- •Конспект лекций
- •Оглавление
- •1. Полупроводниковые диоды
- •1.1. Конструктивно-технологические виды диодов
- •1 2 4 3 N Ge 1 - металлическая игла2 - кристалл полупроводника3 - металлизация
- •1.2. Выпрямительные диоды
- •1.3. Импульсные и высокочастотные диоды
- •1.4. Стабилитроны
- •1.5. Туннельные диоды
- •1.6. Варикапы
- •1.7. Свч диоды
- •1.8. Диоды Ганна
- •1.9. Лавинно-пролетные диоды
- •1.11. Варисторы
- •1.12. Термисторы, термоэлектрические приборы
- •1.13. Тиристоры, фототиристоры, оптопары
- •2. Биполярные транзисторы Общие сведения
- •2.1. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов
- •2.2. Схемы включения транзисторов
- •2.3 Коэффициенты передачи тока
- •2.4. Зависимость коэффициентов усиления транзисторов от режима и температуры
- •2.5. Статические характеристики транзистора в схеме с оэ
- •2.6. Модель Эбберса-Молла
- •2.7. Транзистор как линейный четырехполюсник
- •2.8. Конструкции биполярных транзисторов
- •2.9. Биполярные транзисторы с гетеропереходами
- •3. Усилители на транзисторах
- •3.1. Классификация Режимы работы
- •3.2. Выбор рабочей точки
- •3.3 Стабильность рабочей точки
- •3.4. Расчет каскада на транзисторе в схеме с оэ по постоянному току
- •3.5 Транзисторный усилитель переменного напряжения
- •3.6 Амплитудно-частотная характеристика усилителя
- •3.7. Порядок расчета транзисторных усилителей
- •3.8. Эмиттерный повторитель
- •3.9. Усилители постоянного тока
- •3.10. Дифференциальный усилитель
- •4. Полевые транзисторы
- •4.1. Полевые транзисторы. Общие сведения
- •4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.3. Статические характеристики
- •4.4. Основные параметры мдп-транзисторов
- •4.6. Полевые транзисторы с управляющим
- •4.7. Приборы с зарядовой связью
- •4.8. Полевые свч транзисторы на основе арсенида галлия
- •4.9. Полевые свч-транзисторы на гетероструктурах
- •5. Электронные приборы свч Общие сведения
- •5.1. Клистроны
- •5.2. Лампы бегущей и обратной волны
- •5.3. Магнетроны
- •6. Интегральные операционные усилители
- •6.1. Основные параметры оу
- •6.2. Обратные связи
- •6.3. Идеальный оу. Виртуальный ноль
- •6.4. Инвертированный усилитель
- •6.5. Неинвертирующий усилитель
- •6.6 Аналоговые интеграторы и дифференциатор
- •6.7. Инвертирующий сумматор и вычитатель
- •6.8. Логарифмический усилитель, компараторы
- •6.9. Избирательные усилители
- •Литература
1.6. Варикапы
Варикапом называется диод, используемый в качестве ёмкости, управляемой напряжением. Для этого используется барьерная ёмкость p-n-перехода. Диффузионная ёмкость не может применяться из-за малого сопротивления диода при прямом смещении. Вольт-фарадная характеристика показана на рис. 1.20.
Основными параметрами варикапов
являются: Cmax- максимальная емкость при минимальном
напряжении смещения,Cmin-минимальная емкость при максимальном
напряжении,Cном-
номинальная ёмкость при номинальном
напряжении;
- коэффициент перекрытия по ёмкости,Qном - номинальная
добротность, отношение реактивного
сопротивления варикапа к полному
сопротивлению потерь при номинальном
смещении, температурные коэффициенты
ёмкости и добротности.
Варикапы применяются для электронной перестройки частоты колебательных контуров, в схемах деления и умножения частоты, в схемах частотной модуляции.
Электронно-дырочный переход варикапов имеет сложную структуру. В качестве варикапов используются p-n-n+,p-i-n, МДП, диод Шоттки.
1.7. Свч диоды
Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод – это полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки СВЧ сигнала.
Условиями для получения необходимых частотных свойств СВЧ – диодов являются:
отсутствие инжекции неосновных носителей через p-n-переход в базу;
малое время жизни носителей в базе;
малая величина барьерной емкости и сопротивления базы.
СВЧ-диоды изготавливаются из германия, кремния, арсенида галлия.
Смесительные диоды. Смесительными называются СВЧ-диоды, предназначенные для преобразования СВЧ-сигналов в сигнал промежуточной частоты.
К смесительному диоду подводится сигнал и переменное напряжение от специального генератора – гетеродина. Вследствие нелинейности ВАХ диода происходит образование сигнала разностной (промежуточной) частоты. Дальнейшее усиление входного сигнала происходит на этой промежуточной частоте.
Детекторные диоды. Они предназначены для детектирования СВЧ-сигнала. Они используются для выделения из модулированных по амплитуде ВЧ или СВЧ колебаний сигнала более низкой частоты.
Для удобства соединения с коаксиальными линиями или волноводами СВЧ-диоды имеют, как правило, коаксиальную или постронную конструкции.
В качестве СВЧ-диодов широко применяются диоды Шоттки.
1.8. Диоды Ганна
Диод Ганна – это полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под действием сильного электрического поля и предназначенный для генерирования и усиления СВЧ-колебаний.
Эффект Ганна наблюдается только в кристаллах полупроводников, имеющих в зоне проводимости побочный минимум (долину), расположенный выше основного, в котором эффективная масса электронов в несколько раз больше, чем в основном. К таким материалам относятся GaAs,InSb,InAs,ZnSe,InPиCdTe. В арсениде галлия СВЧ колебания возникают при напряженности электрического поля 1000 В/см.
Генераторы на диодах Ганна имеют значительно меньше шумов, чем генераторы на ЛПД. Диоды Ганна допускают перестройку частоты.
Эффект Ганна наблюдается в основном у двухдолинных полупроводников, зона проводимости которых состоит из одной нижней долины и нескольких верхних долин. На рис. 1.21 показана зонная структура арсенида галлия n-типа.

Рис. 1.21
При слабом электрическом поле электроны находятся в нижней долине, где они имеют малую эффективную массу и высокую подвижность. Поэтому полупроводник имеет сравнительно высокую проводимость. С ростом напряжения ток пропорционален напряжению. Когда напряженность электрического поля становится достаточно высокой, большая часть электронов переходит в верхнюю долину, где они обладают большей эффективной массой и меньшей подвижностью. Вследствие этого сопротивление в этой зоне полупроводника возрастает. Из-за неоднородности материала сопротивление возрастает под действием сильного электрического поля не во всем полупроводнике, а лишь в определенной области. Область такого повышенного сопротивления и более сильного электрического поля называют доменом. Обычно домен образуется у катода и движется с большой скоростью к аноду. Вследствие разности скоростей электронов в полупроводнике и в домене в нем образуется сгусток электронов. Дойдя до анода, домен исчезает, но возникает новый домен у катода, который начинает двигаться к аноду и т.д. Пропадание доменов и возникновение новых сопровождается периодическим изменением сопротивления диода Ганна с появлением СВЧ-колебаний.
Генераторы Ганна из арсенида Галлия работают в диапазоне 1-50 ГГц. КПД составляет от 1 до 30%. Мощность СВЧ-колебаний в непрерывном режиме десятки ватт, в импульсном режиме единицы киловатт. Возможность перестройки частоты путем изменения прикладываемого напряжения не превышает нескольких десятых долей процента.
