
- •Конспект лекций
- •Оглавление
- •1. Полупроводниковые диоды
- •1.1. Конструктивно-технологические виды диодов
- •1 2 4 3 N Ge 1 - металлическая игла2 - кристалл полупроводника3 - металлизация
- •1.2. Выпрямительные диоды
- •1.3. Импульсные и высокочастотные диоды
- •1.4. Стабилитроны
- •1.5. Туннельные диоды
- •1.6. Варикапы
- •1.7. Свч диоды
- •1.8. Диоды Ганна
- •1.9. Лавинно-пролетные диоды
- •1.11. Варисторы
- •1.12. Термисторы, термоэлектрические приборы
- •1.13. Тиристоры, фототиристоры, оптопары
- •2. Биполярные транзисторы Общие сведения
- •2.1. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов
- •2.2. Схемы включения транзисторов
- •2.3 Коэффициенты передачи тока
- •2.4. Зависимость коэффициентов усиления транзисторов от режима и температуры
- •2.5. Статические характеристики транзистора в схеме с оэ
- •2.6. Модель Эбберса-Молла
- •2.7. Транзистор как линейный четырехполюсник
- •2.8. Конструкции биполярных транзисторов
- •2.9. Биполярные транзисторы с гетеропереходами
- •3. Усилители на транзисторах
- •3.1. Классификация Режимы работы
- •3.2. Выбор рабочей точки
- •3.3 Стабильность рабочей точки
- •3.4. Расчет каскада на транзисторе в схеме с оэ по постоянному току
- •3.5 Транзисторный усилитель переменного напряжения
- •3.6 Амплитудно-частотная характеристика усилителя
- •3.7. Порядок расчета транзисторных усилителей
- •3.8. Эмиттерный повторитель
- •3.9. Усилители постоянного тока
- •3.10. Дифференциальный усилитель
- •4. Полевые транзисторы
- •4.1. Полевые транзисторы. Общие сведения
- •4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.3. Статические характеристики
- •4.4. Основные параметры мдп-транзисторов
- •4.6. Полевые транзисторы с управляющим
- •4.7. Приборы с зарядовой связью
- •4.8. Полевые свч транзисторы на основе арсенида галлия
- •4.9. Полевые свч-транзисторы на гетероструктурах
- •5. Электронные приборы свч Общие сведения
- •5.1. Клистроны
- •5.2. Лампы бегущей и обратной волны
- •5.3. Магнетроны
- •6. Интегральные операционные усилители
- •6.1. Основные параметры оу
- •6.2. Обратные связи
- •6.3. Идеальный оу. Виртуальный ноль
- •6.4. Инвертированный усилитель
- •6.5. Неинвертирующий усилитель
- •6.6 Аналоговые интеграторы и дифференциатор
- •6.7. Инвертирующий сумматор и вычитатель
- •6.8. Логарифмический усилитель, компараторы
- •6.9. Избирательные усилители
- •Литература
5.2. Лампы бегущей и обратной волны
Они являются приборами с длительным взаимодействием электронного сгустка с замедленной электромагнитной волной. При этом происходит группировка ускоренных электронов, и отдача энергии замедленных электронов полю СВЧ.
Для этого должно выполняться условие синхронизма – скорость электронов в потоке должна совпадать с фазовой скоростью волны.
В лампах бегущей волны (ЛБВ) движение электронов совпадает с направлением движения энергии по замедляющей системе. В них электронный поток взаимодействует с прямой замедленной волной.
В лампах обратной волны электронный поток движется навстречу потоку энергии и электронный поток взаимодействует с обратной волной.
ЛБВ и ЛОВ делятся на две основные группы. К приборам О-типа относятся лампы с продольным магнитным полем, которое используется для фокусировки электронного пучка. К приборам М-типа относятся лампы в которых электроны движутся в скрещенных электрических или магнитных полях.
Рассмотрим устройство и принцип действия ЛБВ О-типа (рис. 5.3).
Эмиттируемые катодом электроны ускоряются напряжением г до скорости ~0,1с, где с – скорость света. СВЧ колебания, подлежащие усилению подаются на вход лампы и далее распространяются вдоль замедляющей системы, образованной спиралью и каркасом фокусирующего селеноида. Скорость uгрраспространения электромагнитной волны вдоль провода спирали равна скорости света. Фазовая скорость волны, т.е. ее скорость движения вдоль оси спирали будет в πd/tраз меньше, где в – диаметр спирали,t– шаг спирали. Обычно обеспечивается замедление в 10-15 раз.
Рис. 5.3
Движение энергии в замедляющей системе происходит в направлении движения электронов. Фокусировка электронного потока осуществляется с помощью постоянного магнитного поля, созданного селеноидом.
По мере движения электронов внутри спирали в поле бегущей волны они взаимодействуют с этой волной. В зависимости от фазы сверхвысокочастотного электрического поля, они тормозятся или ускоряются. В результате появления разности скоростей электронов происходит группирование их в сгустки. Сгустки образуются в той части бегущей волны, где электроны претерпевают торможение. При дальнейшем движении электроны постепенно тормозятся, передавая кинетическую энергию волне и увеличивая ее амплитуду.
ЛБВ работают на частотах до десятков ГГц и могут иметь мощность от единиц Вт до 1 кВт в непрерывном режиме. В импульсном – до 10 МВт. Главным преимуществом ЛБВ является широкая полоска усиливаемых частот до 15%. КПД ЛБВ составляет от 20 до 50%.
ЛБВ применяются в радиолокации, системах космической и трансферной связи.
Лампы обратной волны (ЛОВ). ЛОВ применяются в основном для генерации СВЧ колебаний, но могут работать и в усилительном режиме. В ЛОВ применяются такие же системы фокусировки и замедляющие системы как в ЛБВ. В ЛОВ волна и электронный поток движутся навстречу друг другу. В усилительных ЛОВ вход располагается около коллектора, а выход около катода. Усиление в такой лампе возможно лишь в узкой полосе частот. Положение этой полосы частот в диапазоне частот зависит от ускоряющего напряжения.
Значительное большее распространение получили генераторные ЛОВ. В условиях синхронизации скорость электронов и обратной гармоники в ЛОВ совпадают по направлению, а поток энергии направлен от коллектора к катоду. Поэтому выход СВЧ колебаний располагается в катодном конце замедляющей системы. Все прямые гармоники поглощаются согласованной нагрузкой. Генерация колебаний в ЛОВ осуществляется за счет наличия внутренней обратной связи, распределенной по длине лампы и обусловленной встречным движением энергии и волны в замедляющей системе. В ЛОВ имеется возможность плавной перестройки частоты изменением ускоряющего напряжения. ЛОВ применяются в качестве гетеродинов приемников РЛС, задающих генераторов передатчиков РЛС с быстрой перестройкой частоты, в широкополосных ЧМ системах передачи данных.