Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ФОЭ пособие.pdf
Скачиваний:
72
Добавлен:
11.02.2015
Размер:
1.93 Mб
Скачать

электрический сигнал, то на экране электроннолучевой трубки можно будет наблюдать графическое изображение этого сигнала во времени.

Этот принцип широко используется в осциллографах для визуального

Рис. 173

наблюдения исследуемых сигналов. Подбирая частоту напряжения развёртки равной или кратной частоте исследуемого сигнала, можно получить на экране неподвижную во времени картину его изменения. Этот процесс называется синхронизацией.

В принципе на экране электроннолучевой трубки можно непосредственно наблюдать магнитные характеристики какоголибо материала (Рис.173). В цепь первичной обмотки трансформатора Тр включено сопротивление R0. При протекании первичного тока на этом сопротивлении возникает падение напряжения, пропорциональное намагничивающей силе Н:

UR0≡H. (139)

Напряжение на вторичной обмотке U2 пропорционально магнитной индукции В:

U2

B

Ф

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(140)

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где Ф – магнитный поток,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S – площадь поперечного сечения магнитного провода.

 

 

Э.Д.С. вторичной обмотки e2

= −W2

 

= −W2 S

dB

;

 

(141)

 

dt

 

 

Напряжение на конденсаторе

 

 

 

 

 

 

dt

 

 

 

 

 

 

 

e2

W2 S B

 

 

 

1

iC

 

1

 

 

 

U C

=

 

dt =

 

 

 

dt = −

 

 

;

(142)

C

C

 

R

 

R C

Если напряжение UR0 подать на горизонтально отклоняющие пластины, а напряжение UC подать на вертикально отклоняющие пластины, то на экране луч будет изменяться в координатах B = f (H ) , т.е. на экране можно будет наблюдать намагничивание сердечника трансформатора.

Аналогичным образом можно непосредственно на экране электроннолучевой трубки получить вольтамперные характеристики различных полупроводниковых приборов, если на горизонтальный вход подавать сигнал

143

пропорциональный току арибора, а на вертикальный вход – пропорциональный напряжению на приборе.

Рассмотренная конструкция электроннолучевой трубки не является единственной . Существует большое количество различных вариантов её построения, подключения, использования. Кроме рассмотренной системы фокусировки и отклонения луча широкое распространение получили магнитные системы, когда на движущиеся электроны воздействуют магнитным полем. При этом возникает сила Лоренца

F = q V ×B ,

где q – заряд электрона;

V - вектор скорости электрона;

B - вектор магнитной индукции.

Изменяя величину этой силы можно изменять степень влияния на движущийся электронный пучок.

Магнитные системы получили наиболее широкое применение в электроннолучевых трубках телевизионных приёмников (кинескопах), а также в индикаторных электроннолучевых трубках радиолокационных станций.

144

Приложение Условное графическое обозначение компонентов электрических схем

по ЕСКД.

1. Диоды (рис.1.)

Условное графическое обозначение диода - треугольник (символ анода) вместе с пересекающей его линией электрической связи образует подобие стрелки, указывающей направление проводимости. Короткая черточка, перпендикулярная этой стрелке, символизирует катод.

1.Диод: а) общее обозначение; б) туннельный; в) обращенный, г) стабилитрон (лавинный выпрямительный диод) односторонний; д) стабилитрон (диод выпрямителъный лавинный) двусторонний; е) теплоэлектрический; ж) варикап; з) двунаправленный; и) диод Шотки; к) модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными выводами.

2.Тиристор (базовый символ диода использован и в условном графическом обозначении тиристоров - полупроводниковых приборов с тремя р - п - переходами (структура р - п - р - п), используемых в качестве переключающих диодов): а) диодный, запираемый в обратном направлении; б) диодный, проводящий в обратном направлении; в) диодный симметричный; г) триодный, общее обозначение; д) триодный, запираемый в обратном направлении

суправлением по аноду; е) триодный, запираемый в обратном направлении с управлением по катоду; ж) триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый с управлением по аноду; з) триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с управлением по катоду; и) триодный, проводящий в обратном направлении, с управлением по аноду;

к) триодный, проводящий в обратном направлении, с управлением по катоду; л) триодный симметричный (двунаправленный); м) тетроидный, запираемый в обратном направлении.

2.Транзисторы (рис.2.)

Транзистор содержит два p - n-перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой - с коллектором (коллекторный переход).

Об электропроводности базы судят по символу эмиттера: если его стрелка направлена к базе, то это означает, что эмиттер имеет электропроводность типа р, а база -типа п; если же стрелка направлена в противоположную сторону, электропроводность эмиттера и базы обратная (соответственно п и p ). Поскольку электропроводность коллектора та же, что и эмиттера, стрелку на символе коллектора не изображают.

1. Транзистор c PN-переходом: а) типа PNP; б) типа PNP с выводом от внутреннего экрана; в) типа NPN с коллектором, электрически соединенным с корпусом; г) лавинный типа NPN (при повороте УГО транзистора положение знака эффекта лавинного пробоя должно оставаться неизменным); д) однопереходный с N-базой; е) однопереходный с P -базой; ж) типа PNP с двумя ба-

145

зовыми выводами; з) типа PNIP; и) типа PNIN с выводом от I-области; к) многоэмиттерный типа NPN.

2. Полевой транзистор: а) с каналом N-типа; б) с каналом P -типа; в) с изолированным затвором обогащенного типа с P-каналом; г) с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом; д) с изолированным затвором обеднённого типа с P-каналом; е) с изолированными затворами обедненного типа с N-каналом; ж) с изолированным затвором обогащенного типа с P-каналом с выводом от подложки; з) с изолированным затвором обогащенного типа с N- каналом и с внутренним соединением подложки и истока; и) с двумя изолированными затворами обедненного типа с N -каналом и с выводом от подложки.

3. Фоточувствительные, излучающие и прочие полупроводниковые приборы (рис.3.)

1.Фоточувствительные и излучающие приборы: а) фоторезистор, общее обозначение; б) фоторезистор дифференциальный; в) фотодиод; г) фототиристор диодный; д) фоторезистор типа PNP; е) фотоэлемент солнечный; ж) солнечная батарея (п - солнечных элементов); з) светодиод.

2.Датчик Холла.

3.Оптоэлектронные приборы: а) оптрон диодный; б) оптрон тиристорный; в) оптрон резисторный; г) оптрон диодный с усилителем, изображенный совмещенно; д) оптрон диодный с усилителем, изображенный разнесённо; е) прибор оптоэлектронный с фоторезистором и с выводом от базы; ж) прибор оптоэлектронный с фоторезистором без вывода от базы.

146

Рис.1.

147

Рис. 2.

148

Рис. 3.

149