4. Полупроводниковые материалы

1. Полупроводники - это вещества,

а) заметно изменяющие свои электрические свойства под действием внешних воздействий;

б) имеющие только аморфную структуру;

в) ширина запрещённой зоны ∆W которых больше чем у диэлектриков;

г) значение ρ которых меньше 10^-5 Ом м.

2. Значение ρ полупроводников:

а) выше чем у диэлектриков;

б) ρ = 10^-6 – 10⁹ Ом м при комнатной температуре;

в) ниже чем у проводников (ρ < 10^-8 Ом м).

3. Ширина запрещенной зоны полупроводников:

а) ∆W меньше чем у проводников;

б) ∆W ≥ 3 эВ;

в) ∆W ≈ 0,5 – 3 эВ;

г) ∆W ≤ 0,05 эВ.

4. Собственными называют полупроводники, в которых:

а) можно пренебречь влиянием примесей при данной температуре;

б) концентрация примесей составляет 10²⁰ м^-3;

в) электрические свойства определяются примесями.

5. Примесными называют полупроводники, в которых:

а) концентрация примесей меньше 10¹² м^-3;

б) электрические свойства определяются примесями;

в) можно пренебречь влиянием примесей при комнатной температуре.

6. Электронными или полупроводниками типа n называют такие, у которых основными носителями являются:

а) отрицательные ионы;

б) положительные ионы;

в) электроны.

7. Дырочными или полупроводниками типа р называются такие, у которых основными носителями являются:

а) дырки;

б) электроны;

в) дырки и электроны.

8. Электрический ток в полупроводниках обусловлен дрейфом:

а) электронов;

б) заряженных частиц;

в) электронов и дырок;

г) ионов.

9. Подвижностью носителей заряда называют:

а) отношение средней скорости дрейфа к напряженности электрического поля;

б) произведение длины свободного пробега и скорости дрейфа;

в) ускорение носителя заряда, вызванное электрическим напряжением 1 В.

10. Подвижность:

а) µ не зависит от температуры;

б) µ ~ Т^3/2 при низких температурах;

в) µ ~ Т^-3/2 при повышении температуры.

11. Уровень Ферми – это такой энергетический уровень,

а) который у собственных полупроводников расположен в зоне проводимости;

б) вероятность заполнения которого при температуре, отличной от абсолютного нуля, равна 1/2;

в) вероятность заполнения которого при температуре, отличной от абсолютного нуля, равна 1;

г) который у всех полупроводников расположен в валентной зоне.

12. Невырожденным называется полупроводник,

а) в котором поведение электронов и дырок подчиняется статистике Максвелла-Больцмана;

б) имеющий ширину запрещенной зоны < 0,5 эВ;

в) в котором поведение носителей подчиняется статистике Ферми-Дирака.

13. Полупроводник называется вырожденным:

а) при высоких температурах, при малой ширине запрещенной зоны, при сильном легировании, когда уровень Ферми лежит в валентной зоне или зоне проводимости;

б) в котором поведение электронов и дырок подчиняется статистике Максвелла-Больцмана;

в) если концентрация носителей в нём увеличивается с ростом температуры в низкотемпературной области.

14. Как изменяется концентрация носителей заряда с ростом температуры?

а) не изменяется;

б) возрастает;

в) убывает.

15. Время жизни электрона:

а) прямо пропорционально вероятности рекомбинации;

б) обратно пропорционально концентрации дырок и скорости электрона относительно дырки;

в) прямо пропорционально концентрации дырок и обратно пропорционально скорости электрона.

16. Что такое диффузионная длина?

а) расстояние от поверхности пластины, на котором концентрация примеси при легировании диффузией уменьшается в е раз;

б) средняя длина пути, проходимого носителем заряда между двумя соударениями;

в) расстояние, на котором в полупроводнике при диффузии в отсутствие внешних воздействий избыточная концентрация неосновных носителей уменьшается из-за рекомбинации в е раз.

17. Как изменяется проводимость полупроводников при увеличении температуры?

а) возрастает;

б) не изменяется;

в) убывает.

18. Что называют тензочувствительностью?

а) возникновение электропроводимости полупроводника при механическом воздействии;

б) отношение относительного изменения удельного сопротивления к относительной деформации;

в) изменение подвижности носителей под действием механического напряжения.

19. Фотопроводимость – это:

а) возникновение электропроводности полупроводника под действием света;

б) изменение подвижности носителей под действием рентгеновского излучения;

в) увеличение электропроводности под действием электромагнитного излучения.

20. Что такое квантовый выход внутреннего фотоэффекта?

а) уменьшение сопротивления полупроводника на 1 Ом при поглощении одного кванта излучения;

б) количество пар носителей, возникших под действием одного поглощённого кванта;

в) количество квантов, излучённых полупроводником при переходе одного электрона из зоны проводимости в валентную зону.

21. Как изменяется фотопроводимость с увеличением интенсивности облучения?

а) не изменяется;

б) возрастает;

в) убывает.

22. Как влияют сильные электрические поля на электропроводность полупроводников?

а) не влияют;

б) увеличивается число энергетических зон, уменьшается концентрация носителей заряда, нарушается закон Ома;

в) увеличивается концентрация носителей, изменяется их подвижность, нарушается закон Ома, энергетические зоны становятся наклонными.

23. Эффект Ганна – это:

а) возникновение когерентного ИК-излучения под действием электромагнитного поля;

б) генерация высокочастотных электрических колебаний под действием сильного постоянного электрического поля;

в) генерация СВЧ-колебаний под действием жёсткого излучения;

г) возникновение электрического напряжения на гранях полупроводника под действием магнитного поля.

24. Интенсивность падающего на полупроводник излучения Io уменьшается до величины I. В соответствии с законом Бугера-Ламберта:

а) I = Io exp(-αх);

б) I = Io(1 – R) exp(αх);

в) I = Io(1 – R) exp(-αх), где R – коэффициент отражения; х – расстояние от поверхности;

α – коэффициент поглощения.

25. Что называют спектром поглощения вещества?

а) зависимость R от длины волны облучения;

б) зависимость α от интенсивности облучения;

в) зависимость α от длины волны или энергии фотонов.

26. Собственное поглощение проявляется в:

а) УФ - части спектра;

б) видимой или ближней ИК - области спектра;

в) дальней ИК – области.

27. Экситонное поглощение наблюдается в:

а) видимой части спектра;

б) дальней ИК – области;

в) ближней или средней ИК – части спектра.

28. Поглощение света свободными носителями заряда:

а) ;

б) ;

в) · , где n – концентрация носителей заряда; - длина волны; - подвижность носителей.

29. Примесное поглощение наблюдается:

а) в ближней ИК – области;

б) в видимой части спектра при высоких температурах;

в) в дальней ИК – области при низких температурах.

30. Решёточное поглощение проявляется в:

а) в ближней ИК – области;

б) дальней ИК – области;

в) в дальней ИК – области при низких температурах.

31. Что такое люминесценция?

а) тепловое излучение;

б) электромагнитное нетепловое излучение с длительностью, превышающей период световых колебаний;

в) электромагнитное нетепловое излучение с длительностью 10^-15с.

32. Какие вещества называют кристаллофорами или фосфорами?

а) вещества, светящиеся в темноте;

б) диэлектрики со спонтанным механизмом люминесценции;

в) полупроводники, обнаруживающие рекомбинационную люминесценцию.

33. Эффект Зеебека – это:

а) нагрев полупроводника при прохождении тока;

б) появление ЭДС в цепи, состоящей из разнородных полупроводников или полупроводника и металла, если температуры контактов различны;

в) нагревание или охлаждение контакта в цепи, состоящей из различных полупроводников или полупроводника и металла в зависимости от направления тока.

34. Чему равна термо – ЭДС Uт?

а) U_т = (T₂ - T₁);

б) U_т = dU_т / dT · T₂;

в) U_т = T₂ / T₁, где - удельная термо - ЭДС; Т₁ и Т₂ – температуры контактов.

35. В чём заключается сущность эффекта Пельтье?

а) U_т = T₂ / T₁, где - удельная термо - ЭДС; Т₁ и Т₂ – температуры контактов;

б) U_т = (T₂ - T₁);

в) при протекании тока через полупроводник, вдоль которого имеется градиент температур, в нём в зависимости от направления тока выделяется или поглощается количество тепла.

36. Чему равна теплота Пельтье?

а) Q_п = П · J · t;

б) Q_п = П · J² · R;

в) Q_п = П · (T₂ – T₁) · J · t, где П – коэффициент Пельтье; J – плотность тока; t – время; R – сопротивление.

37. В чем состоит эффект Томсона?

а) при протекании тока через полупроводник, вдоль которого имеется градиент температур, в нём в зависимости от направления тока выделяется или поглощается количество тепла;

б) появление ЭДС в цепи, состоящей из разнородных полупроводников или полупроводника и металла, если температуры контактов различны;

в) нагревание или охлаждение контакта в цепи, состоящей из различных полупроводников или полупроводника и металла в зависимости от направления тока.

38. Чему равна теплота Томсона?

а) Q_т = τ · (T₂ – T₁) · J · t;

б) Q_т = τ · J · t;

в) Q_т = τ · dJ / dt (T₂ – T₁), где τ – коэффициент Томсона; J – плотность тока; t – время; T₂ – T₁ – разность температур.

39. В чём заключается эффект Холла?

а) в пластине полупроводника, по которой проходит ток, находящийся в магнитном поле, перпендикулярном току, возникает когерентное оптическое излучение;

б) на боковых гранях полупроводниковой пластины, находящейся в магнитном поле и по которой течёт ток, перпендикулярный полю, в направлении, перпендикулярном току и магнитному полю, возникает ЭДС;

в) в пластине полупроводника, по которой проходит ток, находящейся в магнитном поле, перпендикулярном току, возникают У.З. - колебания;

г) возникновение когерентного ИК - излучения под действием электромагнитного поля.

40. Полупроводниковые материалы бывают: а) неорганические;

б) органические;

в) биметаллические;

г) диэлектрические;

д) кристаллические;

е) аморфные;

ж) твердые;

з) жидкие;

и) газообразные;

к) магнитные;

л) немагнитные.

41. Кристаллические полупроводники: а) элементарные;

б) бездефектные; в) химические соединения; г) твердые растворы; д) металлические.

42. Основные методы получения монокристаллов полупроводников (рис. 4.1-4.9): а) метод Чохральского; б) сублимация; в) Бриджмена-Стокбаргера; г) зонная плавка; д) бестигельная зонная плавка; е) синтезом из компонентов; ж) газофазная эпитоксия.

Рис. 4.1 Рис. 4.2

Рис. 4.1 Рис. 4.2

Рис. 4.5 Рис. 4.6

Рис. 4.7 Рис. 4.8

Рис. 4.9

43. Приведите схемы кристаллических решеток элементарных полупроводников: В(а), С(б), Ge(в), Si(г), (α - Sn) (д), As(e), Sb(ж), Se(з), P(и), Se(к), Te(л), I(м) (рис. 4.10-4.19):

Рис. 4.10 Рис. 4.11 Рис. 4.12 Рис. 4.13

Рис. 4.14 Рис. 4.15

Рис. 4.16 Рис. 4.17

Рис. 4.18

Рис. 4.19

44. Приведите ширину запрещенной зоны элементарных полупроводников: С(а), B(б), Ge(в), Si(г), P(д), As(e), (α-Sn)(ж), Sb(з), S(и), I(к), Se(л), Te(м).

Таблица 4.1

Ширина запрещенной зоны элементарных полупроводников при 300 К

Элемент	ΔW (эВ)	Элемент	ΔW (эВ)
1	1,1	7	1,2
2	5,6	8	0,12
3	1,12	9	2,5
4	0,665	10	1,8
5	0,08	11	0,36
6	1,5	12	1,25

45. Кремний обладает следующими свойствами:

а) нечасто используется в полуповодниковом производстве;

б) наиболее распространенный элементов в земной коре (27,6%);

в) химически инертен;

г) обладает кристаллической решеткой типа (п. 4.43);

д) непрочный, хрупкий материал;

е) монокристаллический кремний получают методом (п. 4.42);

ж) рабочая температура 60-80 °С;

з) ρ = 10^-5-10³ Ом м;

и) низкая температура плавления;

к) плотность 2300 кг/м³; α = 3 ^. 10^-6 к^-1;

л) тензочувствительность.

46. Выпускается кремний марок:

а) БКЭХ-безкислородный, кремний, электронной проводимости, X – значение удельного сопротивления;

б) КЭМХ-кремний(по Чохральскому) электронный, легирован мышьяком, X – проценты As;

в) КДБХ-кремний(по Чохральскому), дырочный, легирован бором, X – удельное сопротивление.

47. Тонкие монокристаллические плёнки кремния получают (п. 4.42).

48. Марки эпитаксиальных плёнок Si:

а) ЭКДБ (Э – эпитаксиальный, К – кремний, Д – дырочный, Б – легирован бором);

б) КЭМД (К – кремний, Э- эпитаксиальный, М – легирован мышьяком, Д - дырочный);

в) ЭКБД (Э – эпитаксиальный, К – кремний, Б – легирован бором, Д – дырочный).

49. Кремний применяют для изготовления:

а) лазеров;

б) планарных транзисторов и ИМС;

в) разводки ИМС;

г) диоды, биполярные, полевые транзисторы;

д) сердечников трансформаторов;

е) стабилитроны, тиристоры;

ж) нагревателей;

з) фоточувствительных приборов;

и) корпусов ИМС;

к) различных датчиков.

50. Германий обладает следующими свойствами:

а) первый полупроводник в производстве;

б) блестящий желтый цвет, пластичен;

в) содержание в земной коре – 10 %;

г) содержание в земной коре – 7 10⁴ %, рассеянный элемент;

д) кристаллизуется в структуре (п. 4.43);

е) монокристаллы германия получают методами (п. 4.42);

ж) весьма устойчив при комнатной температуре.

51. Монокристаллы германия маркируются:

а) ГЭС 27/1.5;

б) ГГС 0.5/30;

в) ГДБ 1.0/5.0;

г) ГДГ 5.0/1.0.

52. Предельная рабочая температура германия:

а) 40 50 ^оС;

б) 70 80 ^оС;

в) 150 180 ^оС.

53. Приведите основные свойства кремния (а) и германия (б):

Таблица 4.2

Основные физические свойства кремния и германия при нормальных условиях

Свойство	1	2
Плотность, кг/м3	5320	2330
Постоянная решетки, А	5.66	5.43
Температура плавления, °С	937	1417
Ширина запрещенной зоны, эВ	0.67	1.12
Диэлектрическая проницаемость	16.3	11.7
Собственное удельное сопротивление, Ом·м	0.47	2·103
Собственная концентрация носителей заряда, м-3	2.5·1019	1016
Подвижность электронов, м2/(В·с)	0.39	0.13
Подвижность дырок, м2/(В·с)	0.19	0.048

54. Недостатки (1) и достоинства (2) германия:

а) не пригоден для быстродействующих приборов;

б) идеален для быстродействующих приборов;

в) неприменимость планарной технологии;

г) высокая подвижность носителей;

д) прозрачность для ИК – излучения;

е) прозрачность для УФ – излучения.

55. Германий применяют для изготовления:

а) силовых приборов с предельной температурой 200 ^оС;

б) детекторов ИК – и ядерных излучений;

в) ИК – лазеры;

г) оптоэлектроника;

д) изолирующих слоёв ИМС;

е) датчиков Холла.

56. Соединения A^IVB^IV:

а) GaAs;

б) SiC;

в) GeS;

г) ZnSe.

57. В природе A^IVB^IV встречается:

а) крайне редко;

б) часто в виде кремнийорганических соединений;

в) редко.

58. Монокристаллы A^IVB^IV выращивают методами (п. 4.42).

59. A^IVB^IV имеют структуру (п. 4.43).

60. SiC:

а) наиболее твёрдый, не окисляется до 1400 ^оС;

б) пластичный, окисляется при 20 ^оС;

в) при нагревании не реагирует с щелочами и кислотами.

61. Приведите основные свойства SiC:

Таблица 4.3

Основные физические свойства карбида кремния (Т=20^оС)

Свойствa	1	2
Плотность, кг/м3	2500	3170
Постоянная решетки,	3,5	4,36
Модуль Юнга, ГПа	200	385
Температура плавления, °С	1800	2700
Диэлектрическая проницаемость	10,0	7,0
Ширина запрещенной зоны, эВ	5,6	3,1
Подвижность электронов, м2/(В·с)	0,1	0,01
Подвижность дырок, м2/(В·с)	0,07	0,003
Электрическая прочность, 107 В/м	120	70

62. Из монокристаллического SiC изготавливают:

а) мощные выпрямительные диоды;

б) подложки ИМС;

в) радиаторы;

г) различные виды резисторов;

д) тонкоплёночные резисторы;

е) диоды, полевые транзисторы;

ж) светодиоды;

з) фотодиоды;

и) зеркала мощных лазеров;

к) охлаждающие модули;

л) нагреватели.

63. Приведите примеры некоторых соединений А^IIIB^V:

а) GaP;

б) CdS;

в) SiC;

г) GaAs;

д) PbTe;

е) InSb.

64. Приведите структуры нитридов (а) и остальных соединений А^IIIB^V (п. 4.43).

65. Какова технология получения антимонидов (а), арсенидов и фосфидов (б)? (п. 4.42).

66. Приведите основные физические свойства соединений А^IIIB^V: арсенидов Ga (а), In (б), Al (в); фосфидов Al (г), Ga (г), In (е); антимонидов Al (ж), In (з) и Ga (и).

Таблица 4.4

Основные физические свойства соединений A^IIIB^V (Т=20 ^оС)

Соединения	Тпл, оС	∆Э, эВ	µn, м2/в. с	µp, м2/в. с	Диэл. прониц.
1 2 3	1500 1465 1050	3,0 2,5 1,3	0,008 0,019 0,5	0,003 0,012 0,015	9,8 11,1 12,4

Продолжение табл. 4.4

4 5 6 7 8 9

1600 1237 942 1050 650 525

2,2 1,45 0,36 1,6 0,72 0,18

0,03 0,95 3,3 0,02 0,4 7,8

- 0,045 0,046 0,055 0,14 0,075

10,1 13,1 14,6 14,4 15,7 17,7

67. Акцепторами (1) и донорами (2) в GaAs являются:

а) цинк;

б) сера;

в) теллур;

г) медь;

д) кадмий;

е) селен.

68. Приборы на основе GaAs работают:

а) при низких температурах (60 ^оС);

б) в области СВЧ;

в) при высоких температурах (450 ^оС);

г) при высоких температурах (1400 ^оС);

д) в области низких частот.

69.Электропроводность антимонида индия при 20 ^оС:

а) электронная;

б) дырочная;

в) собственная.

70. Максимум фотопроводимости InSb соответствует длине волны:

а) 2 мкм;

б) 6.7 мкм;

в) 10 мкм.

71. Что мешает получению монокристаллов фосфида галлия высокой чистоты?:

а) Тпл = 1465 ^оС;

б) низкая диэлектрическая проницаемость;

в) большое давление паров (35 10⁵ Па);

г) Тпл = 250 ^оС;

д) большая ширина запрещенной зоны.

72. Донорами (1) и акцепторами (2) в GaP являются:

а) кислород;

б) кремний;

в) углерод;

г) цинк;

д) селен;

е) кадмий.

73. Антимонид галлия обладает высокой чувствительностью к:

а) магнитным полям;

б) механическим напряжениям;

в) облучению.

74. Твёрдые растворы на основе A^IIIB^V бывают:

а) растворами внедрения;

б) растворами замещения;

в) механическими смесями.

75. Какие твёрдые растворы на основе A^IIIB^V вам известны?:

а) , (x и y = 0.3 – 0.4);

б) PbTe−SnTe;

в) ;

г) ;

д) ;

е) PbS−SnS;

76. Какими методами получают монокристаллические слои твёрдых растворов A^IIIB^V? (п. 4.42).

77. Твёрдые растворы A^IIIB^V способны создавать:

а) переходы Шоттки;

б) гетеропереходы;

в) переходы металл-металл.

78. Применение полупроводников A^IIIB^V:

а) светодиоды от ИК- до УФ- диапазона;

б) полупроводниковые лазеры;

в) стабилитроны;

г) тиристоры;

д) генераторы Ганна;

е) варикапы;

ж) туннельные диоды;

з) датчики Холла;

и) криотроны;

к) полевые транзисторы;

л) быстродействующие ИМС.

79. Какие полупроводниковые соединения А^IIВ^VI вы знаете?:

а) сульфид цинка;

б) сульфид германия;

в) теллурид германия;

г) сульфид кадмия;

д) селенид ртути.

80. Какие структуры образуют А^IIВ^VI при кристаллизации? (п. 4.43).

81. Приведите основные свойства соединений А^IIВ^VI: теллуридов Zn (а), Cd (б), Hg (в); сульфидов Cd (г), Hg (д), Zn (е); селенидов Zn (ж), Cd (з), Hg (и).

Таблица 4.5

Основные свойства соединений А^IIВ^VI (Т = 20 ^оС)

Соединения	Тпл ,оС	∆Э, эВ	µn,м2/вc	µр, м2/вс	Тип проводимости
1 2 3 4 5 6 7 8 9	1780 1750 1480 1520 1260 790 1239 1041 670	3,74 2,53 1,78 2,73 1,85 0,12 2,23 1,51 0,08	0,014 0,034 0,07 0,026 0,072 2,0 0,053 0,12 2,5	0,0005 0,011 - 0,0015 0,0075 - 0,003 0,006 0,02	n n n n n n p n,p n,p

82. Только CdTe и HgTe могут иметь электропроводность:

а) n-типа;

б) p-типа;

в) собственную;

г) как n-типа, так и p-типа.

83. Проводимость соединений А^IIВ^VI можно повысить на несколько порядков путём:

а) сильных электрических полей;

б) термообработки в парах собственных компонентов;

в) добавлением акцепторов.

84. Какие твёрдые растворы А^IIВ^VI вы знаете?:

а) ZnS-CdS;

б) ZnS-ZnSe;

в) PbS-SnS;

г) PbTe-SuTe;

д) CdTe-HgTe.

85. Какую структуру имеют твёрдые растворы А^IIВ^VI? (п. 4.43).

86. Применение полупроводников А^IIВ^VI:

а) люминофоры;

б) диоды Ганна;

в) фоторезисторы;

г) гетеротранзисторы;

д) акустические устройства;

е) оптическая керамика;

ж) приёмники ИК-излучения;

з) оптроны;

и) диодные лазеры;

к) датчики Холла.

87. Приведите основные свойства соединений А^IVВ^IV: PbSe (а), PbTe (б), PbS (в), SnTe (г), SnS (д), Zns (е), CdTe (ж), CdSe (з):

Таблица 4.6

Некоторые свойства бинарных соединений А^IVВ^IV (Т = 20 ^оС)

Соединения	Тпл, оС	∆Э, эВ	µn, м2/в*с	µр, м2/в*с	Диэл. прониц.
1 2 3 4 5 6 7 8 9	665 880 1113 675 879 1080 725 790 923	1,8 1,08 0,41 1,16 0,9 0,29 0,1 0,18 0,32	- - 0,061 - - 0,104 - - 0,17	- 0,009 0,062 0,007 0,011 0,1 0,005-0,015 0,005-0,04 0,084	- - 175 - - 250 40 1170 400

88. Какую структуру имеют халькогениды свинца, SnTe, GeTe (а); сульфиды и селениды Ge и Sn (б); GeTe (в)? (п. 4.43);

89. Халькогениды свинца в природе встречаются в виде:

а) галенита;

б) вюрцита;

в) клаусталита;

г) вольфрамита;

д) алтанита.

90. Халькогениды свинца обладают электропроводностью:

а) n-типа;

б) p-типа;

в) n- и p-типа;

г) собственную.

91. Для получения соединений А^IVВ^IV используются методы (п. 4.42).

92. Какие твёрдые растворы на основе А^IVВ^IV вы знаете?:

а) PbTe-SnTe;

б) PbSe-SnSe;

в) ZnS-CdS;

г) CdTe-HgTe;

д) PbS-SnS.

93. Применение полупроводников А^IVВ^IV:

а) детекторы ИК-излучения;

б) детекторы ядерного излучения;

в) светодиоды;

г) лазеры;

д) фоторезисторы;

е) транзисторы;

ж) термоэлектрические генераторы.

94. Аморфные полупроводники – это:

а) аморфные твёрдые тела с тетраэдрическими связями;

б) аморфные металлы;

в) металлы;

г) халькогенидные стёкла;

д) органические материалы;

е) аморфные магнитодиэлектрики;

ж) гибридные полимерно-твердотельные материалы (ГПТМ);

з) стёкла, основным компонентом которых являются элементы V группы.

95. Аморфный кремний применяют при изготовлении:

а) cиловых приборов;

б) солнечных батарей;

в) фотодиодов;

г) различных датчиков;

д) модуляторов света.

96. Стёкла используются в:

а) лазерах;

б) электрофотографии;

в) элементах ИМС;

г) переключающих и запоминающих устройствах;

д) фотоумножителях.

97. На основе органических материалов изготавливают:

а) светодиоды;

б) фотодиоды;

в) лазеры;

г) модуляторы света.

98. Органические светодиоды излучают в области:

а) ИК;

б) красной;

в) cиней;

г) от зелёной до УФ.

99. По сравнению со светодиодами на основе GaN органические светодиоды:

а) лучше;

б) хуже;

в) аналогичны.

100. ГПТМ применяются в:

а) фотоумножителях;

б) светодиодах;

в) фоторезисторах;

г) лазерах.

101. ГПТМ светодиоды излучают в области:

а) от ИК до УФ;

б) синей;

в) от красной до зелёной.

102. Перспективные структуры на основе кремния:

а) кремний на сапфире (КНС);

б) кремний на металле (КНМ);

в) кремний на сверхпроводящей керамике (КНСПК);

г) кремний на изоляторе (КНИ);

д) кванто-размерные структуры (пористый SiPS).

103. КНС используют в:

а) светодиодах;

б) изолирующих слоях ИМС;

в) КМОП ИМС с высоким быстродействием и малой мощностью;

г) лазерах;

д) фотодиодах и полевых транзисторах;

е) солнечных батареях.

104. КНИ используют в:

а) фотодиодах;

б) лазерах;

в) солнечных батареях;

г) фотоприёмниках.

105. PS используют в:

а) фотодиодах и транзисторах;

б) светодиодах;

в) лазерах;

г) линзах ИК-диапазона;

д) дифракционных решётках;

е) оптических фильтрах;

ж) солнечных батареях.