Для этого из точки Uкэ=5в восстанавливаем перпендикуляр до пересечения с выходными характеристиками (точки 1,2,3,4), а затем проецируем эти точки до пересечения с перпендикулярами, соответствующими базовым токам, при которых сняты выходные характеристики (Iб1,Iб2,Iб3,Iб4). По этим точкам пересечения и строим искомую характеристику Iк=f(Iб). А теперь с использованием построенной характеристики можно построить характеристики об-

ратной связи по напряжению: UБЭ = f (UКЭ) при IБ =const

Для этого, задавая дискретные значения напряжений Uкэ на оси абсцисс и восстанавливая из этих точек перпендикуляры, переносим точки пересечения с соответствующими выходными характеристиками в четвертый квадрант, используя при этом в качестве переходной характеристику Iк=f(Iб) и характеристику входную Iб=f(Uбэ). При этом считаем, что при Uкэ>5в все входные характеристики идут настолько близко друг к другу, что практически сливаются с характеристикой при Uк=5в.

Эквивалентные схемы транзистора.

Реальный транзистор при расчете электронных схем можно представить в виде эквивалентной схемы (рис.61).

Здесь оба электронно-дырочных перехода, эмиттерный и коллекторный представлены диодами Д1 и Д2, а их взаимодействие учитывается генераторами токов, которые генерируют токи :

αN I1 − в нормальном включении (αN-коэффициент передачи транзистора в нормальном включении):

63