
- •Конспект лекций
- •Оглавление
- •1. Полупроводниковые диоды
- •1.1. Конструктивно-технологические виды диодов
- •1 2 4 3 N Ge 1 - металлическая игла2 - кристалл полупроводника3 - металлизация
- •1.2. Выпрямительные диоды
- •1.3. Импульсные и высокочастотные диоды
- •1.4. Стабилитроны
- •1.5. Туннельные диоды
- •1.6. Варикапы
- •1.7. Свч диоды
- •1.8. Диоды Ганна
- •1.9. Лавинно-пролетные диоды
- •1.11. Варисторы
- •1.12. Термисторы, термоэлектрические приборы
- •1.13. Тиристоры, фототиристоры, оптопары
- •2. Биполярные транзисторы Общие сведения
- •2.1. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов
- •2.2. Схемы включения транзисторов
- •2.3 Коэффициенты передачи тока
- •2.4. Зависимость коэффициентов усиления транзисторов от режима и температуры
- •2.5. Статические характеристики транзистора в схеме с оэ
- •2.6. Модель Эбберса-Молла
- •2.7. Транзистор как линейный четырехполюсник
- •2.8. Конструкции биполярных транзисторов
- •2.9. Биполярные транзисторы с гетеропереходами
- •3. Усилители на транзисторах
- •3.1. Классификация Режимы работы
- •3.2. Выбор рабочей точки
- •3.3 Стабильность рабочей точки
- •3.4. Расчет каскада на транзисторе в схеме с оэ по постоянному току
- •3.5 Транзисторный усилитель переменного напряжения
- •3.6 Амплитудно-частотная характеристика усилителя
- •3.7. Порядок расчета транзисторных усилителей
- •3.8. Эмиттерный повторитель
- •3.9. Усилители постоянного тока
- •3.10. Дифференциальный усилитель
- •4. Полевые транзисторы
- •4.1. Полевые транзисторы. Общие сведения
- •4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.3. Статические характеристики
- •4.4. Основные параметры мдп-транзисторов
- •4.6. Полевые транзисторы с управляющим
- •4.7. Приборы с зарядовой связью
- •4.8. Полевые свч транзисторы на основе арсенида галлия
- •4.9. Полевые свч-транзисторы на гетероструктурах
- •5. Электронные приборы свч Общие сведения
- •5.1. Клистроны
- •5.2. Лампы бегущей и обратной волны
- •5.3. Магнетроны
- •6. Интегральные операционные усилители
- •6.1. Основные параметры оу
- •6.2. Обратные связи
- •6.3. Идеальный оу. Виртуальный ноль
- •6.4. Инвертированный усилитель
- •6.5. Неинвертирующий усилитель
- •6.6 Аналоговые интеграторы и дифференциатор
- •6.7. Инвертирующий сумматор и вычитатель
- •6.8. Логарифмический усилитель, компараторы
- •6.9. Избирательные усилители
- •Литература
3.3 Стабильность рабочей точки
Смещение рабочей точки вызывает изменение характеристик транзистора, так как они зависят от режима. Нестабильность рабочей точки определяется изменением следующих параметров: теплового тока IК0, напряжения на эмиттерном переходеUЭБ, коэффициента усиления по току. Нестабильность параметров связана с изменением температуры и временным дрейфом.
Приращение коллекторного тока имеет вид:
IK=.
(3.3.1)
Можно показать, что
IK=,
(3.3.2)
где RЭБ=RЭ+RБсуммарное сопротивление в контуре эмиттер-база; RЭи RБ- эмиттерное и базовое сопротивления;
Б=-
коэффициент токораспределения- показывает
какая часть тока коллектора ответвляется
в базу.
Коэффициентом нестабильности называется величина:
S=.
(3.3.3)
Изменения коллекторного тока будут тем меньше, чем меньше коэффициент нестабильноси.
При Б=1 Smin=, а приБ=0 Smin=.
Для получения большей стабильности необходимо стремиться к условию Б1. Удовлетворительные результаты дают значения RЭ/RБ=0.5-1, которым соответствует S=2-3.
Рассмотрим основные схемы обеспечивающие режим каскада в схеме с ОЭ.
На рис. 3.6 показана простейшая схема каскада с ОЭ, в которой базовый ток задается резистором RБ. Если уменьшить резистор RБ, то увеличивается ток базы, а следовательно и ток коллектора. Напряжение UКЭпри этом уменьшается, так как E=IКRК+UКЭ. В данной схеме сопротивление в эмиттере RЭ=0, поэтомуБ=0 и стабильность каскада оказывается низкой S=.
Схема показанная на рис. 3.7 используется наиболее часто. Делитель R1, R2определяет потенциал базы и тем самым фиксирует потенциал эмиттера, так как UЭБconst.
Чем меньше сопротивление делителя R1, R2, тем меньше зависит потенциал базы от изменений базового тока. Вместе с тем низкоомный делитель уменьшает входное сопротивление и повышает расход мощности от источника питания. Обычно R1R2RЭ или больше. Коэффициент нестабильности при этом составляет S=2-5. Сопротивление RЭстараются выбирать как можно больше. Величина RЭограничивается увеличением падения напряжения IЭRЭ.
Применяется также схема показанная на рис. 3.8, в которой напряжение, питающее делитель меняется при изменении напряжения на коллекторе, а следовательно и тока IК. Увеличение IК уменьшает напряжение коллектора, снижая тем самым потенциал базы и уменьшая ток коллектора, что способствует увеличению стабильности. Получаемый выигрыш тем больше, чем меньше отношение (R1+R2)/RК. При равенстве данного отношения единице или меньше ее стабильность по сравнению с предыдущей схемой повышается в 2-3 раза. Однако низкоомный делитель снижает усиление каскада и входное сопротивление к вытекающему из него неравенству RЭ>>RБ.
3.4. Расчет каскада на транзисторе в схеме с оэ по постоянному току
После выбора рабочей точки нам известны IКП, UКЭП, IБПи UЭБП. Из предшествующего расчета усилителя по переменному току известны входное сопротивление каскада RВХ(оно может быть задано) и сопротивление коллектора RК. Из параметров транзистора должны быть известны коэффициент усиления по току и его зависимость от температуры, тепловой ток IК0и изменение напряжения база-эмиттер UБЭ от температуры. Должен быть известен рабочий диапазон температур и допустимый сдвиг рабочей точкиIКДОП.
Рассмотрим расчет схемы на рис. 3.7. Зададимся величиной сопротивления в базовой цепи RБили сопротивления RЭ. RБвыбирают из условия: RБ>>RВХ. RЭвыбирается в случае, если известно напряжение UЭ:
RЭ=так какIKПIЭ.
(3.4.1)
По известному тепловому току при t0=20С определяют его изменение в рабочем диапазоне температур:
IK0=IK0to,
(3.4.2)
где А=2 для германиевых транзисторов, А=2.5 для кремниевых транзисторов, t- рабочий диапазон температур.
Значение IKдопдолжно удолетворять условию:
IKдопIK0+IЭ.
(3.4.3)
При невыполнении данного условия требуемую стабильность нельзя реализовать ни при каких RБи RЭ.
Выбрав RБопределяют RЭ:
RЭ.
(3.4.4)
Выбрав RЭнаходим RБ:
RБ.
(3.4.5)
Далее рассчитывают резисторы делителя:
R1=,
(3.4.6)
R2=.
(3.4.7)
Напряжение питания определяют по формуле:
E=UКЭП+IКПRК+IЭRЭ. (3.4.8)
Если Е известно, то корректируют RКи RЭ(желательно в сторону увеличения, так как стабильность при этом повысится).