельно, и проходной IK = f (IБ ) . |
IK0 |
|
|
|
||||
Амплитуда |
входного |
сигнала |
|
|
|
|
||
здесь такова, что суммарное зна- |
|
|
|
|
||||
чение (EСМ +UВХ ) |
не |
имеет |
от- |
|
IБсм. |
IБ |
θ |
|
рицательных значений, а поэтому |
|
|||||||
|
|
|
2θ |
|||||
базовый ток, |
а следовательно и |
|
|
|
б) |
|||
коллекторный ток |
нигде не сни- |
а) |
iБ |
|
||||
|
|
|||||||
жаются до нуля (рис.80а). Ток |
в |
|
|
Рис.80 |
|
|||
выходной цепи протекает в тече- |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
ние всего периода, а угол отсечки θ равен 180o . Транзистор работает в активном режиме на близких к линейным участках характеристик, поэтому искажения усиливаемого сигнала здесь минимальны. Однако из-за большого
значения начального коллекторного тока IK 0 к.п.д. такого усилителя низкий,
поэтому такой режим применяют в маломощных каскадах предварительного усиления.
Режим класса В.
Этот режим характеризуется тем, что начальная рабочая точка находится в начале проходной характеристики (рис.81а). Ток нагрузки протекает
77
по коллекторной цепи |
|
iK |
|
транзистора только в те- |
IK |
||
чение одного полупе- |
|
|
|
риода входного сигнала, |
IKm |
|
|
а в течение второго по- |
|
|
|
лупериода |
транзистор |
|
|
закрыт, так как его рабо- |
|
IБ |
π |
2π |
||
чая точка будет находит- |
|
|||||
ся в зоне отсечки. К.п.д. |
|
|
2θ |
θ |
||
|
|
|
||||
усилителя |
в режиме |
|
|
|
|
|
класса В |
значительно |
|
|
|
|
|
выше, чем режиме клас- |
|
|
|
|
||
са А, так как начальный |
а) |
Рис.81 |
|
б) |
||
коллекторный ток |
IK0 |
|
||||
|
|
|
|
|||
здесь значительно мень- |
|
|
|
|
||
ше. Угол отсечкиθ |
равен 90o . Для того, |
чтобы усилить входной сигнал в те- |
чение обоих полупериодов, используют двухтактные схемы усилителей, когда в течение одного полупериода работает один транзистор, а в течение другого полупериода – второй транзистор в этом же режиме. Режим класса В обычно используют в мощных усилителях.
Режим класса С.
В режиме класса С рабочая точка А левее начальной точки проходной характеристики (рис.82а).
Здесь ток коллекторной цепи протекает в течение времени, меньше половины периода входного сигнала, поэтому угол отсечки θ <90o . К.п.д. каскада выше чем в предыдущем случае, так как начальный коллекторный ток отсутствует. Этот режим применяют в мощных резонансных усилителях.
IK |
iK |
IK
А IБ
2θ θ
а) Рис.82 б)
78