- •Электроника и схемотехника
- •Аналоговых электронных
- •Устройств
- •Учебное пособие
- •1. Полупроводниковые приборы
- •1.1. Полупроводниковые диоды
- •1.1.1. Устройство и классификация полупроводниковых диодов
- •1.1.2. Физические процессы в p-n-переходе
- •1.1.3. Работа диода при подключении внешнего обратного напряжения
- •1.1.3.1. Тепловой ток диода
- •1.1.3.2. Токи генерации и утечки в реальных диодах
- •1.1.4. Работа диода при подключении внешнего прямого напряжения
- •1.1.5. Основные параметры диодов
- •1.1.5.1. Сопротивления диода
- •1.1.5.2. Емкости диода
- •1.1.6. Типы полупроводниковых диодов
- •1.1.6.1. Выпрямительные диоды
- •1.1.6.2. Стабилитроны
- •1.1.6.3. Варикапы
- •1.1.6.3.1. Вольт-фарадная характеристика варикапа
- •1.1.6.3.2. Добротность варикапа
- •1.1.6.4. Туннельный диод
- •1.1.6.4.1. Принцип квантово-механического туннелирования
- •1.1.6.4.2. Вольт-амперная характеристика туннельного диода
- •1.1.6.5. Импульсные диоды
- •1.1.6.6. Диоды с накоплением заряда
- •1.1.6.7. Диоды с барьером Шоттки
- •1.1.6.8. Лавинно пролетные диоды
- •1.1.6.9. Фотодиод
- •Рассмотрим общие характеристики фотодиодов.
- •1.2. Биполярные транзисторы
- •1.2.1. Устройство и режимы работы транзистора
- •1.2.2. Физические процессы, протекающие в транзисторе, работающем в активном режиме
- •1.2.3. Схемы включения, основные характеристики и параметры транзисторов
- •1.2.3.1. Схема включения транзистора с общей базой (об)
- •1.2.3.2. Основные параметры транзистора с об
- •1.2.3.3. Схема включения транзистора с общим эмиттером (оэ)
- •1.2.3.4. Выходные и входные характеристики транзистора , включенного по схеме с оэ
- •1.2.3.5. Параметры транзистора, включенного по схеме с оэ
- •1.2.3.6. Схема включения транзистора с общим коллектором (ок)
- •1.2.3.7. Параметры транзистора с ок
- •1.2.4. Эквивалентные схемы транзисторов
- •1.2.4.1. Эквивалентная схема транзистора в виде модели Эберса-Молла
- •1.2.4.2. Дифференциальные параметры и малосигнальные эквивалентные схемы транзистора
- •1.2.4.3. Эквивалентная схема транзистора в h-параметрах
- •1.2.4.5. Эквивалентная схема транзистора в y-параметрах
- •1.2.5. Инерционные свойства биполярного транзистора. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты.
- •1.2.5.1. Процессы в схеме с общей базой
- •1.2.5.2. Процессы в схеме с оэ
- •1.3. Полевые транзисторы
- •1.3.1. Транзисторы с управляющим p-n-переходом.
- •1.3.1.1. Устройство и принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •1.3.2. Полевой транзистор, включенный по схеме с ои а) с n-каналом,
- •1.3.2. Дифференциальные параметры.
- •1.3.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •1.4. Тиристоры
- •1.5. Интегральные схемы
- •1.6. Полупроводниковые датчики и индикаторные приборы
- •1.6.1. Полупроводниковые датчики температуры
- •1.6.2. Магнитополупроводниковые приборы
- •1.6.3. Приборы с зарядовой связью
- •1.6.4. Фотоэлектрические приборы. Понятие об оптоэлектронных приборах.
1.2. Биполярные транзисторы
1.2.1. Устройство и режимы работы транзистора
Биполярные транзисторы - полупроводниковые приборы с двумя взаимодействующими p-n-переходами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции основных и экстракции неосновных носителей заряда. P-n переходы образуются на границах чередующихся областей полупроводника с разными типами электропроводности - p-n-p, либо n-p-n.
Рис. 1.2.1. Устройство транзистора и физические процессы в нормальном активном режиме.
Средний слой - база, эмиттер - сильно легированная наружная область. Эмиттерный переход смещен в прямом направлении. Второй переход - коллекторный смещен в обратном направлении.
Различают транзисторы бездрейфовые и дрейфовые.
В бездрейфовых транзисторах примеси в базе распределены равномерно. При этом электрическое поле в базе отсутствует, и попавшие из эмиттера неосновные носители движутся через базу к коллекторному переходу только в следствие диффузии.
В дрейфовых транзисторах примеси в базе распределены неравномерно: более высокая концентрация на границе с эмиттером и убывает в направлении коллектора. В следствии этого в базе имеется внутреннее электрическое поле, направленное так, что оно ускоряет движение неосновных носителей к коллекторному переходу.
Каждый переход биполярного транзистора можно включить либо в прямом, либо в обратном направлении. В зависимости от этого различают следующие четыре режима работы транзистора.
Нормальный или активный режим — эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный — обратное. Именно этот режим работы транзистора соответствует максимальному значению коэффициента передачи тока эмиттера. К тому же он обеспечивает минимальные искажения усиливаемого сигнала.
Инверсный режим — к коллекторному переходу подведено прямое напряжение, а к эмиттерному — обратное. Исходя из реальной структуры биполярного транзистора (рис. 1.2.1), инверсный режим работы приводит к значительному уменьшению коэффициента передачи тока эмиттера, по сравнению с работой транзистора в нормальном режиме (если учитывать при этом, кроме реальной структуры, также более слабое легирование коллекторного слоя по сравнению с эмиттерным при изготовлении транзисторных структур) и поэтому на практике применяется крайне редко.
Двойной инжекции или насыщения — оба перехода (эмиттер-ный и коллекторный) находятся под прямым напряжением. Выходной ток в этом случае не зависит от входного и определяется только параметрами нагрузки. Из-за малого напряжения между выводами коллектора и эмиттера режим насыщения используется для замыкания цепей передачи сигнала.
Режим отсечки — к обоим переходам подведены обратные напряжения. Так как выходной ток транзистора в режиме отсечки практически равен нулю, этот режим используется для размыкания цепей передачи сигналов.
Основным режимом работы биполярного транзистора в аналоговых электронных устройствах является нормальный режим. Режимы насыщения и отсечки обычно применяются совместно для осуществления коммутации как силовых, так и информационных цепей.