Лабораторна
робота № 4
“Дослідження статичного режиму роботи транзистора”
1 Мета роботи: Дослідити роботу транзистора у статичному режи- мі і розрахувати його статичні h-параметри.
2 Завдання:
2.1 До лабораторної роботи!
Із довідника Лариненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам – Киев: Техника, 1989 – 574 ст. (або аналогічного) запи-сати до теоретичних положень ( пункт 3.1 )
– основні електричні параметри транзистора ГТ108А,
– накреслити схемне позначення і цоколівку.
2.2 Під час виконання лабораторної роботи:
Зняти статичні характеристики, побудувати їх, розрахувати по вхідним характеристикам вхідний опір (h11) і коефіцієнт зво-ротного зв’язку (h12). По вихідним характеристикам коефіцієнт підсилення (h21) і вихідну провідність транзистора (h22). Порівня-ти отримані результати з довідниковими.
3 Характеристика робочого місця:
3.1 Теоретичні відомості:
ГТ108А
=
20
50.
Uк =10 В.
Ік = 50 мА.
Ік0 = 10 мкА.
h22= 3.3 мкC.
fм = 0,5 МГц.
С = 50 пФ.
Р = 75 мВт.
3.2 Схема електрична принципова:
3.3 Прилади та обладнання:
– Робоче місце № ___ ;
– Макет№ ___ ;
– Джерело живлення постійним струмом 10 В;
– Джерело живлення постійнимним струмом = 30 В;
– Вимірювальні прилади макету:
-
П.№
Назва
Тип
Система
Клас
Межа вимірювань
1
Вольтметр
М4257
М/ел
5,0
0 0,5
2
Міліамперметр
М4200
М/ел
5,0
0 0,5
3
Вольтметр
М4202
М/ел
5,0
0 5
4
Міліамперметр
М4208
М/ел
5,0
0 50
4 Хід роботи:
4.1 Таблиці вимірювань:
Таблиця 1
-
Uб (В)
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
Uк = 0 (В)
Іб (мА)
0
0,18
1,4
2,8
Uк= -4(В)
0
0,08
0,12
0,5
1,2
1,8
Таблиця 2
Uк (В) |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1,0 |
2,0 |
4,0 |
8,0 |
10 |
|
Іб = 50 мкА |
Ік (мА) |
0 |
7 |
7,5 |
8 |
9 |
9,5 |
10 |
11 |
11,5 |
12 |
Іб = 100 мкА |
0 |
17,5 |
18 |
18,5 |
19 |
20,5 |
21 |
21,5 |
22 |
22,5 |
|
Іб = 150 мкА |
0 |
18 |
27,5 |
29 |
30 |
31 |
32 |
33 |
35 |
|
|
4.2 Характеристики :
Іб=f(Uбе)
–
Вхідні характеристики
Uк
Іб(мА)
Uк=0
Uк=-2,5В
2,4 0 0
2,0
Іб
Uк
1,6
1,2
Іб=
0,8
0,4
Uбе(В)
аU
0
0,1
0,4
0,3
0,2
бU
Uб
Uб
–
Ік=f(Uке)
Іб
Ік(mА)
40 0
Іб=150(мкА)
Ік
30
Ік
Іб
Іб=100(мкА)
20
Іб=50(мкА)
10
Uке(В)
0
4
12
10
8
6
2
Uк
4.3 Розрахунки:
Розрахунки h - параметрів по вхідним характеристикам:
–
вхідний опір транзистора
– коефіцієнт зворотного зв’язку
U1
Uб
0,23
h12
=
=
=
0,092
=
U2
Uк
2,5
І1
Іб
Іб
= 1,4
Розрахунки h - параметрів по вихідним характеристикам:
– коефіцієнт підсилення
h21
=
Іб
Uк
=
50
10–3
14
Uк=
8
280
=
(раз);
Ік
– вихідна провідність
Uк
Ік
Іб
=
6
3
103
Іб=
0,6
500
=
(мкСім);
h22
=
5 Висновок :
Розрахунковим шляхом визначені параметри транзистора 1Т308А h11 = 5,51 Ом (0,17 1,2КОм); h12 = 0,092 раз; h21 = 280 раз (20 75); h22 = 500 мкС (30 180); не лежать в межах значень, які наведені в довіднику В.Ю.Лавриненко Справочник по полупроводниковым приборам Киев: Техніка, 1973 с.386 394. і описані в підручнику Б.С. Гершунский Основы электроники и микроэлектроники Киев: Вища школа, 1987 с. 121 133. Це можна пояснити похибкою вимірювальних приладів, не точністю побудови та наближеними розрахунками.