
- •Конспект лекций
- •Оглавление
- •1. Полупроводниковые диоды
- •1.1. Конструктивно-технологические виды диодов
- •1 2 4 3 N Ge 1 - металлическая игла2 - кристалл полупроводника3 - металлизация
- •1.2. Выпрямительные диоды
- •1.3. Импульсные и высокочастотные диоды
- •1.4. Стабилитроны
- •1.5. Туннельные диоды
- •1.6. Варикапы
- •1.7. Свч диоды
- •1.8. Диоды Ганна
- •1.9. Лавинно-пролетные диоды
- •1.11. Варисторы
- •1.12. Термисторы, термоэлектрические приборы
- •1.13. Тиристоры, фототиристоры, оптопары
- •2. Биполярные транзисторы Общие сведения
- •2.1. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов
- •2.2. Схемы включения транзисторов
- •2.3 Коэффициенты передачи тока
- •2.4. Зависимость коэффициентов усиления транзисторов от режима и температуры
- •2.5. Статические характеристики транзистора в схеме с оэ
- •2.6. Модель Эбберса-Молла
- •2.7. Транзистор как линейный четырехполюсник
- •2.8. Конструкции биполярных транзисторов
- •2.9. Биполярные транзисторы с гетеропереходами
- •3. Усилители на транзисторах
- •3.1. Классификация Режимы работы
- •3.2. Выбор рабочей точки
- •3.3 Стабильность рабочей точки
- •3.4. Расчет каскада на транзисторе в схеме с оэ по постоянному току
- •3.5 Транзисторный усилитель переменного напряжения
- •3.6 Амплитудно-частотная характеристика усилителя
- •3.7. Порядок расчета транзисторных усилителей
- •3.8. Эмиттерный повторитель
- •3.9. Усилители постоянного тока
- •3.10. Дифференциальный усилитель
- •4. Полевые транзисторы
- •4.1. Полевые транзисторы. Общие сведения
- •4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.3. Статические характеристики
- •4.4. Основные параметры мдп-транзисторов
- •4.6. Полевые транзисторы с управляющим
- •4.7. Приборы с зарядовой связью
- •4.8. Полевые свч транзисторы на основе арсенида галлия
- •4.9. Полевые свч-транзисторы на гетероструктурах
- •5. Электронные приборы свч Общие сведения
- •5.1. Клистроны
- •5.2. Лампы бегущей и обратной волны
- •5.3. Магнетроны
- •6. Интегральные операционные усилители
- •6.1. Основные параметры оу
- •6.2. Обратные связи
- •6.3. Идеальный оу. Виртуальный ноль
- •6.4. Инвертированный усилитель
- •6.5. Неинвертирующий усилитель
- •6.6 Аналоговые интеграторы и дифференциатор
- •6.7. Инвертирующий сумматор и вычитатель
- •6.8. Логарифмический усилитель, компараторы
- •6.9. Избирательные усилители
- •Литература
5. Электронные приборы свч Общие сведения
Работа электронных приборов СВЧ основана на том, что электроны приобретают кинетическую энергию от постоянного электрического поля, созданного источником питания и передают часть своей энергии электромагнитному полю СВЧ при торможении в этом поле.
Электронные приборы СВЧ делятся на две группы О-типа и М-типа. В приборах О-типа постоянное магнитное поле отсутствует или применяется только для фокусировки электронного потока. В приборах М-типа используются взаимно-перпендикулярные постоянное электрическое и магнитное поля. К приборам О-типа относятся клистроны, лампы бегущей волны (ЛБВ) и лампы обратной волны. Приборами М-типа являются магнетроны. Существуют ЛБВ и ЛОВ относящиеся к приборам М-типа.
5.1. Клистроны
Клистронами называются СВЧ приборы, работа которых основана на модуляции скорости электронного потока и группировании электронов в сгустки с последующим преобразованием энергии сгруппированных электронов в энергию СВЧ-колебаний. Клистроны содержат один или несколько объемных резонаторов.
Клистроны применяются для усиления и умножения частоты СВЧ-колебаний. Клистроны имеют узкополосные колебательные системы. Их перестройка в широком диапазоне волн производится механически изменением геометрических размеров резонаторов.
Рассмотрим устройство двухрезонаторного клистрона (рис.5.1).
Рис. 5.1
Электроны, испускаемые подогреваемым катодом, ускоряются полем ускоряющего электрода и пронизывают зазор между сетками входного резонатора. К входному резонатору через коаксиальную линию или волновод и петлю связи подводятся СВЧ колебания, которые требуется усилить. Входной резонатор называют модулятором. Выходной аналогичный резонатор называется улавливателем. Петлей связи усиленные колебания из улавливателя отводятся в нагрузку.
Часть входного и выходного резонатора выполнена в виде сеток, находящихся внутри баллона прибора и определяют емкость колебательного контура.
Электронный поток, прошедший через сетки резонаторов, собирается коллектором, на который подано высокое напряжение.
В основе физики работы клистрона лежит принцип формирования сгустков электронов (рис. 5.2.).
Рис. 5.2
Электроны, для которых в пространстве выходного резонатора выполняется условие u0sinωt> 0, получают дополнительное ускорение. Электроны, для которыхu0sinωt< 0 замедляются. На рис. 5.2 показана схема группировки электронов в пространственные резонаторы. В результате образуются сгустки электронов.
Модулированные по скорости электроны проходят пространство дрейфа между сетками входного и выходного резонаторов по инерции. Электроны с большей скоростью догоняют электроны, движущиеся с меньшей скоростью, что приводит к образованию сгустков электронов, разделенных одинаковыми промежутками времени, равными периоду усиливаемых колебаний.
Электронные сгустки поступают в выходной резонатор, настроенный на частоту их следования и создают в нем импульсы наведенного тока и возбуждают колебания с амплитудой, значительно превышающей амплитуду входного сигнала.
Двухрезонаторный клистрон может усиливать мощность в десятки раз.
КПД двухрезонаторных клистронов составляет от 20 до 40 % (предельное теоретическое значение 58%).
В настоящее время применяются клистроны, содержащие от 3 до 7 резонаторов. Они имеют КПД до 50 %, коэффициент усиления по мощности до 90 дБ, мощность до 100 кВт в непрерывном режиме, до 50 мВт в импульсном режиме.
Отражательные клистроны. Основным их назначением является генерирование СВЧ колебаний. Они содержат один объемный резонатор, который дважды пронизывается электронным потоком. Возврат электронов в зазор резонатора осуществляется с помощью отражателя, находящегося по отрицательным напряжением.