Добавил:
twitch.tv Заведующий методическим кабинетом, преподаватель на кафедре компьютерного спорта и прикладных компьютерных технологий. Образование - Магистр Спорта. Суета... Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
16
Добавлен:
25.05.2022
Размер:
118.27 Кб
Скачать

Лабораторна робота № 2

“Дослідження фотоелемента”

1 Мета роботи: Дослідити роботу напівпровідникового фотоелемен-та.

2 Завдання:

2.1 До лабораторної роботи! Уважно прочитати інструкцію до виконання лабораторної роботи. Ознайомитись із схемою лабораторної роботи. Повторити правила техніки безпеки під час виконання лабораторніх робіт.

Із довідника Чечик Н.О. Справочник: Фотоелементы и их при-менение – Москва: Энергоиздат, 1976 – ст. 60. або аналогічного з напівпровідникових фотоелектричних приладів записати до теоре-тичних відомостей основні параметри фотоелемента: ФЭСС-У-5.

2.2 Під час виконання лабораторної роботи: Дослідити роботу фотоелемента при різній освітленності, результати досліджень занести до таблиці, побудувати графік залежності ЕРС від відстані до джерела світла.

3 Характеристика робочого місця:

3.1 Теоретичні відомості:

ФЭСС-У-5

10

S

45о

= 5 см2.

R

10

=0.71.4 КОм.

І

12

М3

т = 0,1 1 мкА.

Е

50

РС = 300 мкА.

λ макс = 0,85 мкм.

6

ГОСТ 2.730 –73

5

3 .2 Схема електрична структурна:

Макет

Вимірювач освітленності

Джерело живлення

Ф

ЛАК-99

L

Еж=26В

0

20

3.3 Прилади та обладнання:

Робоче місце № ___ ;

Макет№ ___ ;

Джерело живлення змінним струмом ~220В/50 Гц;

Термошафа з вмонтованим термістором;

Універсальний вимірювач температури, опору ЛАК-99.

4 Хід роботи:

4.1 Таблиця вимірювань:

ї

L (см)

20

18

16

14

12

10

8

6

4

2

R(КОм)

120

135

145

155

160

180

200

230

260

300

3.2 Графік R = f (t ):

Е (лк)

Еmax

300

0

200

Еmin

100

L (см)

4

8

12

16

20

3.3 Розрахунки:

300

120

=

2,5 (раз)

  1. Висновок :

Дослідним шляхом підтверджена теорія про зміну ЕРС, яку ви-робляє напівпровідниковий фотоелемент при зміні освітленості його робочої поверхні, про що описано в книзі Савченко В.А. Фото-электрический эффект и его техническое применение – Москва: ТТЛ, 1998 – 118 ст.

Розрахований коефіцієнт перекриття становить 2,5 разів, що співпадає з теорією підручника Б.С. Гершунский Основы электроники и микроэлектроники – Киев: Вища школа, 1987 –с. 81 85.

Соседние файлы в папке Компьютерная электроника (3 курс 1 семестр) Козінський В.В.