1.2.3.2. Основные параметры транзистора с об

а также:

входное сопротивление

выходное сопротивление

В схеме с ОБ

(1.2.10)

(1.2.11)

где - сопротивление открытого эмиттерного перехода, составляющее десятки Ом.

, (1.2.12)

где , т. К. .

Таким образом, схема с ОБ характеризуется малым входным сопротивлением, отсутствием коэффициента усиления по току, большим усилением по напряжению и мощности.

1.2.3.3. Схема включения транзистора с общим эмиттером (оэ)

Схема включения транзистора с ОЭ представлена на рис. 1.2.5. В данной схеме источники U_кэ и U_бэ обеспечивают нормальный активный режим работы транзистора. Оба источника имеют одинаковую полярность. Напряжения между базой и эмиттером и коллектором и эмиттером должны удовлетворять условию |U_бэ|<|U_кэ|, для того, чтобы коллекторный переход был смещён в обратном направлении. Из уравнения для коллекторного тока с учетом баланса токов (1.2.6) получим значение тока коллектора, выраженного через входной ток базы.

Рис. 1.2.5. Схемы включения транзистора с ОЭ

, (1.2.13)

подставив уравнение Кирхгофа I_э = I_к + I_б, получим:

. (1.2.14)

Выразим ток коллектора через ток базы:

(1.2.15)

Обозначим - коэффициент передачи тока базы, тогда . С учетом произведенных обозначений получим выражение, которое определяет дифференциальное сопротивление коллектора

(1.2.16)

Выразим коллекторный ток через (1.2.16)

I_к=I_б +U_кэ/r^*_к.диф (1.2.17)

Второе слагаемое в (1.2.17) есть не что иное как (+1)I_кб0 =I_кэ0 “сквозной” ток коллектора в схеме с ОЭ. Он больше, чем в схеме с ОБ. Значение r^*_к.диф, напротив, в (+1) раз меньше, чем r_к.диф, т.е. влияние напряжения на коллекторе на величину тока коллектора значительно сильнее. Значение примерно составляет:  = 20...300.

1.2.3.4. Выходные и входные характеристики транзистора , включенного по схеме с оэ

Для транзистора, включенного по схеме с ОЭ выходные характеристики - это семейство кривых при , а входные характеристики представляют семейство кривых , при , которые имеют экспоненциальный вид. На рис.1.2.6 и рис.1.2.7 представлены семейства выходных и входных характеристик для транзистора, включенного по схеме с ОЭ.

При включении транзистора с ОЭ выходные характеристик полностью располагаются в первом квадранте, в то же время изменение положительного значения входного тока начинается не от нулевого значения входного напряжения, как в случае схемы с ОБ, а при некотором его положительном значении из-за падения напряжения на эмиттерном переходе от тока , при .

Рис. 1.2.6. Выходные характеристики транзистора, включенного

по схеме с ОЭ

Рис. 1.2.7. Входные характеристики транзистора, включенного

по схеме с ОЭ

1.2.3.5. Параметры транзистора, включенного по схеме с оэ

Основные параметры в схеме с ОЭ будут следующими:

-коэффициент усиления по току

; (1.2.18)

-входное сопротивление

, (1.2.19)

где В – статический коэффициент передачи тока базы. В схеме с ОЭ , тогда входное сопротивление будет равно

; (1.2.20)

-коэффициент усиления по напряжению

, (1.2.21)

где , т. к. .

Таким образом, схема ОЭ имеет большее чем схема ОБ входное сопротивление и усиливает сигнал как по току, так по напряжению и мощности.