Лабораторна робота № 2
“Дослідження фотоелемента”
1 Мета роботи: Дослідити роботу напівпровідникового фотоелемен-та.
2 Завдання:
2.1 До лабораторної роботи! Уважно прочитати інструкцію до виконання лабораторної роботи. Ознайомитись із схемою лабораторної роботи. Повторити правила техніки безпеки під час виконання лабораторніх робіт.
Із довідника Чечик Н.О. Справочник: Фотоелементы и их при-менение – Москва: Энергоиздат, 1976 – ст. 60. або аналогічного з напівпровідникових фотоелектричних приладів записати до теоре-тичних відомостей основні параметри фотоелемента: ФЭСС-У-5.
2.2 Під час виконання лабораторної роботи: Дослідити роботу фотоелемента при різній освітленності, результати досліджень занести до таблиці, побудувати графік залежності ЕРС від відстані до джерела світла.
3 Характеристика робочого місця:
3.1 Теоретичні відомості:
ФЭСС-У-5
10
S
45о
R
10
І
12
М3
Е
50
λ макс = 0,85 мкм.
6
ГОСТ 2.730
–73
5
3 .2 Схема електрична структурна:
Макет
Вимірювач
освітленності
Джерело
живлення
Ф
ЛАК-99
Еж=26В
L
0
20
3.3 Прилади та обладнання:
– Робоче місце № ___ ;
– Макет№ ___ ;
– Джерело живлення змінним струмом ~220В/50 Гц;
– Термошафа з вмонтованим термістором;
– Універсальний вимірювач температури, опору ЛАК-99.
4 Хід роботи:
4.1 Таблиця вимірювань:
ї
-
L (см)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
R(КОм)
120
135
145
155
160
180
200
230
260
300
3.2 Графік R = f (t ):
Е
(лк)
Еmax
300
0
200
Еmin
100
L
(см)
4
8
12
16
20
3.3 Розрахунки:
300
120
=
2,5
(раз)
Висновок :
Дослідним шляхом підтверджена теорія про зміну ЕРС, яку ви-робляє напівпровідниковий фотоелемент при зміні освітленості його робочої поверхні, про що описано в книзі Савченко В.А. Фото-электрический эффект и его техническое применение – Москва: ТТЛ, 1998 – 118 ст.
Розрахований коефіцієнт перекриття становить 2,5 разів, що співпадає з теорією підручника Б.С. Гершунский Основы электроники и микроэлектроники – Киев: Вища школа, 1987 –с. 81 85.