2. Ключи на биполярных (бт) и полевых (пт) транзисторах

3.1.Привести и пояснить построение схемы простейшего параллельного ключа (ТК) на биполярном транзисторе NPN- структуры. Привести и охарактеризовать эквивалентные схемы параллельного ТК: открытого, закрытого.

3.2. Пояснить особенности статических режимов работы насыщенного параллельного ТК NPN-структуры: режим отсечки (эквивалентная схема и временные диаграммы закрытого БТ), активный режим, режим насыщения (эквивалентная схема и временные диаграммы насыщенного БТ). Показать на схеме транзисторного ключа прохождения токов в цепях базы и коллектора в режимах отсечки и насыщения. Сравнить напряжения на выходе ТК в этих режимах.

3.3. Пояснить работу ТК по статическим характеристикам БТ NPN-структуры с ОЭ: входной, совмещённой с проходной, выходной с нагрузочной прямой. Показать на данных статических характеристиках характерные для ТК режимы работы.

3.4. Привести и пояснить временные диаграммы управляющего и выходного напряжений идеального ключа на БТ NPN-структуры. Охарактеризовать логическую функцию, которую выполняет параллельный ключ.

3.5. Пояснить особенности динамических режимов реального ключа на БТ NPN-структуры: переход из выключенного состояния во включённое состояние и обратно.

3.6. Пояснить работу реального ТК по его временным диаграммам управляющего напряжения, тока коллектора и выходного напряжений в динамическом режиме включения и выключения. Дать понятия: времени задержки включения t_{з вкл} и выключения t_{з выкл}, времени формирования фронта t_ф и среза t_с реального выходного сигнала ТК. Пояснить причины задержки выходного сигала транзисторного ключа при его включении и выключении. Дать определение быстродействия транзисторного ключа F.

3.7. Привести и пояснить параметры ТК и его передаточную характеристику (ПХ)

3.8. Дать понятие насыщенного ТК с внешним смещением с использованием схемы и временных диаграмм. Дать понятие насыщенного ТК с ускоряющей ёмкостью с использованием схемы, временных диаграмм. Указать недостатки насыщенных ТК.

3.9. Дать понятие, привести схему и пояснить работу ненасыщенного ТК с нелинейной (коммутируемой) обратной связью.

3.10. Охарактеризовать достоинства и недостатки ТК на ПТ. Пояснить работу ТК на МДП (МОП)-транзисторе с каналом N-типа для положительной логики: схема, статические характеристики, временные диаграммы.

3.11. Привести и пояснить структуру, принципиальную и эквивалентные схемы интегрального ключа с применением МДП (МОП)-транзисторов с каналом N-типа в качестве нагрузочного (НЭ) и переключающего (ПЭ) элементов для положительной логики с использованием передаточной характеристики и временных диаграмм.

3.13. Привести и пояснить структуру, принципиальную и эквивалентные схемы интегрального ключа с применением КМДП (КМОП)-структуры в качестве нагрузочного и переключающего элементов для положительной логики с использованием передаточной характеристики и временных диаграмм. Указать достоинства ТК на КМДП (КМОП)-структурах.

Уметь решать задачи на определение параметров ТК