11. Полупроводниковые диоды
1.Работа выхода электронов — это энергия, которую необходимо затратить на переход электрона:
а) из валентной зоны в зону проводимости;
б) из вещества в вакуум;
в) из металла в полупроводник.
2.Переход (барьер) Шоттки — это :
а) контакт между металлами ;
б) контакт между полупроводниками n- и p- типа с различной шириной запрещенной зоны;
в) контакт между металлом и полупроводником, обладающий выпрямляющими свойствами.
3.Что такое электронно-дырочный переход?
а) контакт между металлами с разной работой выхода электронов;
б)контакт между полупроводником проводимости n- типа и металлом;
в) граница между областями с проводимостью p- и n- типа в полупроводнике;
г)переход электрона в зону проводимости и образования дырки в валентной зоне.
4.Что называют током диффузии в p-n-переходе?
а) ток, возникающий в переходе под воздействием приложенного напряжения;
б) ток основных носителей из p- в n- область и наоборот;
в)ток неосновных носителей.
5.Чему равна контактная разность потенциалов Uк в германиевых и кремниевых переходах соответственно?
а)0,3-0,4В; 0,7-0,4В;
б)80-100В; 10-20В;
в)50-60 мкВ; 100мВ.
6.Какой ток в p-n-переходе называют тепловым или дрейфовым?
а)ток, обусловленный дрейфом основных носителей при нагреве;
б)ток неосновных носителей из p- в n- область и наоборот;
в)ток, возникающий в переходе под действием приложенного напряжения.
7.Какое включение p-n-перехода называется прямым, а какое обратным?
а) «+» к n-области, «-» к p-области;
б) «-» к n-области, «+» к p-области;
в) «+» к n- и p- областям.
8.Полный ток I, протекающий через p-n-переход равен:
а) I=I0
б)
в)
,
где I0 ток неосновных
носителей заряда; е – заряд электрона;
U – внешнее напряжение;
К – постоянная Больцмана; Т – абсолютная
температура.
9.Полупроводниковый диод — это :
а)прибор с двумя p-n-переходами и двумя выводами;
б)прибор с одним p-n-переходом и двумя выводами;
в)кремниевый прибор с одним сплавным p-n-переходом, двумя выводами, предназначенный для детектирования;
г)прибор с переходом металл-металл, предназначенный для выпрямления переменного тока.
10.Точечные диоды получают:
а)точечно-контактным способом, пропускают большие токи, имеют большую ёмкость, работают на высоких частотах;
б)методом эпитаксии, имеют малую ёмкость, работают на низких частотах;
в)точечно-контактным способом, имеют очень маленькую ёмкость, работают на высоких частотах.
11.Плоскостные диоды получают:
а)методом диффузии, имеют малую ёмкость, работают на низких частотах;
б)методом сплавления, диффузии, эпитаксии, имеют большую ёмкость, работают на низких частотах;
в)методом ионной имплантации на основе арсенида галлия, имеют малую ёмкость, работают на высоких частотах.
12.Выпрямительный диод — это полупроводниковый прибор,
а) предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный в силовых цепях, плоскостной с несимметричным p-n-переходом на основе германия или кремния;
б) предназначенный для получения прямоугольных импульсов, точеный, с плавным p-n-переходом на основе кремния;
в) предназначенный для выравнивания АЧХ, плоскостной, с симметричным p-n-переходом на основе кремния;
г) предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный в силовых цепях, точенный с несимметричным p-n-переходом на основе германия или кремния.
13.Пробивные напряжения при нормальной температуре у германиевых (1) и кремниевых диодов (2) соответственно лежит в пределах:
а)5-20 В; 80-100 В;
б)2 кВ; 1 кВ;
в)100-400 В; 1-1,5 кВ.
14.Германиевые диоды лучше кремниевых тем, что:
а)имеют меньшее прямое падение напряжения;
б)выдерживают более высокие температуры, имеют более высокое обратное напряжение и меньший обратный ток;
в) имеют меньшее прямое падение напряжения и более высокий диапазон температур.
15.Кремниевые диоды превосходят германиевые по следующим параметрам:
а) имеют меньшее прямое падение напряжения;
б) выдерживают более высокие температуры, имеют более высокое обратное напряжение и меньший обратный ток;
в) имеют меньшее прямое падение напряжения и более широкий диапазон температур.
16.Полупроводниковый стабилитрон или опорный диод — это:
а) плоскостной германиевый диод, предназначенный для стабилизации частоты ВЧ — колебаний;
б) точечный диод на основе арсенида галлия, служащий для стабилизации малых токов;
в) плоскостной кремниевый диод, предназначенный для стабилизации уровня постоянного напряжения;
г) предназначенный для получения прямоугольных импульсов, точеный, с плавным p-n-переходом на основе арсенида галлия.
17.Каким включением включается стабилитрон?
А) прямым;
б) обратным.
18. Стабилитроны имеют следующие напряжения и ток стабилизации, соответственно:
а) от 5 до 1500 В; от 100 мА до 10 А;
б) от 5 до 300 В; от 0,1 мА до 2 А;
в) от 100 мВ до 100 В; от 10 мкА до 100 мА.
19.Стабисторами называют:
а) полупроводниковый прибор, предназначенный для стабилизации тока от 0,1 мА до 1А;
б) стабилитрон для стабилизации напряжения более 2 кВ;
в) стабилитрон для стабилизации напряжения менее 3В.
20.Каким включением включается стабистор?
А)прямым;
б)обратным.
21. Приведите обозначения диодов (рис.11.1): выпрямительных (1), импульсных (2), смесительных (3), детекторных (4), Шоттки (5), стабилитронов (6), варикапов (7), фото – (8), свето – (9), оптронов (10), туннельных (11), обращенных (12), переключающих (13).
Рис. 11.1
22. Приведите марки диодов п. 11.21:
а) Д226;
б) КД105;
в) КА102;
г) Д220;
д) КД510;
е) КД514;
ж) Д9;
з) КД503;
и)Д814;
к) КС147А;
л) ФД-3А;
м) КВ-103;
н) АЛ-102;
о) КИПД24А-К;
п) АОР102А;
р)Г И103;
с) АИ101;
т) КУ101;
ф) ТЛ171-320-10-6.
23. Укажите области применения диодов п.11.21:
а) оптоэлектроника;
б) генерация СВЧ;
в) регуляторы мощности переменного тока;
г) стабилизированные блоки питания;
д) выпрямители;
е) ключевые и логические схемы;
ж) автоматика, вычислительная техника;
з) автоматика с высоким быстродействием;
и) преобразование ВЧ и СВЧ – сигналов;
к) диодные модуляторы;
л) стабилизированные источники питания;
м) умножители частоты;
н) элементы настройки колебательных контуров;
о) детектирование сигналов.