Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

3556

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
6.92 Mб
Скачать

С Б О Р Н И К Т Р У Д О В

ПОБЕДИТЕЛЕЙ КОНКУРСА НА ЛУЧШУЮ НАУЧНУЮ РАБОТУ

СТУДЕНТОВ И АСПИРАНТОВ ВГТУ

Воронеж 2013

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

«ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

С Б О Р Н И К Т Р У Д О В

ПОБЕДИТЕЛЕЙ КОНКУРСА НА ЛУЧШУЮ НАУЧНУЮ РАБОТУ СТУДЕНТОВ И АСПИРАНТОВ ВГТУ

Воронеж 2013

1

УДК 1:31:33:51:53

Сборник трудов победителей конкурса на лучшую научную работу студентов и аспирантов ВГТУ [Электронный ресурс] – Электрон. текстовые и граф. данные (6,9 Мб). – Воронеж: ФГБОУ ВПО ―Воронежский государственный технический университет‖, 2013. – 1 электрон. опт. диск (CDROM) : цв. – Систем. требования : ПК 500 и выше ; 256 Мб ОЗУ ; Windows XP ; SVGA с разрешением 1024x768 ; Adobe Acrobat 6.0 или более поздняя версия ; CD-ROM дисковод ; мышь. – Загл. с экрана. – Диск и сопровод. материал помещены в контейнер 12х14 см.

В сборнике представлены работы победителей конкурса на лучшую научную работу студентов и аспирантов ВГТУ, соответствующие основным научным направлениям «Вычислительные комплексы и проблемноориентированные системы управления» «Интеллектуальные информационные системы», «Программно-аппаратные электротехнические комплексы и системы», «Проблемы организации производства и управления предприятием в инновационной экономике», «Перспективные радиоэлектронные и лазерные устройства и системы передачи, приема, обработки и защиты информации», «Микро- и наноэлектронные устройства и системы», «Материаловедение функциональных и композиционных материалов», «Физика и технология наноструктурированных материалов», «Физико-технические проблемы энергетики», «Безопасность жизнедеятельности, экология и прогнозирование чрезвычайных ситуаций», «Наукоемкие технологии в машиностроении, авиастроении и ракетно-космической технике», «Психолого-педагогические проблемы и гуманитаризация высшего технического образования» и перечню критических технологий Российской Федерации, утвержденному Президентом Российской Федерации. Публикуемые статьи предназначены профессорскопреподавательскому составу, аспирантам и студентам гуманитарного и технического профиля.

Редакционная коллегия:

В.Р. Петренко – д-р техн. наук, профессор – ответственный редактор; А.Д. Поваляев – канд. физ.-мат. наук, доцент – зам. ответственного

редактора; И.Г.Дроздов - д-р техн. наук, профессор;

С.М. Пасмурнов - канд. техн. наук, профессор; В.А. Смышляев - д-р полит. наук, канд. ист. наук, профессор; В.А.Небольсин - д-р техн. наук, профессор; В.Л. Бурковский - д-р техн. наук, профессор;

Д.Г. Жиляков - канд. физ.-мат. наук, доцент – ответственный секретарь

© Коллектив авторов, 2013 © Оформление. ФГБОУ ВПО

«Воронежский государственный технический университет», 2013

2

СОДЕРЖАНИЕ

АЛГОРИТМ МОДЕЛЕЙ БУФЕРОВ ВХОДОВ/ВЫХОДОВ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ЦЕЛОСТНОСТИ СИГНАЛОВ ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ 6

Попова М.В., Мушта А.И.

АНТИКОРРУПЦИОННАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ ПРАВИТЕЛЬСТВА АЛЕКСАНДРА III

9

Лозовая З.А., Ряполов С.П.

 

АСПЕКТЫ ПРИМЕНЕНИЯ УГЛЕВОДОРОДНОГО СЫРЬЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ВОДОРОДНОЙ

 

ЭНЕРГЕТИКИ

10

Уколов Д.А., Звягинцева А.В.

 

БОРЬБА С ИТАЛЬЯНСКИМИ И ВЕНГЕРСКИМИ ОККУПАНТАМИ НА ВОРОНЕЖСКОЙ ЗЕМЛЕ В ГОДЫ ВЕЛИКОЙ

 

ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ВОЙНЫ

12

Рукавицына А.А., Душкова Н.А.

 

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА КОМПОЗИТОВ (Co40Fe40B20)Х(С)100-Х

14

Тарасова О.С., 14 Алешников А.А., Ситников А.В., Калинин Ю.Е.

 

ГЛОБАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ СОВРЕМЕННОСТИ

19

Соломахина Е.Ю., Пастушкова О.В.

 

ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ ПРЕДПРИНИМАТЕЛЕЙ НА ВОРОНЕЖСКОЙ ЗЕМЛЕ В XIX ВЕКЕ

21

Павличенко О.И., Душкова Н.А.

 

ИНДИВИДУАЛЬНЫЙ РИСК ОТ РАЗЛИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ОПАСНОСТИ

23

Аракчеев Д.В., Гладков С.А.

 

ИНТЕЛЛЕКТУАЛИЗАЦИЯ УПРАВЛЕНИЯ РИСКАМИ ИНВЕСТИЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ НА ОСНОВЕ

 

ТРАНСФОРМАЦИИ НЕЧЕТКОЙ ИНФОРМАЦИИ В БАЗУ ЗНАНИЙ

25

Фиртыч О.А., Пасмурнов С.М.

 

ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНАЯ ПОДСИСТЕМА ПОДДЕРЖКИ ПРИНЯТИЯ УПРАВЛЕНЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ В ПРОЦЕССЕ

 

ОПТИМИЗАЦИИ ГОРОДСКОЙ ДОРОЖНОЙ СЕТИ НА ОСНОВЕ АППАРАТА НЕЙРОННЫХ СЕТЕЙ И МЕТОДА

 

ЭКСПЕРТНЫХ ОЦЕНОК

27

Тишуков Б.Н., Воробьев Э.И.

 

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ФАКТОРА ТЕПЛООБМЕНА НА КОЭФФИЦИЕНТ РАСХОДА КРИТИЧЕСКОГО

 

РАСХОДОМЕРА

29

Кружаев К.В., Демьяненко Ю.В.

 

ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИКИ ИЗМЕНЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ВЫБРОСОВ ЗАГРЯЗНЯЮЩИХ ВЕЩЕСТВ ОТ

 

ПРЕДПРИЯТИЙ ЭЛЕКТРОМЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО ПРОФИЛЯ

31

Гильманова А.Э., Звягинцева А.В.

 

ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СИСТЕМЫ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ ЖРД

33

Ключанский Д.Г., Скоморохов Г.И., Музалёв И.А.

 

ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КОНЦЕНТРАЦИИ УДА В КЭП С МЕДНОЙ МАТРИЦЕЙ ОТ

 

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

35

Местюков М.М., Козенков О.Д., Пташкина Т.В.

 

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОВ И СРЕДСТВ ОРГАНИЗАЦИИ БЕЗОПАСНОСТИ, ЦЕЛОСТНОСТИ И ДОСТУПНОСТИ

 

ДАННЫХ В ПЕРИОД ЭКСПЛУАТАЦИИ И ОБНОВЛЕНИЯ КОРПОРАТИВНОГО ПОРТАЛА MICROSOFT OFFICE

 

SHAREPOINT SERVER 2007

37

Шмельков Е.А., Юрасов В.Г.

 

К ВОПРОСУ О ЕДИНОМ ГОСУДАРСТВЕННОМ ЭКЗАМЕНЕ В РОССИИ

39

Алексеева В.А., Андреев А.Ю., Мухина Н.Е.

 

К ВОПРОСУ ОБ ИСТОРИЧЕСКИХ ТРАДИЦИЯХ РОССИЙСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННОСТИ

41

Кургузкин В.А., Григорова В.А.

 

МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ТЕПЛОМАССООБМЕНА В ДИФФУЗИОННОМ ФИЛЬТРЕ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ

 

ВОДОРОДА ВЫСОКОЙ СТЕПЕНИ ОЧИСТКИ

43

Бакаев В.А., Скоморохов Г.И.

 

3

МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СТЕКЛА Ni80Zr20

45

Данильченко М.Н., Косилов А.Т.

 

МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ СТРУКТУРНОЙ ПЕРЕСТРОЙКИ

 

НАНОКРИСТАЛЛОВ МЕДИ В УСЛОВИЯХ ОДНООСНОГО НАГРУЖЕНИЯ

46

Золотых Т.А., Косилов А.Т.

 

НЕВИДИМЫЙ ИНТЕРНЕТ I2P

48

Сенченя В.Г., Юрасов В. Г.

 

ОБЛАЧНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

50

Балакирев Р.В., Юрасов В.Г.

 

ОРГАНИЗАЦИЯ РЕЗЕРВНОГО КОПИРОВАНИЯ И АРХИВИРОВАНИЯ БАЗ ДАННЫХ ДЛЯ ПЛАТФОРМЫ

 

IBM LOTUS

52

Лазовский К.И., Юрасов В.Г.

 

ОСОБЕННОСТИ АМОРФИЗАЦИИ ИЗОЛИРОВАННОГО КЛАСТЕРА Ni60Ag40

54

Фурсов Е.В., Косилов А.Т.

 

ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ МАГНИТОПОРОШКОВОГО И РЕНТГЕНОВСКОГО МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ

 

КАЧЕСТВА ОТЛИВКИ «КОРПУС» В УСЛОВИЯХ ЛИТЬЯ ПО ВЫПЛАВЛЯЕМЫМ МОДЕЛЯМ

56

Комарова Е.В., Печенкина Л.С.

 

ОСОБЕННОСТИ РАСЧЕТА КОЭФФИЦИЕНТА НАПРАВЛЕННОГО ДЕЙСТВИЯ ИЗЛУЧАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ

 

РЕШЕНИЯ ДВУХМЕРНОЙ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКОЙ ЗАДАЧИ

59

Спажакин М.И., Останков А.В.

 

ПОДГОТОВКА РАБОЧИХ НА ТЕРРИТОРИИ ЦЕНТРАЛЬНОГО ЧЕРНОЗЕМЬЯ В 30-е гг. XX В.:

 

ИСТОРИЧЕСКИЙ ОПЫТ

61

Евстратов А.Г., Душкова Н.А.

 

ПОСТРОЕНИЕ ПРОГНОСТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ПАВОДКА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ

 

ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

63

Долженкова В.В.,Киреев Д.О.,Звягинцева А.В.

 

ПОСТРОЕНИЕ ПРОГНОСТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИ ОПАСНЫХ ВЕЩЕСТВ

 

В ВОДНЫХ АКВАТОРИЯХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

65

Барковская Д.В.,Звягинцева А.В.

 

ПРЕДЕЛЬНОЕ ПОВЕДЕНИЕ КОРНЕЙ СКОЛЬЗЯЩИХ ЛАКУНАРНЫХ МНОГОЧЛЕНОВ ДЛЯ ДВУСТОРОННЕЙ

 

ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ ЧИСЕЛ ФИБОНАЧЧИ

67

Шелудяков А.Н.,Агранович Ю.Я.

 

ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СОВРЕМЕННОЙ РОССИЙСКОЙ ЭКОНОМИКИ: ТЕОРИЯ, ПРАКТИКА, ИННОВАЦИОННЫЕ

 

ПЕРСПЕКТИВЫ

69

Тараскова Е.С.,Смышляев В.А.

 

ПРОБЛЕМЫ ИНДИВИДУАЛЬНОГО И ОБЩЕСТВЕННОГО БЛАГОСОСТОЯНИЯ В ПЕРЕХОДНОЙ ЭКОНОМИКЕ

71

Клюкин Н.И.,Школьник И.В.

 

ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ЗАГРУЖЕННОСТИ ПОРТАЛА С ЦЕЛЬЮ ПОВЫШЕНИЯ ИНФОРМАЦИОННОЙ

 

БЕЗОПАСНОСТИ И ДОСТУПНОСТИ ПОРТАЛА

73

Шмельков Е.А.,Юрасов В.Г.

 

ПРОЦЕСС СОЦИАЛИЗАЦИИ ЛИЧНОСТИ (ФИЛОСОФСКИЙ ВЗГЛЯД)

75

Звягинцева Н.В., Пастушкова О.В.

 

РАЗРАБОТКА АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ ПОДСИСТЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ НЕЧЕТКИХ ПРАВИЛ ДЛЯ

 

ИНТЕЛЛЕКТУАЛИЗАЦИИ ПРОЦЕССА ОБУЧЕНИЯ ПРАВИЛАМ ДОРОЖНОГО ДВИЖЕНИЯ

77

Лесных Н.А., Литвиненко Ю.В.

 

РАЗРАБОТКА МОДЕЛЕЙ И АЛГОРИТМОВ ПРИНЯТИЯ ИНВЕСТИЦИОННЫХ РЕШЕНИЙ В УСЛОВИЯХ

 

НЕОПРЕДЕЛЕННОСТИ

79

Иванов Д.В.,Белецкая С.Ю.

 

4

РАЗРАБОТКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ УСТАНОВКИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ВЛИЯНИЯ ВЫСОКОПЕРЕПАДНОГО

 

УПЛОТНЕНИЯ НА ДИНАМИКУ ЗАКРИТИЧЕСКОГО РОТОРА

81

Цыганов А.А., Москвичев А.В., Иванов А.В.

 

РЕГИОНАЛЬНАЯ ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ПОЛИТИКА РФ: ОСНОВНЫЕ ПРИОРИТЕТЫ

83

Чувенкова Т.О., Симанова Е.Ю., Обертяева И.А.

 

РОТОРНЫЙ ПНЕВМАТИЧЕСКИЙ ДВИГАТЕЛЬ ДЛЯ РАБОТЫ В УСЛОВИЯХ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ И

 

ЗАГРЯЗНЁННОСТИ ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ

85

Гросс И.С., Поликарпов А.И.

 

СОВРЕМЕННЫЕ СРЕДСТВА ОБЕСПЕЧЕНИЯ ОРНИТОЛОГИЧЕСКОЙ БЕЗОПАСНОСТИ ПОЛЕТОВ

87

Авдюшина А.Е., Звягинцева А.В.

 

СРАВНЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ СЖАТИЯ ДВУХМЕРНЫХ СИГНАЛОВ МЕТОДАМИ НА ОСНОВЕ ДИСКРЕТНОГО

 

КОСИНУСНОГО И ВЕЙВЛЕТ-ПРЕОБРАЗОВАНИЙ

89

Ступак Е.П., Останков А.В.

 

СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ МОДЕЛЕЙ ТУРБУЛЕНТНОСТИ ПРИ МОДЕЛИРОВАНИИ ТЕЧЕНИЯ ЖИДКОСТИ

 

ЧЕРЕЗ НИТЕВИДНЫЕ МОНОКРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ

92

Лазаренко И.Н., Зайцева А.В., Шматов Д.П.

 

СТУДЕНЧЕСКИЕ СТРОЙОТРЯДЫ – ФОРМА ОБЩЕСТВЕННОГО САМОУПРАВЛЕНИЯ

94

Малкина А.А., Мирошникова А.В.

 

УКВ КОЛЬЦЕВАЯ АНТЕННА ДЛЯ МОБИЛЬНОЙ СВЯЗИ

96

Зотов В.Е., Юдин В.И.

 

УСТОЙЧИВОСТЬ КАПЛИ КАТАЛИЗАТОРА В ПРОЦЕССЕ РОСТА НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

102

Шмакова С.С., Небольсин В.А.

 

ФЕНОМЕНЫ ЧЕЛОВЕЧЕСКОГО БЫТИЯ – РУССКАЯ ТРАДИЦИЯ

107

Затонская А.К., Курочкина Л.Я.

 

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ НА ПОВЕРХНОСТИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ СОРБЕНТОВ ПРИ

 

ПОГЛОЩЕНИИ АММИАКА

109

Рыльков А.В., Горшунова В.П.

 

ХАРАКТЕРИСТИКА ТРУДОВЫХ РЕСУРСОВ И УРОВЕНЬ БЕЗРАБОТИЦЫ В РОССИИ

112

Малкина А.А., Рыкова В.А.

 

ХЕМИЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФОРМАЛЬДЕГИДА В ВОЗДУХЕ

114

Казьмина И.Г., Рязанцева Л.Т.

 

ЭКСПЕРТНЫЕ СИСТЕМЫ В ЭНЕРГОСБЕРЕЖЕНИИ

116

Пронина Ж.А., Баранников Н.И.

 

5

УДК 621.3.049.77

АЛГОРИТМ МОДЕЛЕЙ БУФЕРОВ ВХОДОВ/ВЫХОДОВ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ЦЕЛОСТНОСТИ СИГНАЛОВ ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Магистрант группы РКм-121 Попова Марина Владимировна Руководитель: канд. техн. наук, доц. Мушта А.И.

В данной статье рассмотрены вопросы разработки и реализации IBIS-моделей для высокочастотных сверхбольших интегральных схем (СБИС), предложены математические модели для их описания. Рассмотрена целесообразность IBIS в моделировании цифровых устройств. Дана оценка различным САПР, позволяющим проверить синтаксис и оценить правильность работы IBIS-модели.

Постановка задачи. С ростом рабочих частот цифровых микросхем, их времени переключения и крутизны фронтов важность учета паразитных эффектов печатных плат существенно возрастает. Возникает проблема целостности сигналов. Для описания свойств входных и выходных цепей микросхем, требуемых при анализе целостности сигналов, используется специальный класс IBISмоделей [1].

Учета паразитных эффектов, конфигурирование микросхемы для получения правильных состояний на выходах, точное определение высокоскоростных передаточных характеристик и данных, изменяющихся в процессе еѐ функционирования - целесообразность разработки IBIS-модели [2].

Отечественные разработчики микросхем, как правило, не предоставляют такие модели для разрабатываемых ими элементов, хотя, с учетом разработок (достигающих сотни мегагерц) подошли к этой проблеме. В этой связи возникают задачи, вопервых, создания таких моделей для отечественных компонентов и, во-вторых, включения их в системы моделирования устройств на печатных платах.

IBIS-модели получаются на основе знаний вольтамперной характеристики для различных логических состояний выводов по постоянному току, паразитных параметров корпуса и передаточных характеристик на идеальной резистивной нагрузке. Такой подход означает, что получить IBIS-модель можно либо выполнив ряд тестовых измерений при соответствующих условиях, либо выполнив полное SPICEмоделирование внутренней схемы устройства [2].

Реализация задачи.

Алгоритм создания IBIS-моделей

Для учета возможного разброса параметров микросхем в IBIS модели закладываются номинальные, минимальные и максимальные значения параметров. Для определения параметров моделей используются два метода. Первый из них - это использование подробной SPICE модели анализируемой микросхемы для расчета требуемых статических и динамических характеристик с дальнейшей генерацией IBIS модели. Второй метод

– создание моделей на основе результатов измерений и обработки характеристик реальных микросхем. Ниже приведен пример процесса

создания IBIS-моделей на основе результатов измерения:

1) Анализ микросхемы:

-температурного диапазона, технологических разбросов, определение диапазона напряжений питания;

-выбор требуемой версии. Так как в модели используются номинальные, минимальные и максимальные значения параметров, то на данном шаге определяют, при каких условиях наблюдаются эти значения соответствующих параметров схемы.

2) Измерение требуемых наборов статических

идинамических характеристик входных цепей и выходных каскадов данной микросхемы при обеспечении на входах и выходах требуемых логических состояний [3].

3)Выбор минимальных и максимальных значений для значений Pulldown, Pullup, Ramp (эти значения получают на основе проведенных измерений ВАХ). Как правило, значения для R_pkg, L_pkg, C_pkg берутся из Spice – модели, если таковые отсутствуют, то их измеряют в специальных измерительных стендах, рассчитанных на большое количество выводов микросхемы и учитывающие собственные паразитные сопротивления.

4)Форматирование полученных данных в соответствии с требованиями IBIS моделей.

5)Контроль правильности разработанного

IBIS-файла.

Завершающим этапом в разработке IBISмодели является проверка правильности синтаксиса. Для этого можно использовать IBIS Development studio (IBISDS), способной просматривать, редактировать и проверять IBIS модели в графическом или текстовом режиме.

Для того, чтобы использовать IBIS в симуляторе целостности сигналов, часто необходимо преобразовать IBIS формат в формат понятный симулятору. IBISDS содержит программу ibis2xtk, которая позволяет преобразовать IBIS файл для симулятора целостности сигналов Mentor

Graphics XTK

Достоинства и недостатки IBIS-модели

К достоинствам IBIS можно отнести

сравнительную простоту, точность моделей, а также универсальность в части решения сопутствующих топологическому проектированию задач. Кроме того, IBIS-модели обеспечивают сохранность

6

коммерческой тайны об использованных в ИС схемотехнических решениях при передаче информации организациями-производителями ИС разработчикам ЦУ. С помощью современных САПР, в которых используются IBIS-модели, не всегда удается в полной мере решить задачу анализа целостности сигналов на ПП, поскольку модели буферов в составе единой ИМС функционируют раздельно, независимо друг от друга. В частности, системы автоматизации топологического проектирования типа PCAD 200x не позволяют моделировать взаимосвязанное изменение логических состояний на выходах ИМС при переключении на входах и наводки на другие сигнальные проводники, порождаемые такими переходными процессами. Это является основным и существенным недостатком разработанных ранее моделей. Кроме того, общий обзор IBIS показал недостаточность проработки вопросов внедрения IBIS-моделей в практику проектирования ЦУ РТС и экспериментального определения характеристик ИМС в целях построения IBIS-описания ИМС.

Структура и состав IBIS-модели

В состав описания IBIS – модели входят структурные элементы GND Clamp, Power Clamp, Pullup и Pulldown, Ramp, представленные на рис. 1.

Рис. 1. Состав IBIS-модели.

GND Clamp – вольт амперные характеристики входных защитных диодов между входом и землей.

POWER Clamp – вольт амперные характеристики входных защитных диодов между входом и питанием.

Pulldown - характеристики выходной части схемы между выходом и землей, когда схема переведена в состояние логического нуля на выходе.

Pullup - характеристики выходной части схемы между выходом и питанием, когда схема переведена в состояние логической единицы на выходе.

Ramp - скорость переключения описываемой схемы из 0 в 1 и из 1 в 0.

Рис. 2. Пять элементов в IBIS-модели Блоки 1 и 2 показывают транзисторы, которые

моделируются в DC I/V таблицах под ключевыми словами [Pullup] и [Pulldown], которые подтягивают вверх и вниз транзисторы в стандарте TTL или КМОП I/O выходные буферы.

Блок 1 [Pulldown] показывает информацию, содержащую минимальные и максимальные значения для напряжения. [Pulldown] в таблице IBIS определяется как напряжение от -VCC до 2VCC.

Блок 2 [Pullup] показывает информацию, моделирующую характеристики буфера при действии высокого напряжения. Напряжение изменяется в диапазоне от -Vcc до Vcc.

Блок 3 (ключевые слова [GND_clamp] и [Power_clamp]), которые содержатся в DC I/V таблице, представляют электростатический выход или фиксирующие диоды. Если диоды не представлены в устройстве, то ключевые слова

[GND_clamp] и [Power_clamp] могут быть опущены.

Блок 4 ([Ramp]) определяет время перехода на выходе и переключается из одного состояния в другое.

Блок 5 представляет собой панель и блок паразитных параметров выходного буфера [4].

Для простоты, описание основано на выходном буфере одного устройства, упрощенная схема которого показана на рис. 3. Они концентрируются на описании выхода и порта внешнего источника тока i1(t) и i2 (t) соответственно. В качестве примера, модель структуры выходного порта состоит из следующих двух частей модели

i1(t) = wH(v1,v2,t) iH(v1,v2,t) +

+ wL(v1,v2,t)˖iL(v1,v2,t) (1)

где iH и iL являются подмоделями учета для устройства поведения в логике высокого и низкого состояния, соответственно, и изменяющихся во времени функции wH(t) и wL(t), играют роль входного сигнала v2(t) и обеспечивают переход между двумя подмоделями, т.е. переключение между двумя логическими состояниями. Аналогичное соотношение справедливо и для тока i2(t). Подмодель iH и iL может быть получена либо из упрощенных представлений эквивалентной схемы или метода идентификации и параметрической связи [4].

Используются верифицированные модели, эффективность применения которых подтверждена для системного уровня моделирования целостности сигналов на уровне печатной платы.

Рис. 3. Структура выходного буфера цифровых интегральных схем с соответствующими электрическими величинами.

Модели описывают, что изменение внешнего напряжения питания мало, что не позволяет моделированию укладываются в системе пакета (SiP) устройства, где колебание напряжения может

7

быть порядка 30% от номинального значения напряжения питания.

Для того чтобы обеспечить расширенную модель поведения многопортовых для базовой структуры рис. 3, используется известная модель

Где F1 и F2 функции для счета нелинейного динамического поведения выходного каскада из буфера. Они описываются моделью представления, как одна из экв. (1) где разные части, т. е. iH и iL и весовые сигналы wH и wL, были соответствующими изменениями, как для учета больших колебаний значений мощности питающего напряжения. Кроме того, в зависимости возможны различные формы входного сигнала встроены в определении весовых

сигналов wH и wL.

• F3 и F4 для учета тока и входного порта текущего предварительного каскада и определяют динамические параметрические модели.

Анализ систем автоматизированного проектирования, поддерживающих IBIS-модели.

Успешно выполненный анализ электрической схемы еще не гарантирует правильного функционирования разрабатываемого устройства, поскольку на этом этапе не учитывалось влияние параметров конструкции ЭС, которое можно оценить и внести в проект необходимые изменения на этапе посттопологического анализа. Большинство современных САПР ЭС содержат программные средства для решения этой проектной задачи [6].

Анализ целостности сигналов заключается в оценке влияния конструкции спроектированной печатной платы и конструкции блока на электрические характеристики электронных средств (ЭС). Оценка этого влияния предполагается в маршруте проектирования электронного узла, в котором следующие этапы схемотехнического моделирования и разработки конструкции печатной платы разделены:

-моделирование электронной схемы без учета паразитных эффектов реальной печатной платы (схемотехническое моделирование);

-моделирование электронной схемы с учетом предполагаемых параметров проектируемой печатной плате (предтопологический этап проектирования).

-конструкторская разработка печатной платы. -повторное моделирование ЭС с учетом

конструктивных параметров платы (и, возможно, корпуса) и паразитных эффектов ее элементов (посттопологический этап проектирования).

Далее представлены САПР различных фирм, содержащие встроенные библиотеки IBIS-файлов.

1) САПР Altium Designer поддерживает решение перечисленных выше проектных задач, содержит программный модуль анализа целостности сигналов Signal Integrity;

2)САПР Mentor Graphics. Для

предтопологического и посттопологического

анализа высокоскоростных печатных плат и многокристальных модулей (МСМ), служат программные продукты HyperLynx. IBIS Библиотекарь организует и проверяет модели устройства для использования в моделировании линии электропередач в Signal Vision и Signal Analyzer.

3) САПР Advanced Design System (ADS)

Система автоматизированного проектирования ADS компании Agilent помогает разработчикам решать многоплановые проблемы проектов со смешанными сигналами (аналоговыми и цифровыми), от высокочастотных до цифровых и до полосы частот видеосигнала. [7].

4) Платформа ALLEGRO компании Сadence При создании модели в первую очередь

учитываются уже существующие (фиксированные) сегменты соединений – например, если используется заданная серия микросхем или определенный тип корпуса. Для заранее определенных сегментов основная задача – создание адекватной модели. Если буферные элементы ввода/вывода заданы, то их характеристики уже должны существовать как часть проекта ИС или IPбиблиотеки. [8]

Заключение..Показана целесообразность и необходимость использования IBIS-моделей при моделировании цифровых устройств. Предложен алгоритм разработки и реализации моделей для высокочастотных цифровых интегральных схем. Установлен рейтинг различных САПР по критериям проверки синтаксиса разрабатываемых моделей и оценки достоверности их работ.

Литература

1К.О. Петросянц, И.А. Харитонов,Создание IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия внешних факторов ФГУП «Всероссийский НИИ Автоматики им. Н.Л. Духова»

2Джон Пауэлл, Как разрабатывать IBIS-модели / EDA EXPERT, #10(73), декабрь 2002

3Michael Mirmak IBIS Modeling Cookbook // Intel Corporation, Government Electronics and Information Technology Association and The IBIS Open Forum.-2005. – URL: http://www.eda.org/ibis/

4I.S. Stievano, C. Siviero, F.G. Canavero, I.A. Maio Behavioral Models of Input/Output Buffers Including Core Noise Coupling / SPI 2008

5Кечиев Л.Н., Лемешко Н.В. Моделирование помех

вшинах питания цифровых устройств на основе IBISописания интегральных схем// журнал «Технологии ЭМС». - 1(16). - 2006 г.

6Леонов А.П. О подходе к выбору инструмента для автоматизированного проектирования печатных плат: Препринт ИФВЭ 2000-18. – Протвино, 2000. – 12 с.

7Асланянц В.Р. Анализ целостности сигналов: практикум/ В.Р. Асланянц; Владим. гос. ун-т. – Владимир: Изд-во Владим. гос. ун-та, 2011. –124 с.

8А. Комков, Г. Хренов, Кристалл-корпус-печатная плата. Проектирование соединений: ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технологя, Бизнес 7/2005

8

УДК 94

АНТИКОРРУПЦИОННАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ ПРАВИТЕЛЬСТВА АЛЕКСАНДРА III

Студент группы ЭПД-121 Лозовая Зоя Александровна Руководитель: канд. ист. наук, доц. Ряполов С.П.

В статье освещается опыт борьбы с коррупцией в Российской Империи в период правления Александра III

Проблема коррупции актуальна не только в наше время, но и в прошлые столетия. Не был исключением и период российской истории конца XIX века. Одной из главных проблем, стоявших тогда перед империей, была проблема коррупции. Для ее решения Александр ΙΙΙ предпринял ряд мер по искоренению взяточничества и злоупотреблений, усилившихся в предыдущее царствование. Были введены запреты для чиновников, которых ранее не существовало: запрет на участие в правлениях частных акционерных обществ, запрет на получение комиссии (лично чиновником) при размещении государственного займа и другие. В доказательство этому имеются соответствующие примеры.

Так, сотрудник министерства финансов И.Ф. Цион был уволен Вышнеградским за то, что получил комиссию в 200 тысяч руб. от иностранных банкиров при размещении очередного государственного займа. А. Абаза был уволен императором за то, что располагая инсайдерской информацией о намерении государства понизить курс рубля, пустился в массированные спекуляции, на которых нажил 900 тысяч руб. Министр путей сообщения А. К. Кривошеин вскоре после своего назначения был уличен в попытке брать взятки при заключении государственных контрактов, в продаже леса из своих имений государству по завышенным ценам и в других злоупотреблениях, после чего был уволен со своего поста.

Одним из направлений борьбы с коррупцией стала реорганизация системы железных дорог, превратившейся до этого в одну из главных сфер финансовых злоупотреблений. Результатом стало не только прекращение огромных убытков от железных дорог для казны, но и исчезновение такого явления как «железнодорожные короли» (тесно переплетшиеся в своих интересах с крупными чиновниками), чьи частные компании были в основном выкуплены государством.

Историки полагают, что одним из источников злоупотреблений и расстройства государственного управления в дореволюционной России был императорский двор, в особенности родственники царя и различные фавориты. Многие из них не обладали достаточными качествами для управления государством, но имели большое влияние и вес при дворе. Хотя при Александре III многие представители императорской семьи (великих князей и т. п.) продолжали занимать высокие посты, но некоторых он отправил в отставку. Кроме того, по свидетельству Витте, император активно противостоял их вмешательству в работу министерств и ведомств и выдвигаемым ими различным финансовым «проектам», в которых можно было заподозрить желание присвоить казенные средства.

Из всего выше сказанного следует, что Александр ΙΙΙ пытался бороться всеми методами с коррупцией в стране, но безуспешно. Даже сегодня в стране эта проблема представляет собой серьезную угрозу для современного российского государства и общества. Непринятие кардинальных мер по противодействию данному явлению может привести к негативным последствиям для государства и общества.

Литература

1.Барковец О. Неизвестный император Александр III : очерки о жизни, любви и смерти / О. Барковец, А. Крылов-Толстикович . М. : РИПОЛ классик, 2003. 268 с.

2.Боханов А. Н. Император Александр III / А. Н. Боханов. М. : Рус. слово, 1998 . 509 с.

3.Тальберг Н. Д. Александр III: Очерки истории императорской России / Н.Д. Тальберг . М. : Изд-во Сретен. монастыря, 2000 . 163 с.

4.Толмачев Е. П. Александр III и его время / Е. П. Толмачев . М. : Терра-Кн. клуб, 2007 . 716 с.

5.Труайя Анри. Александр III / Анри Труайя ; пер. с фр. Г. Сахацкого . М.: Эксмо, 2006 . 267 с.

9

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]